单晶、单晶制造、单晶提、单晶装置生产及应用技术
作者：百创科技 能源燃料来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/5
0001、 生产硅单晶的直拉区熔法
摘要、 一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下：（１）将料装入直拉炉抽真空充氩气，（２）加热化料熔接籽晶，（３）拉细颈，（４）放肩收肩，（５）等径生长，（６）收尾，（７）降温出炉，（８）对多晶棒定形加工清洗腐蚀，（９）装入区熔炉抽真空充氩气，（１０）预热化料熔接籽晶，（１１）引晶拉细颈，（１２）放肩等径生长，（１３）拉断尾部，（１４）降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量生产的硅单晶氧含量为１０，>16，>atm/cm，>3，>，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
0099-0002、 使用光发射光谱控制离子注入
摘要、 通过使离子与工件注入表面碰撞用来处理工件的注入表面的方法和装置。离子源腔室（１２、２２０）确定一个腔室内部，把形式为气体的掺杂物材料注入此腔室中。在该注入腔室的内部区域产生注入物材料的等离子体。使用光谱由等离子体的光学分析确定离子等离子体的特征。使用相同的离子等离子体提供在处理过程中使用的离子，从而硅晶片（１４）被掺杂，把它们转变成一种半导体材料。来自光谱的数据与来自离子注入的数据一起被储存起来，提供一个数据库（２８０）。在计算机（２３２、２７４）中执行的结果分析工具可以把另外的光谱数据与一个或多个注入参数关联起来。
0146-0003、 一种坩埚下降生长晶体的方法及其装置 ，p style="line-height: 150%"> 本发明涉及一种连续供料坩埚下降生长晶体的方法及装置，方法包括将部分原料放入坩埚，在温场内熔化，下降坩埚，通过预定温度使之结晶，同时从上方连续均匀地补入原料，其特征在于补入原料的掺杂离子浓度为Ｃ，>0，>与所结晶的晶体掺杂离子浓度Ｃ，>0，>相同，补入原料的量等于生长晶体的量。解决了传统坩埚下降法掺杂离子在晶体生长中分凝所导致晶体中杂质分布不均匀的问题，长出光学均匀的晶体。
0074-0004、 特殊切角的硼酸氧钙稀土盐激光倍频晶体
摘要、 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容就是相对激光波长λ1053nm或940nm确定了硼酸氧钙稀土盐[ReCoB(Re=Gd，Y、晶体激光倍频器件的最佳切割方向。例如，λ，>ω，>=１０６４ｎｍ，ＹＣＯＢ晶体倍频器件的切角为θ＝６５．９°±５°，Φ＝３６．５°±５°或θ＝６６．３°±５°，Φ＝１４３．５°±５°。本发明解决了现有技术存在的倍频转换效率低的问题。本发明具有倍频转换效率高，能耗低，充分开发ＲｅＣＯＢ晶体的特性有利于ＲｅＣＯＢ晶体的开发应用。
0083-0005、 一种制备单壁纳米碳管的方法
摘要、 一种制备单壁纳米碳管的方法，采用碳源与催化剂在气态下充分混合匀速输入反应区的方法生成单壁纳米碳管；其中碳源为低熔点的水分子碳氢化合物，碳原子数小于１０；稀释气体为氢气、氩气、氮气，碳源与稀释气体的摩尔比在０．５～５范围内；催化剂为铁、铂、镍的金属有机化合物，催化剂与碳源的摩尔比１／２０～１／１０；当催化剂为铁、钴类时，导入碳源的温度为４００～５００℃，到最终反应温度１０５０～１２５０℃，所用升温速率为２０～３０℃／ｍｉｎ，保温０．５～２小时；当催化剂为镍时，导入碳源的温度为２５０～３５０℃，到最终反应温度６００～８００℃，所用升温速率为２０～３０℃／ｍｉｎ，保温０．５～２小时。本发明可以大量生成高纯度高质量的单壁纳米碳管。
0165-0006、 激光装置和激光退火方法
摘要、 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io'满足关系０，Io'/Io，1或1，Io'/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。
0071-0007、 晶片锯割机
摘要、 一种分割有多个用分割线分开的ＩＣ块的晶片的晶片锯割机，它有一可转动及沿分割线移动的分割刀；由两个侧喷嘴，一个中央喷嘴组成的喷射装置，侧喷嘴在分割刀两侧，以一设定角度向分割刀及晶片顶面喷射冲洗液，中央喷嘴在分割刀驱动方向的前方，也以一设定角度向分割刀及晶片顶面喷射冲洗液；以及一有效地除去切割时产生的硅粒子的抽吸装置。本发明的锯割机能提高晶片分割及后续加工中的成品率。
0090-0008、 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡大单晶
摘要、 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡（β－ＢＢＯ）大单晶的要点是在用熔盐提拉法或熔盐籽晶法生长ＢＢＯ晶体时，用压缩气体通过导管连续的吹向正在生长的晶体的上表面。由于晶体表面不断受到冷却，加快了生长界面处结晶时结晶热的散发和晶体生长界面处的排杂过程，从而提高了晶体的生长速度和质量。这一新技术的应用，使ＢＢＯ晶体的生长速度提高了３～５倍，达１．５～２．５mm／天。晶体在紫外波段（２００～３４０mm）的透过率提高了１０％，达８０％以上。
0145-0009、 一种升华法晶体生长安瓶的封装方法
摘要、 本专利拟公开一种升华法晶体生长安瓶的封装方法，该方法在安瓶封装时，使用了一个一端开口另一端带有毛细小孔的附加管件。这种封装方法降低了安瓶封装时产生的沾污和材料的氧化，进而可以改善晶体生长的速率和稳定性。
0086-0010、 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
摘要、 本发明利用硅衬底上异质外延的β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体，属于晶体制备技术领域，是针对碳化硅这种难熔、难制晶体提出的一种特殊方法。这种方法把３Ｃ－ＳiＣ异质外延单晶薄层及其硅衬底作为一体化的液相外延衬底和源，利用硅衬底熔化后溶解石墨坩埚壁形成的碳饱和溶液，实现以β－ＳiＣ外延薄膜为籽晶进行的碳化硅晶体单面抛光的低温、低成本生长。由于生长过程只涉及高纯石墨和硅片，可避免升华法生长碳化硅的高度杂质补偿。
0019-0011、 单晶拉制装置
0069-0012、 氮化镓结晶的制造方法
0173-0013、 氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法
0172-0014、 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
0073-0015、 氮化镓晶体的制备方法
0109-0016、 生产多晶半导体晶锭的工艺和设备0158-0017、 氟化铝锶锂(LiSAF)原料简易合成方法
0060-0018、 高温相偏硼酸钡(α－BaB2O4
0140-0019、 *化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
0055-0020、 硅单晶的制造方法及其使用的晶种
0154-0021、 具有结构氧掺杂的硅及其生产方法和用途
0020-0022、 拉单晶装置
0122-0023、 新型四方锥配合物非线性光学材料和晶体生长
0022-0024、 采用碳纳米管制备氮化物纳米晶须的方法
0063-0025、 碲镉汞材料高温热处理方法
0040-0026、 新的单晶冰糖、味精、食盐、白砂糖等生产法
0115-0027、 制备夹杂金属的球壳笼状金属硫属化物方法
0046-0028、 人造荧光宝石的制作方法
0137-0029、 用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
0075-0030、 单晶二氧化钛纳米丝的制备方法
0117-0031、 一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法
0141-0032、 利用放热反应制备多晶硅的方法
0124-0033、 在半导体器件中生成导电通道的工艺和装置
0174-0034、 一种半螺旋选晶器
0030-0035、 减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构
0091-0036、 用于制造定向凝固铸件的方法和装置0120-0037、 钛酸钾晶须及纤维的制造方法
0127-0038、 生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
0166-0039、 去除硅单晶中重金属杂质的方法
0048-0040、 半导体圆片的热处理器
0028-0041、 防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备
0150-0042、 低缺陷密度、理想氧沉淀的硅
0157-0043、 非线性光学晶体正交晶系一水六硼酸二钙及其生长方法和用途
0077-0044、 单晶SiC及其制造方法
0102-0045、 制造双晶族磁记录介质的方法
0182-0046、 生长低缺陷密度、自填隙为主的硅的拉晶设备
0005-0047、 一种制备掺杂钒酸盐单晶的水热生长方法
0171-0048、 一种氮化镓单晶的热液生长方法
0087-0049、 氧化锌晶须连续生产工艺及装置
0065-0050、 硅进料系统
0067-0051、 非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术
0059-0052、 提拉单晶的装置及方法
0195-0053、 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
0135-0054、 单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体
0163-0055、 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置
0191-0056、 氧化物单晶的制造装置及制造方法0043-0057、 氧化物单晶及其制备方法
0156-0058、 垂直舟生长工艺用炉料及其应用
0152-0059、 单晶制造方法及单晶制造装置
0010-0060、 永磁传动Г型导槽试样操纵与籽晶施加机构
0180-0061、 用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法
0189-0062、 成型蓝宝石生长工艺
0151-0063、 低缺陷密度、自-填隙原子受控制的硅
0041-0064、 切克劳斯基法生长硅的温度和时间关系的控制方法
0162-0065、 高压烧结合成聚合物大尺寸晶体的方法
0076-0066、 具有金刚石涂层的碳化硅宝石
0062-0067、 金绿宝石族装饰宝石的生长方法及其装置
0202-0068、 热退火后的低缺陷密度单晶硅
0159-0069、 供拉晶用的装置
0029-0070、 含铈磁性石榴石单晶及其制造方法
0200-0071、 六钛酸钾晶须的制造方法
0164-0072、 晶体生长容器及晶体生长方法
0012-0073、 用多晶硅原料制备熔硅的方法
0050-0074、 控制重掺锑或*的硅片中氧含量的方法和装置
0192-0075、 稳定树枝状网膜晶体生长的方法和系统
0188-0076、 在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法、制品及设备0132-0077、 四脚状氧化锌晶须的制备方法
0131-0078、 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
0036-0079、 基于碘化铯的闪烁材料及其制备方法
0072-0080、 硫氰酸配合物型晶体材料及其制备方法和用途
0116-0081、 水平反应器用的二次边缘反射器
0026-0082、 红、蓝、紫外光发射多孔硅的水热制备法
0104-0083、 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
0023-0084、 半导体材料的制造方法及所用设备
0114-0085、 制备稀土离子掺杂LN、LT光学超晶格材料及其应用
0194-0086、 氧化锌晶须的连续生产工艺方法及其装置
0033-0087、 瞄准筒反应器喷嘴的方法和装置
0193-0088、 单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体
0183-0089、 一种用于晶体生长的加热方法及其装置
0149-0090、 坩埚及其制造方法
0021-0091、 单晶生长方法
0013-0092、 晶体生长的改进
0100-0093、 掺钕离子的钒酸钆钇激光晶体
0038-0094、 从超高纯石英材料冶炼并直接铸锭的设备及至切片制取太阳能级硅片的工艺
0082-0095、 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
0103-0096、 一种氧化锌晶须制备方法0089-0097、 新型非线性光学晶体硼酸铍氧钡
0130-0098、 控制硅单晶生长的方法与系统
0001-0099、 由多晶硅炉料制备熔硅熔料的方法
0004-0100、 一种金属材料单晶的制备技术
0088-0101、 制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
0094-0102、 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法
0126-0103、 高温氧化物晶体的退火装置
0016-0104、 化合物半导体及其可控掺杂
0144-0105、 硅酸镧镓晶片及其制备方法
0056-0106、 单晶外延沉积的方法和系统
0118-0107、 生长高温氧化物晶体的装置
0044-0108、 类金刚石薄膜形成装置和形成方法
0066-0109、 单晶生长方法
0143-0110、 掺钕类低温相硼酸镧钪自倍频激光晶体
0179-0111、 提供半导体原材料的方法和系统
0134-0112、 拉晶炉用热屏蔽
0052-0113、 生产碳化硅单晶的方法
0034-0114、 提拉单晶硅的装置
0037-0115、 固体区熔生长1-3微米碲镉汞晶体材料的方法
0031-0116、 通过化学汽相淀积生产碳化硅的方法和装置0053-0117、 硅单晶的生产方法以及实现该方法的加热装置
0198-0118、 生长晶体的方法和设备
0175-0119、 控制半导体晶体生长的开环方法和系统
0199-0120、 半导体衬底晶体材料生长真空系统及其控制系统
0110-0121、 碲镉汞分子束外延材料真空热处理方法
0011-0122、 一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法
0161-0123、 生长非常均匀的碳化硅外延层
0017-0124、 空间快速凝固地面模拟方法与实验装置
0035-0125、 与控制硅晶体生长的系统一起使用的无失真摄像机
0049-0126、 一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法
0009-0127、 炉子用的固体物料供料系统
0111-0128、 导衬的内周面上形成的硬质碳膜的剥离方法
0024-0129、 单晶提拉装置
0054-0130、 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体
0186-0131、 一种用于人工晶体约束生长的方法和装置
0170-0132、 一种采用低电场诱导控制湿化学法制备的薄膜取向的方法
0123-0133、 碳膜生长工艺
0003-0134、 碳化硅纤维生产中的尾气回收方法及装置
0169-0135、 均分散超细阴离子层状材料的新合成方法
0128-0136、 静磁波器件0185-0137、 SiC单晶的培育方法
0025-0138、 单晶提拉装置
0155-0139、 氮化镓外延层的制造方法
0153-0140、 蓝宝石晶体的脱碳去色退火方法
0105-0141、 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
0061-0142、 影响结构工艺转化的物理技术设备
0160-0143、 一种纳米碳化硅晶须的制备方法
0051-0144、 双立式热处理炉
0096-0145、 单晶SiC及其制造方法
0142-0146、 碳化硅薄膜的基座设计
0081-0147、 生长定向晶须列阵的方法和装置
0138-0148、 双掺铌酸锂晶体
0093-0149、 单晶生长方法及生长装置
0106-0150、 一种生长固溶体和包晶反应生成相单晶的“异成份浮区”方法
0006-0151、 用于改善无位错性能的表面处理过的坩埚
0168-0152、 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
0147-0153、 由C70生长钻石的方法
0119-0154、 单晶转变控制
0201-0155、 用于拉晶设备的连续氧化方法
0187-0156、 磁性石榴石单晶膜及其制法和使用该单晶膜的法拉第转子0070-0157、 超导磁铁装置
0148-0158、 缺陷密度低，空位占优势的硅
0047-0159、 一种用电场诱导铌酸锂铁电薄膜取向生长的方法及装置
0079-0160、 在液体表面生长金刚石晶体的方法
0058-0161、 自调制激光晶体Cr4+，Yb3+
0098-0162、 传送熔融物料的注入器
0108-0163、 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
0178-0164、 一种晶体生长方法
0045-0165、 氮化镓晶体的制造方法
0064-0166、 具有大表面积的单斜晶二氧化锆
0095-0167、 拉晶装置用的超导磁体装置
0125-0168、 低缺陷浓度的硅
0107-0169、 无色碳化硅晶体的生长
0015-0170、 一种高速气相生长金刚石的方法
0085-0171、 超高真空化学气相淀积外延系统
0177-0172、 利用含*盐的前体淀积原子层
0027-0173、 改进的结晶设备和方法
0112-0174、 制造多晶半导体的方法和装置
0084-0175、 加热或冷却晶片的设备
0039-0176、 用于人造石英晶体的ST切型和AT切型定向籽晶体及其制造方法0184-0177、 晶体生长设备及晶体生长方法
0002-0178、 自倍频光学超晶格LN，LT晶体生长及相关器件
0008-0179、 垂直扩散炉中的载片舟
0007-0180、 空穴导电碲镉汞外延材料热处理工艺及装置
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0018-0201、 拉单晶装置
0078-0202、 新型非线性光学晶体硼酸铝氧钡
0203-0203、 供晶体生长装置内电阻加热器用的电极装配
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摘要、 一种生产硅单晶的直拉区熔法，是由直拉炉和区熔炉完成的，步骤如下：（１）将料装入直拉炉抽真空充氩气，（２）加热化料熔接籽晶，（３）拉细颈，（４）放肩收肩，（５）等径生长，（６）收尾，（７）降温出炉，（８）对多晶棒定形加工清洗腐蚀，（９）装入区熔炉抽真空充氩气，（１０）预热化料熔接籽晶，（１１）引晶拉细颈，（１２）放肩等径生长，（１３）拉断尾部，（１４）降温停炉晶体出炉。本发明克服了直拉硅中的高氧含量生产的硅单晶氧含量为１０，>16，>atm/cm，>3，>，热稳定性好，又克服了区熔法不能掺入特殊固态元素的不足，可掺入特殊固态元素，提高了区熔炉的产能，降低了生产成本缩短了生产周期。
0099-0002、 使用光发射光谱控制离子注入
摘要、 通过使离子与工件注入表面碰撞用来处理工件的注入表面的方法和装置。离子源腔室（１２、２２０）确定一个腔室内部，把形式为气体的掺杂物材料注入此腔室中。在该注入腔室的内部区域产生注入物材料的等离子体。使用光谱由等离子体的光学分析确定离子等离子体的特征。使用相同的离子等离子体提供在处理过程中使用的离子，从而硅晶片（１４）被掺杂，把它们转变成一种半导体材料。来自光谱的数据与来自离子注入的数据一起被储存起来，提供一个数据库（２８０）。在计算机（２３２、２７４）中执行的结果分析工具可以把另外的光谱数据与一个或多个注入参数关联起来。
0146-0003、 一种坩埚下降生长晶体的方法及其装置 ，p style="line-height: 150%"> 本发明涉及一种连续供料坩埚下降生长晶体的方法及装置，方法包括将部分原料放入坩埚，在温场内熔化，下降坩埚，通过预定温度使之结晶，同时从上方连续均匀地补入原料，其特征在于补入原料的掺杂离子浓度为Ｃ，>0，>与所结晶的晶体掺杂离子浓度Ｃ，>0，>相同，补入原料的量等于生长晶体的量。解决了传统坩埚下降法掺杂离子在晶体生长中分凝所导致晶体中杂质分布不均匀的问题，长出光学均匀的晶体。
0074-0004、 特殊切角的硼酸氧钙稀土盐激光倍频晶体
摘要、 本发明属于光电子技术领域。本发明的主要内容就是相对激光波长λ1053nm或940nm确定了硼酸氧钙稀土盐[ReCoB(Re=Gd，Y、晶体激光倍频器件的最佳切割方向。例如，λ，>ω，>=１０６４ｎｍ，ＹＣＯＢ晶体倍频器件的切角为θ＝６５．９°±５°，Φ＝３６．５°±５°或θ＝６６．３°±５°，Φ＝１４３．５°±５°。本发明解决了现有技术存在的倍频转换效率低的问题。本发明具有倍频转换效率高，能耗低，充分开发ＲｅＣＯＢ晶体的特性有利于ＲｅＣＯＢ晶体的开发应用。
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摘要、 一种制备单壁纳米碳管的方法，采用碳源与催化剂在气态下充分混合匀速输入反应区的方法生成单壁纳米碳管；其中碳源为低熔点的水分子碳氢化合物，碳原子数小于１０；稀释气体为氢气、氩气、氮气，碳源与稀释气体的摩尔比在０．５～５范围内；催化剂为铁、铂、镍的金属有机化合物，催化剂与碳源的摩尔比１／２０～１／１０；当催化剂为铁、钴类时，导入碳源的温度为４００～５００℃，到最终反应温度１０５０～１２５０℃，所用升温速率为２０～３０℃／ｍｉｎ，保温０．５～２小时；当催化剂为镍时，导入碳源的温度为２５０～３５０℃，到最终反应温度６００～８００℃，所用升温速率为２０～３０℃／ｍｉｎ，保温０．５～２小时。本发明可以大量生成高纯度高质量的单壁纳米碳管。
0165-0006、 激光装置和激光退火方法
摘要、 为了使用激光束照射的方法晶化非晶半导体膜，使用了激光束照射非晶半导体膜的上表面和后表面。在此情形下，应用于上表面的激光束的有效能量强度Io与应用于后表面的激光束的有效能量强度Io'满足关系０，Io'/Io，1或1，Io'/Io。由此给出了能够提供具有大的晶粒直径的晶化半导体膜的激光晶化方法。
0071-0007、 晶片锯割机
摘要、 一种分割有多个用分割线分开的ＩＣ块的晶片的晶片锯割机，它有一可转动及沿分割线移动的分割刀；由两个侧喷嘴，一个中央喷嘴组成的喷射装置，侧喷嘴在分割刀两侧，以一设定角度向分割刀及晶片顶面喷射冲洗液，中央喷嘴在分割刀驱动方向的前方，也以一设定角度向分割刀及晶片顶面喷射冲洗液；以及一有效地除去切割时产生的硅粒子的抽吸装置。本发明的锯割机能提高晶片分割及后续加工中的成品率。
0090-0008、 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡大单晶
摘要、 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡（β－ＢＢＯ）大单晶的要点是在用熔盐提拉法或熔盐籽晶法生长ＢＢＯ晶体时，用压缩气体通过导管连续的吹向正在生长的晶体的上表面。由于晶体表面不断受到冷却，加快了生长界面处结晶时结晶热的散发和晶体生长界面处的排杂过程，从而提高了晶体的生长速度和质量。这一新技术的应用，使ＢＢＯ晶体的生长速度提高了３～５倍，达１．５～２．５mm／天。晶体在紫外波段（２００～３４０mm）的透过率提高了１０％，达８０％以上。
0145-0009、 一种升华法晶体生长安瓶的封装方法
摘要、 本专利拟公开一种升华法晶体生长安瓶的封装方法，该方法在安瓶封装时，使用了一个一端开口另一端带有毛细小孔的附加管件。这种封装方法降低了安瓶封装时产生的沾污和材料的氧化，进而可以改善晶体生长的速率和稳定性。
0086-0010、 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
摘要、 本发明利用硅衬底上异质外延的β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体，属于晶体制备技术领域，是针对碳化硅这种难熔、难制晶体提出的一种特殊方法。这种方法把３Ｃ－ＳiＣ异质外延单晶薄层及其硅衬底作为一体化的液相外延衬底和源，利用硅衬底熔化后溶解石墨坩埚壁形成的碳饱和溶液，实现以β－ＳiＣ外延薄膜为籽晶进行的碳化硅晶体单面抛光的低温、低成本生长。由于生长过程只涉及高纯石墨和硅片，可避免升华法生长碳化硅的高度杂质补偿。
0019-0011、 单晶拉制装置
0069-0012、 氮化镓结晶的制造方法
0173-0013、 氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法
0172-0014、 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
0073-0015、 氮化镓晶体的制备方法
0109-0016、 生产多晶半导体晶锭的工艺和设备0158-0017、 氟化铝锶锂(LiSAF)原料简易合成方法
0060-0018、 高温相偏硼酸钡(α－BaB2O4
0140-0019、 *化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
0055-0020、 硅单晶的制造方法及其使用的晶种
0154-0021、 具有结构氧掺杂的硅及其生产方法和用途
0020-0022、 拉单晶装置
0122-0023、 新型四方锥配合物非线性光学材料和晶体生长
0022-0024、 采用碳纳米管制备氮化物纳米晶须的方法
0063-0025、 碲镉汞材料高温热处理方法
0040-0026、 新的单晶冰糖、味精、食盐、白砂糖等生产法
0115-0027、 制备夹杂金属的球壳笼状金属硫属化物方法
0046-0028、 人造荧光宝石的制作方法
0137-0029、 用多晶硅炉料制备硅熔体的方法
0075-0030、 单晶二氧化钛纳米丝的制备方法
0117-0031、 一种制备纳米级碳化硅晶须/纤维的方法
0141-0032、 利用放热反应制备多晶硅的方法
0124-0033、 在半导体器件中生成导电通道的工艺和装置
0174-0034、 一种半螺旋选晶器
0030-0035、 减少碳化硅外延生长中微管缺陷形成的方法和所得到的碳化硅结构
0091-0036、 用于制造定向凝固铸件的方法和装置0120-0037、 钛酸钾晶须及纤维的制造方法
0127-0038、 生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
0166-0039、 去除硅单晶中重金属杂质的方法
0048-0040、 半导体圆片的热处理器
0028-0041、 防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备
0150-0042、 低缺陷密度、理想氧沉淀的硅
0157-0043、 非线性光学晶体正交晶系一水六硼酸二钙及其生长方法和用途
0077-0044、 单晶SiC及其制造方法
0102-0045、 制造双晶族磁记录介质的方法
0182-0046、 生长低缺陷密度、自填隙为主的硅的拉晶设备
0005-0047、 一种制备掺杂钒酸盐单晶的水热生长方法
0171-0048、 一种氮化镓单晶的热液生长方法
0087-0049、 氧化锌晶须连续生产工艺及装置
0065-0050、 硅进料系统
0067-0051、 非真空下降法生长掺铊碘化铯晶体的工艺技术
0059-0052、 提拉单晶的装置及方法
0195-0053、 掺钕硼酸钆钙晶体的坩埚下降法生长技术
0135-0054、 单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体
0163-0055、 具有熔体掺杂功能的晶体生长装置
0191-0056、 氧化物单晶的制造装置及制造方法0043-0057、 氧化物单晶及其制备方法
0156-0058、 垂直舟生长工艺用炉料及其应用
0152-0059、 单晶制造方法及单晶制造装置
0010-0060、 永磁传动Г型导槽试样操纵与籽晶施加机构
0180-0061、 用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法
0189-0062、 成型蓝宝石生长工艺
0151-0063、 低缺陷密度、自-填隙原子受控制的硅
0041-0064、 切克劳斯基法生长硅的温度和时间关系的控制方法
0162-0065、 高压烧结合成聚合物大尺寸晶体的方法
0076-0066、 具有金刚石涂层的碳化硅宝石
0062-0067、 金绿宝石族装饰宝石的生长方法及其装置
0202-0068、 热退火后的低缺陷密度单晶硅
0159-0069、 供拉晶用的装置
0029-0070、 含铈磁性石榴石单晶及其制造方法
0200-0071、 六钛酸钾晶须的制造方法
0164-0072、 晶体生长容器及晶体生长方法
0012-0073、 用多晶硅原料制备熔硅的方法
0050-0074、 控制重掺锑或*的硅片中氧含量的方法和装置
0192-0075、 稳定树枝状网膜晶体生长的方法和系统
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0131-0078、 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
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0116-0081、 水平反应器用的二次边缘反射器
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0194-0086、 氧化锌晶须的连续生产工艺方法及其装置
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0021-0091、 单晶生长方法
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0100-0093、 掺钕离子的钒酸钆钇激光晶体
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0052-0113、 生产碳化硅单晶的方法
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