单晶、单晶生长、单晶薄膜、单晶纳米生产及应用技术
作者：百创科技 能源燃料来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/5
0001、 一种用于*化镓单晶生长光学测径的方法
摘要、 本发明公开了一种用于*化镓单晶生长光学测径的方法，采用数码摄像机、数字滤波器、计算机及显示输出设备由传输线缆相连接组成，实现步骤包括：A.采集*化镓单晶不连续弯月面的图像信息；B.对采集到的不连续弯月面边界上的测量点进行选择；C.对选出的测量点进行计算，求出单晶直径的数值；D.输出算出的单晶直径的结果。由于本发明采用以上步骤实施，故可以直接获得晶体直径的数据，并可避免由液封剂浮力变化、旋转机构转速变化、拉速变化、晶体重心与旋转轴不重合等原因造成的测量误差，使直径的测量值更加准确。
0191-0002、 硫化镉半导体纳米晶的湿固相反应制备法
摘要、 硫化镉半导体纳米晶的湿固相反应制备法，包括以下步骤：将巯基乙酸和氯化镉按摩尔比1.8～2.2∶1混合，研磨；加入去离子水洗去过量的巯基乙酸，过滤，滤饼用去离子水洗涤；将滤饼和*按摩尔比1～3.5∶2混合，研磨，得到淡黄色固体；将上一步骤得到的淡黄色固体溶于水，再加入*或*中，使CdS溶胶沉降；过滤，洗涤干燥，得到纳米CdS晶体。本发明反应条件温和，工艺简单，产率高，制备的粒子粒径均匀，无团聚现象，重现性好。与传统的生物荧光探针(有机染料)相比，纳米晶体的激发光谱宽，且连续分布，发射光谱呈对称分布且宽度窄，颜色可调，将其用于生物荧光探针，具有良好的发展及应用前景。
0014-0003、 空间水溶液晶体生长原位实时观察装置 ，p style="line-height: 150%"> 本发明一种空间水溶液晶体生长原位实时观察装置，是第三代空间晶体生长实验装置，该装置既可在空间微重力条件下，从水溶液中生长单晶体，又可实时原位观察固/液生长界面的浓度场和界面形态变化；本发明装置，由结晶器；贮液器；加热器；温度控制仪；循环泵；激光干涉仪；图像采集组件；图像记录组件等八个主要部件组成，其结构设计采用大容量结晶器，同时设计两套图像记录系统，所记录的晶体生长原位实时观察资料，可供空间晶体生长的基础理论研究。
0089-0004、 原子层掺杂装置和方法
摘要、 揭示了一种改进的具有多个掺杂区域的原子层掺杂装置，其中首先沉积各种掺杂物质，然后将其中包含的掺杂物原子扩散到基层中。各个掺杂区域与相邻的掺杂区域化学隔离。对加载装置编程，使之以预定的传递次序将半导体基层移入和移出各个相邻的掺杂区域。根据所提供的掺杂区域数目，可同时处理多个基层并沿着掺杂区域的循环移动，直到取得所需的掺杂分布。
0176-0005、 用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
摘要、 一种用于在坩埚中制备硅熔体供在用直拉法生长单晶硅锭时使用的方法。坩埚首先用块状多晶硅装料，并加热以便部分地熔化装料。然后将粒状多晶硅加料到露出的未熔化的块状多晶硅上，以便完成坩埚中硅的装料。粒状多晶硅用多个交替的工作周期和停歇周期间歇式输送。在每个工作周期期间，使粒状多晶硅通过一个将粒状多晶硅导引到未熔化的块状多晶硅上的加料装置流动。在每个停歇周期期间，使粒状多晶硅的流动中断。将装料的块状多晶硅和加料的粒状多晶硅熔化，以便形成硅熔体。
0135-0006、 一种生长具有半导体特性的大直径6H-SiC单晶的装置和方法
摘要、 一种生长具有半导体特性的6H-SiC单晶的装置和方法，属于晶体生长技术领域。装置包括生长室及其侧壁的水冷装置、石墨坩埚、保温材料和感应加热系统，坩埚内置圆柱型的用Ta制作的气相导流板，侧面为曲线状外壁的圆柱，曲线的形状可以是矩形或弧形。通过调整坩埚相对于感应线圈的位置，从而使坩埚内部籽晶处的温度最低生长方向有较大梯度的温场分布；晶体生长表面的径向等温线的分布近似平行，中心最低，边缘最高，以此保证晶体的直径不断扩大。通过改变气氛组成或原料配比等方式，得到具有半导体特性n型、p型或半绝缘型的大直径SiC单晶。通过选用籽晶的Si面和生长温度来控制晶体的多型，进而得到6H-SiC。本发明用于半导体器件工业的大直径6H-SiC单晶的生长。
0056-0007、 碱土金属氟化物生成态单晶
摘要、 本发明的碱土氟化物生成态单晶采用单晶拉制法生产，单晶圆柱形部分直径不小于17cm，单晶圆柱形部分长度最好不小于5cm，在632.8nm波长所测的透光度，不小于80％，最好是90至98％。本发明的单晶的主晶体生长面是{111}晶面或{100}晶面。本发明的碱土金属氟化物单晶具有上述的最大直径，尽管它在生成态其外周表面是透明的，可见光透光度很高。而且，无需晶体进行复杂加工，可以检查气泡或夹杂物，从此单晶中可以切割出具有优良特性如高质量和高均匀性的大尺寸光学材料。
0038-0008、 减少氟化物中的氧组分和碳组分的方法
摘要、 提供减少高纯度氟化物如氟化钙和氟化钡(高纯度氟化物不局限于氟化钙和氟化钡)中或稀土元素氟化物如氟化镱和氟化铈中的氧和碳组分的方法，这些氟化物被用于光学纤维、涂料等。本发明方法的特征在于高纯度氟化物中含有的氧和碳组分可通过氟气处理来减少。
0041-0009、 制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法
摘要、 一种通过由预定加工条件下容纳在坩埚内的熔化物抽拉硅单晶来制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法，坩埚内添加适量异物N，>0，>以达成该熔化物的预期电阻，于t时间之后，将数量为ΔN(t)的异物后掺杂在熔化物内至少一次，以补偿异物蒸发出熔化物所造成的损失，其中异物的量ΔN(t)是依照方程式ΔN(t)＝N，>0，>-N(t)＝N，>0，>·(1-e，>-λa·t，>)或依照近似方程式ΔN(t)＝N，>0，>·λa·t计算出来的，式中λa是说明异物加工特殊蒸发性质的蒸发系数，且是已经测量另一单晶的电阻分布R(t)之后并依照方程式R(t)＝R，>0，>·e，>λa·t，>计算求得，其中R，>0，>是起始电阻率，并且所述另一单晶是在预定加工条件下抽拉，但未经后掺杂异物。
0033-0010、 抗X射线辐照的掺铈镁铝尖晶石晶体及其制备方法
摘要、 一种抗X射线辐照的掺铈镁铝尖晶石晶体及其制备方法，该晶体的制备以AlNH，>4，>(SO，>4，>)，>2，>·12H，>2，>O和MgSO，>4，>·7H，>2，>O为基质原料，掺入150～300ppm浓度的掺杂原料Ce(SO，>4，>)，>2，>·4H，>2，>O，经低温、中温、高温和保温处理四个焙烧过程制成掺铈镁铝尖晶石粉料，焙烧过程中升温速率均为7℃/min；用焰熔法将制备好的粉料烧结成晶体，晶体生长的工艺参数为：拉晶速度为0.4mm/min，下粉率参数为0.2-0.5g/min，熔晶和晶体生长时的氢氧体积比分别是3∶1和1∶1，长出的晶体在还原气氛下退火，温度为1300℃，保温时间为13小时。本发明制备的掺铈镁铝尖晶石单晶不但透过率高于未掺杂的镁铝尖晶石晶体，而且抗X射线辐照的能力强，可作为发光基片及窗口材料广泛应用于微电子学、核技术、激光技术、红外技术、光学等领域。
0055-0011、 氟化钙生成态单晶
0197-0012、 四脚状氧化锌晶须连续生产工艺及旋转炉
0169-0013、 晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统和监控方法
0198-0014、 一种非线性光学晶体铝硼酸钾钠及其制备方法和用途
0114-0015、 采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置
0016-0016、 立式上施重制造键合激光晶体的方法0159-0017、 弛豫铁电单晶铌锌酸铅-钛酸铅的两步法生长方法
0022-0018、 复合激光晶体的生长方法
0143-0019、 生长碲锰汞晶体的方法
0153-0020、 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体及其制备方法
0121-0021、 氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法
0017-0022、 降低晶体缺陷密度的方法
0129-0023、 人造发晶及其制备方法
0049-0024、 Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族系单结晶铁磁性化合物及其铁磁性特性的调整方法
0186-0025、 铽型 顺磁性柘榴石单晶体和光磁装置
0170-0026、 紫外波段有吸收的兰宝石晶体
0124-0027、 磁性石榴石单晶膜形成用衬底、光学元件及其制备方法
0003-0028、 平板单晶硅表面的改性方法
0166-0029、 掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法
0131-0030、 掺铈的钇铝石榴石晶体的生长方法
0185-0031、 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法
0026-0032、 监测用于半导体生长的拉晶机中气态环境的方法
0157-0033、 掺三价铈离子稀土铝酸盐晶体的制备方法
0155-0034、 硼酸铝晶须表面氮化物保护层的制造方法
0105-0035、 硅酸钆闪烁晶体的生长方法
0058-0036、 制备氮化镓单晶薄膜的方法0160-0037、 掺三价铈离子的正硅酸盐闪烁晶体的制备方法
0047-0038、 具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅
0093-0039、 提高铌酸钾锂晶片中锂含量的方法
0147-0040、 氧化锌棒状单晶纳米探针的制备方法
0078-0041、 掺铈铝酸钇晶体的生长方法
0142-0042、 输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺
0090-0043、 经电解精炼的高纯度石英坩埚及其制造方法和拉制方法
0104-0044、 以坚固支座、碳掺杂和电阻率控制及温度梯度控制来生长半导体晶体的方法和装置
0006-0045、 晶体生长工艺中的籽晶方位的控制方法及其专用夹具
0162-0046、 掺钕硼酸二镧钡激光晶体及其制备方法和用途
0148-0047、 一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法
0123-0048、 通过对相对于沟道区域的微结构的自觉偏移提高多晶薄膜晶体管器件之间均匀性的...
0200-0049、 一种生长直拉硅单晶的重掺杂方法及掺杂装置
0187-0050、 C-轴择优取向单晶ZnO六棱微管的制备方法
0072-0051、 一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法
0154-0052、 硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺
0051-0053、 一种单晶高温合金电场定向凝固设备
0074-0054、 复合氧化物单晶的制造方法
0060-0055、 用于高击穿电压半导体器件的高阻碳化硅衬底
0101-0056、 生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置0113-0057、 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
0175-0058、 熔体注入法生长近化学比铌酸锂晶体系统及其工艺
0054-0059、 用于金属氟化物的单晶拉拔装置
0063-0060、 硅片和生产单晶硅的方法
0096-0061、 高表面质量的GaN晶片及其生产方法
0133-0062、 硼酸镁晶须的制备工艺
0112-0063、 制备板状碳化钨单晶颗料的方法
0028-0064、 磁场炉和一种使用磁场炉制造半导体衬底的方法
0086-0065、 一种非线性光学晶体及其应用
0164-0066、 硼酸钆锶激光晶体及其制备方法
0036-0067、 大量制备β－SiC纳米晶须的方法
0110-0068、 一种SiC单晶生长压力自动控制装置
0087-0069、 分割单晶的方法和装置以及对该方法用于确定单晶取向的调节装置和试验方法
0046-0070、 铌酸钡钠柱状单晶颗粒的制备方法
0177-0071、 一种用于紫外光通带滤波器的十二水硫酸镍钴晶体
0007-0072、 单晶，溶液中生长单晶的制造方法和应用
0009-0073、 用高生长速率制备低缺陷密度硅的方法
0002-0074、 具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法
0023-0075、 无籽晶无偏压金刚石准单晶膜的沉积方法
0168-0076、 一种制取氧化锌晶须的方法0137-0077、 用于八英寸重掺*直拉硅单晶制造的上部热场
0171-0078、 二氧化硅玻璃坩埚
0081-0079、 提高铝酸锂和镓酸锂晶片表层晶格完整性的方法
0128-0080、 基片支架
0126-0081、 快速热退火的方法
0194-0082、 硼酸钙单晶的熔体提拉生长方法
0005-0083、 掺钕硼酸钪锶钇激光晶体及其制备方法和用途
0019-0084、 球冠形异型晶体的生长方法
0188-0085、 一种平行束状纳米氧化锌晶须的制法
0079-0086、 一种磁场下生长低缺陷密度直拉硅单晶的方法
0138-0087、 用于六英寸及八英寸重掺磷直拉硅单晶制造的上部热场
0106-0088、 一种熔料补充生长晶体的装置和方法
0048-0089、 ZnTe系化合物半导体单晶的制造方法和ZnTe系化合物半导体单晶及半导体...
0181-0090、 掺氟钨酸盐激光晶体及其生长方法
0192-0091、 一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法
0068-0092、 金属超薄膜、金属超薄膜叠层体以及金属超薄膜和金属超薄膜叠层体的制备方法
0179-0093、 稀土硫代氧化物晶体的生长方法
0196-0094、 生产高强度直拉硅单晶用的籽晶的制备方法
0044-0095、 有机金属化合物的蒸发/进料系统
0195-0096、 具有阻尼的晶体旋转提拉装置0073-0097、 一种激光再结晶的方法
0119-0098、 利用硼泥生产氧化镁单晶的方法
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0140-0122、 硼酸镁晶须的制备方法
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0130-0130、 用TiO2超细粉焰熔法人工合成金红石单晶的方法和设...
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0035-0132、 一种二氧化碲单晶体的坩埚下降生长技术
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0178-0136、 取向生长用基底0172-0137、 一种籽晶起始端抑制杂晶形成和长大的方法及模壳结构
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0191-0002、 硫化镉半导体纳米晶的湿固相反应制备法
摘要、 硫化镉半导体纳米晶的湿固相反应制备法，包括以下步骤：将巯基乙酸和氯化镉按摩尔比1.8～2.2∶1混合，研磨；加入去离子水洗去过量的巯基乙酸，过滤，滤饼用去离子水洗涤；将滤饼和*按摩尔比1～3.5∶2混合，研磨，得到淡黄色固体；将上一步骤得到的淡黄色固体溶于水，再加入*或*中，使CdS溶胶沉降；过滤，洗涤干燥，得到纳米CdS晶体。本发明反应条件温和，工艺简单，产率高，制备的粒子粒径均匀，无团聚现象，重现性好。与传统的生物荧光探针(有机染料)相比，纳米晶体的激发光谱宽，且连续分布，发射光谱呈对称分布且宽度窄，颜色可调，将其用于生物荧光探针，具有良好的发展及应用前景。
0014-0003、 空间水溶液晶体生长原位实时观察装置 ，p style="line-height: 150%"> 本发明一种空间水溶液晶体生长原位实时观察装置，是第三代空间晶体生长实验装置，该装置既可在空间微重力条件下，从水溶液中生长单晶体，又可实时原位观察固/液生长界面的浓度场和界面形态变化；本发明装置，由结晶器；贮液器；加热器；温度控制仪；循环泵；激光干涉仪；图像采集组件；图像记录组件等八个主要部件组成，其结构设计采用大容量结晶器，同时设计两套图像记录系统，所记录的晶体生长原位实时观察资料，可供空间晶体生长的基础理论研究。
0089-0004、 原子层掺杂装置和方法
摘要、 揭示了一种改进的具有多个掺杂区域的原子层掺杂装置，其中首先沉积各种掺杂物质，然后将其中包含的掺杂物原子扩散到基层中。各个掺杂区域与相邻的掺杂区域化学隔离。对加载装置编程，使之以预定的传递次序将半导体基层移入和移出各个相邻的掺杂区域。根据所提供的掺杂区域数目，可同时处理多个基层并沿着掺杂区域的循环移动，直到取得所需的掺杂分布。
0176-0005、 用于增加多晶硅熔化速率的间歇式加料技术
摘要、 一种用于在坩埚中制备硅熔体供在用直拉法生长单晶硅锭时使用的方法。坩埚首先用块状多晶硅装料，并加热以便部分地熔化装料。然后将粒状多晶硅加料到露出的未熔化的块状多晶硅上，以便完成坩埚中硅的装料。粒状多晶硅用多个交替的工作周期和停歇周期间歇式输送。在每个工作周期期间，使粒状多晶硅通过一个将粒状多晶硅导引到未熔化的块状多晶硅上的加料装置流动。在每个停歇周期期间，使粒状多晶硅的流动中断。将装料的块状多晶硅和加料的粒状多晶硅熔化，以便形成硅熔体。
0135-0006、 一种生长具有半导体特性的大直径6H-SiC单晶的装置和方法
摘要、 一种生长具有半导体特性的6H-SiC单晶的装置和方法，属于晶体生长技术领域。装置包括生长室及其侧壁的水冷装置、石墨坩埚、保温材料和感应加热系统，坩埚内置圆柱型的用Ta制作的气相导流板，侧面为曲线状外壁的圆柱，曲线的形状可以是矩形或弧形。通过调整坩埚相对于感应线圈的位置，从而使坩埚内部籽晶处的温度最低生长方向有较大梯度的温场分布；晶体生长表面的径向等温线的分布近似平行，中心最低，边缘最高，以此保证晶体的直径不断扩大。通过改变气氛组成或原料配比等方式，得到具有半导体特性n型、p型或半绝缘型的大直径SiC单晶。通过选用籽晶的Si面和生长温度来控制晶体的多型，进而得到6H-SiC。本发明用于半导体器件工业的大直径6H-SiC单晶的生长。
0056-0007、 碱土金属氟化物生成态单晶
摘要、 本发明的碱土氟化物生成态单晶采用单晶拉制法生产，单晶圆柱形部分直径不小于17cm，单晶圆柱形部分长度最好不小于5cm，在632.8nm波长所测的透光度，不小于80％，最好是90至98％。本发明的单晶的主晶体生长面是{111}晶面或{100}晶面。本发明的碱土金属氟化物单晶具有上述的最大直径，尽管它在生成态其外周表面是透明的，可见光透光度很高。而且，无需晶体进行复杂加工，可以检查气泡或夹杂物，从此单晶中可以切割出具有优良特性如高质量和高均匀性的大尺寸光学材料。
0038-0008、 减少氟化物中的氧组分和碳组分的方法
摘要、 提供减少高纯度氟化物如氟化钙和氟化钡(高纯度氟化物不局限于氟化钙和氟化钡)中或稀土元素氟化物如氟化镱和氟化铈中的氧和碳组分的方法，这些氟化物被用于光学纤维、涂料等。本发明方法的特征在于高纯度氟化物中含有的氧和碳组分可通过氟气处理来减少。
0041-0009、 制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法
摘要、 一种通过由预定加工条件下容纳在坩埚内的熔化物抽拉硅单晶来制造掺杂高挥发性异物的硅单晶的方法，坩埚内添加适量异物N，>0，>以达成该熔化物的预期电阻，于t时间之后，将数量为ΔN(t)的异物后掺杂在熔化物内至少一次，以补偿异物蒸发出熔化物所造成的损失，其中异物的量ΔN(t)是依照方程式ΔN(t)＝N，>0，>-N(t)＝N，>0，>·(1-e，>-λa·t，>)或依照近似方程式ΔN(t)＝N，>0，>·λa·t计算出来的，式中λa是说明异物加工特殊蒸发性质的蒸发系数，且是已经测量另一单晶的电阻分布R(t)之后并依照方程式R(t)＝R，>0，>·e，>λa·t，>计算求得，其中R，>0，>是起始电阻率，并且所述另一单晶是在预定加工条件下抽拉，但未经后掺杂异物。
0033-0010、 抗X射线辐照的掺铈镁铝尖晶石晶体及其制备方法
摘要、 一种抗X射线辐照的掺铈镁铝尖晶石晶体及其制备方法，该晶体的制备以AlNH，>4，>(SO，>4，>)，>2，>·12H，>2，>O和MgSO，>4，>·7H，>2，>O为基质原料，掺入150～300ppm浓度的掺杂原料Ce(SO，>4，>)，>2，>·4H，>2，>O，经低温、中温、高温和保温处理四个焙烧过程制成掺铈镁铝尖晶石粉料，焙烧过程中升温速率均为7℃/min；用焰熔法将制备好的粉料烧结成晶体，晶体生长的工艺参数为：拉晶速度为0.4mm/min，下粉率参数为0.2-0.5g/min，熔晶和晶体生长时的氢氧体积比分别是3∶1和1∶1，长出的晶体在还原气氛下退火，温度为1300℃，保温时间为13小时。本发明制备的掺铈镁铝尖晶石单晶不但透过率高于未掺杂的镁铝尖晶石晶体，而且抗X射线辐照的能力强，可作为发光基片及窗口材料广泛应用于微电子学、核技术、激光技术、红外技术、光学等领域。
0055-0011、 氟化钙生成态单晶
0197-0012、 四脚状氧化锌晶须连续生产工艺及旋转炉
0169-0013、 晶片处理炉每小时晶片处理量参数监控系统和监控方法
0198-0014、 一种非线性光学晶体铝硼酸钾钠及其制备方法和用途
0114-0015、 采用大气开放式金属有机物化学气相沉积制备一维氧化物阵列材料的方法及其装置
0016-0016、 立式上施重制造键合激光晶体的方法0159-0017、 弛豫铁电单晶铌锌酸铅-钛酸铅的两步法生长方法
0022-0018、 复合激光晶体的生长方法
0143-0019、 生长碲锰汞晶体的方法
0153-0020、 高稳定电光Q开关铌酸锂晶体及其制备方法
0121-0021、 氟离子掺杂钨酸铅闪烁晶体的制备方法
0017-0022、 降低晶体缺陷密度的方法
0129-0023、 人造发晶及其制备方法
0049-0024、 Ⅱ-Ⅵ族或Ⅲ-Ⅴ族系单结晶铁磁性化合物及其铁磁性特性的调整方法
0186-0025、 铽型 顺磁性柘榴石单晶体和光磁装置
0170-0026、 紫外波段有吸收的兰宝石晶体
0124-0027、 磁性石榴石单晶膜形成用衬底、光学元件及其制备方法
0003-0028、 平板单晶硅表面的改性方法
0166-0029、 掺钕硼酸镧锶激光晶体及其制备方法
0131-0030、 掺铈的钇铝石榴石晶体的生长方法
0185-0031、 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法
0026-0032、 监测用于半导体生长的拉晶机中气态环境的方法
0157-0033、 掺三价铈离子稀土铝酸盐晶体的制备方法
0155-0034、 硼酸铝晶须表面氮化物保护层的制造方法
0105-0035、 硅酸钆闪烁晶体的生长方法
0058-0036、 制备氮化镓单晶薄膜的方法0160-0037、 掺三价铈离子的正硅酸盐闪烁晶体的制备方法
0047-0038、 具有基本上没有氧化诱生堆垛层错的空位为主的芯的低缺陷密度硅
0093-0039、 提高铌酸钾锂晶片中锂含量的方法
0147-0040、 氧化锌棒状单晶纳米探针的制备方法
0078-0041、 掺铈铝酸钇晶体的生长方法
0142-0042、 输出2μm波段的掺铥铝酸钇激光晶体及其制备工艺
0090-0043、 经电解精炼的高纯度石英坩埚及其制造方法和拉制方法
0104-0044、 以坚固支座、碳掺杂和电阻率控制及温度梯度控制来生长半导体晶体的方法和装置
0006-0045、 晶体生长工艺中的籽晶方位的控制方法及其专用夹具
0162-0046、 掺钕硼酸二镧钡激光晶体及其制备方法和用途
0148-0047、 一种用菱镁矿石生长氧化镁晶体的方法
0123-0048、 通过对相对于沟道区域的微结构的自觉偏移提高多晶薄膜晶体管器件之间均匀性的...
0200-0049、 一种生长直拉硅单晶的重掺杂方法及掺杂装置
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0072-0051、 一种适合分子束外延制备氧化物薄膜的方法
0154-0052、 硼酸铋晶体的坩埚下降法生长工艺
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0074-0054、 复合氧化物单晶的制造方法
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0101-0056、 生长氧化锌半导体薄膜的金属有机化合物汽相沉积装置0113-0057、 一种在陶瓷衬底上沉积大晶粒多晶硅薄膜的方法
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0028-0064、 磁场炉和一种使用磁场炉制造半导体衬底的方法
0086-0065、 一种非线性光学晶体及其应用
0164-0066、 硼酸钆锶激光晶体及其制备方法
0036-0067、 大量制备β－SiC纳米晶须的方法
0110-0068、 一种SiC单晶生长压力自动控制装置
0087-0069、 分割单晶的方法和装置以及对该方法用于确定单晶取向的调节装置和试验方法
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0007-0072、 单晶，溶液中生长单晶的制造方法和应用
0009-0073、 用高生长速率制备低缺陷密度硅的方法
0002-0074、 具有磁诱导高应变和形状记忆效应的磁性单晶及制备方法
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0168-0076、 一种制取氧化锌晶须的方法0137-0077、 用于八英寸重掺*直拉硅单晶制造的上部热场
0171-0078、 二氧化硅玻璃坩埚
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0128-0080、 基片支架
0126-0081、 快速热退火的方法
0194-0082、 硼酸钙单晶的熔体提拉生长方法
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0019-0084、 球冠形异型晶体的生长方法
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0106-0088、 一种熔料补充生长晶体的装置和方法
0048-0089、 ZnTe系化合物半导体单晶的制造方法和ZnTe系化合物半导体单晶及半导体...
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0192-0091、 一种用水热法生长氧化锌单晶体的方法
0068-0092、 金属超薄膜、金属超薄膜叠层体以及金属超薄膜和金属超薄膜叠层体的制备方法
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0195-0096、 具有阻尼的晶体旋转提拉装置0073-0097、 一种激光再结晶的方法
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0015-0102、 控制重掺锑或*的硅片中氧含量的方法和装置
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0117-0111、 多晶硅的定向生长方法
0095-0112、 用于制造复杂形状结构的单晶体构件的方法
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