氧化镓生产加工工艺配方
作者：百创科技 能源燃料来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/5
(373500030001)溶解法自氧化铝生产中回收镓
(简介)一种从氧化铝生产中回收镓的方法，其特点是将二次沉淀物直接溶解于*溶液中便可取得富镓溶液，再经分解、电解或镓铝合金置换，此法与已有技术相比，不产生铝酸钙渣，用水量少，对杂质钒的去除效果好，镓回收率高。
(373500230002)制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
(简介)本发明提供一种制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺。采取开管系统，先将洁净的n型硅片置入高温炉的恒温区，在氧气氛中进行高温氧化，热氧化结束后向管道内通入氮气除氧，待残余氧排净后，再在氢气氛下进行镓预沉积，然后在氮气氛保护下进行镓再分布。本发明的氧化，镓预沉积和镓再分布的全工艺过程，是在同一台高温炉中经一次高温连续完成。本氧化与扩镓一步运行工艺具有节省设备投资，简化工艺流程，降低生产成本，提高生产效率和明显改善器件性能等优点。
(373500180003)氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
(简介)本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为gan横向外延过生长的掩膜。在hvpe制备gan膜的过程中，先在gan模板上沉积一层金属al薄层，然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧化铝，再放入hvpe系统中生长gan层。多孔阳极氧化铝由于其孔径小(10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微区掩膜。由于气相外延的选择性，hvpe生长gan时将选择生长在下层的gan上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的gan膜。通过gan的微区横向外延，降低了生长的gan的位错密度，提高了gan层的质量。简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于批量生产时采用。
(373500150004)一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法
(简介)本发明提出一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法，具体地说，是采用共沸蒸馏沉淀微波合成技术合成制备正极材料。本发明将la(no3
(373500260005)从氧化铝生产流程中提取金属镓的方法
(简介)本发明涉及一种从氧化铝生产流程中提取金属镓的方法，利用isep离子分离技术进行，采用吸附镓螯合树脂进行吸附，工艺条件控制如下：(1)吸附：拜尔法种分母液经过两级串联逆流吸附，吸附前后镓浓度差为50～60毫克/升；(2)洗涤：用0.5～1n的*水溶液逆流洗涤树脂；(3)解吸：用2～3n的*和0.6～1.0n的*的水溶液串联逆流解吸；(4)再生：用0.5～1n的*水溶液对树脂进行逆流再生。采用isep技术生产金属镓，具有流程短、操作简便、树脂磨损小、自动化程度高、工艺易实施等特点，与现在被广泛采用的移动床技术相比，具有明显的优势，效益显著。
(373500210006)作为发红光的电致发光材料的铕掺杂的镓-铟氧化物
(简介)用作电致发光材料的基于镓-铟氧化物的新氧化物发光材料。使用ga2-x-y ，.：(373500280007)氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法
(简介)提供了氧化镓单晶复合体及其制造方法，以及氮化物半导体膜的制造方法，例如在结晶生长氮化物半导体时，可以减少六方晶系结晶的混入而得到相对于六方晶系结晶主导性生长立方晶结晶的高品质立方晶系结晶，特别是可以用作立方晶gan外延生长的合适的衬底。氧化镓单晶复合体在氧化镓单晶的表面具有由立方晶氮化镓形成的氮化镓层；氧化镓单晶复合体的制造方法是：通过在氧化镓单晶表面进行使用ecr等离子体或rf等离子体的氮化处理，在上述氧化镓单晶表面形成由立方晶氮化镓形成的氮化镓层；另外，氮化物半导体膜的制造方法是：在上述氧化镓单晶复合体表面上通过rf-mbe法生长氮化物半导体膜。
(373500170008)一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法
(简介)一种镓掺杂的氧化物透明导电薄膜材料的制备方法，属于光电子信息功能材料技术领域。在zno薄膜中进行镓掺杂，用偏压射频磁控溅射技术在真空条件下，在有机聚合物薄膜衬底上室温制备出具有多晶结构的zno∶ga透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分为氧化锌和三氧化二镓，工艺条件为：氩气分压0.5-5pa，溅射功率50-200w，溅射偏压0～-100v。制得薄膜的载流子浓度为1.2×1021
(373500130009)iii族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、基于氧化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源
(简介)
(373500010010)一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
(简介)
(373500380011)一种*化镓基半导体-氧化物绝缘衬底
(373500100012)氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
(373500140013)氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的☞☏15542181913
(373500060014)粉末或烧结形式的lamo3型化合物，其中m为铝、镓或铟，其制备方法及其作为氧导体的应用
(373500050015)具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
(373500220016)掺有金属氧化物的氧化镓气体感应膜及其制备方法
(373500330017)一种生产金属镓联产氧化铝的方法
(373500270018)在平板玻璃上沉积氧化镓涂层的方法
(373500300019)从氧化铝生产流程中提取镓的离子交换法
(373500310020)一种铟镓共掺的低阻p型二氧化锡薄膜材料及其制造方法
(373500080021)往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
(373500340022)含镓氧化锌
(373500070023)锌和/或镓促进的多金属氧化物催化剂
(373500200024)纳米氧化铈的制备方法及其在*化镓晶片化学机械抛光中的用途
(373500320025)*化镓/氧化铝型可调谐滤波器及☞☏15542181913
(373500250026)往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
(373500190027)在β三氧化二镓衬底上生长ingan/gan量子阱led器件结构的方法
(373500020028)一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓的方法
(373500290029)提高氧化铝/*化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
(373500040030)从氧化铝生产过程的循环母液中萃取镓的工艺
(373500120031)高纯氧化镓的制备方法
(373500240032)掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法
(373500360033)一种从高废铝渣粉煤灰中提取二氧化硅、氧化铝及氧化镓的方法
(373500350034)一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法
(373500160035)一种*化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其制备方法
(373500110036)在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
(373500370037)陶瓷靶，由氧化锌、镓和硼构成的薄膜以及该薄膜的制备方法
(373500090038)氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
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(简介)一种从氧化铝生产中回收镓的方法，其特点是将二次沉淀物直接溶解于*溶液中便可取得富镓溶液，再经分解、电解或镓铝合金置换，此法与已有技术相比，不产生铝酸钙渣，用水量少，对杂质钒的去除效果好，镓回收率高。
(373500230002)制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺
(简介)本发明提供一种制造半导体器件的氧化与扩镓一步运行工艺。采取开管系统，先将洁净的n型硅片置入高温炉的恒温区，在氧气氛中进行高温氧化，热氧化结束后向管道内通入氮气除氧，待残余氧排净后，再在氢气氛下进行镓预沉积，然后在氮气氛保护下进行镓再分布。本发明的氧化，镓预沉积和镓再分布的全工艺过程，是在同一台高温炉中经一次高温连续完成。本氧化与扩镓一步运行工艺具有节省设备投资，简化工艺流程，降低生产成本，提高生产效率和明显改善器件性能等优点。
(373500180003)氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
(简介)本发明涉及一种氢化物气相外延氮化镓材料中采用多孔阳极氧化铝作为掩膜及其制备方法，其特征在于采用多孔阳极氧化铝作为gan横向外延过生长的掩膜。在hvpe制备gan膜的过程中，先在gan模板上沉积一层金属al薄层，然后经电化学的方法阳极氧化后形成均匀的多孔网状阳极氧化铝，再放入hvpe系统中生长gan层。多孔阳极氧化铝由于其孔径小(10nm～200nm)、陡直且分布均匀，可作为一种微区掩膜。由于气相外延的选择性，hvpe生长gan时将选择生长在下层的gan上，然后经过横向外延生长过程连接成完整的gan膜。通过gan的微区横向外延，降低了生长的gan的位错密度，提高了gan层的质量。简化了光刻制作掩膜的工艺，适合于批量生产时采用。
(373500150004)一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法
(简介)本发明提出一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法，具体地说，是采用共沸蒸馏沉淀微波合成技术合成制备正极材料。本发明将la(no3
(373500260005)从氧化铝生产流程中提取金属镓的方法
(简介)本发明涉及一种从氧化铝生产流程中提取金属镓的方法，利用isep离子分离技术进行，采用吸附镓螯合树脂进行吸附，工艺条件控制如下：(1)吸附：拜尔法种分母液经过两级串联逆流吸附，吸附前后镓浓度差为50～60毫克/升；(2)洗涤：用0.5～1n的*水溶液逆流洗涤树脂；(3)解吸：用2～3n的*和0.6～1.0n的*的水溶液串联逆流解吸；(4)再生：用0.5～1n的*水溶液对树脂进行逆流再生。采用isep技术生产金属镓，具有流程短、操作简便、树脂磨损小、自动化程度高、工艺易实施等特点，与现在被广泛采用的移动床技术相比，具有明显的优势，效益显著。
(373500210006)作为发红光的电致发光材料的铕掺杂的镓-铟氧化物
(简介)用作电致发光材料的基于镓-铟氧化物的新氧化物发光材料。使用ga2-x-y ，.：(373500280007)氧化镓单晶复合体及其制造方法和使用氧化镓单晶复合体的氮化物半导体膜的制造方法
(简介)提供了氧化镓单晶复合体及其制造方法，以及氮化物半导体膜的制造方法，例如在结晶生长氮化物半导体时，可以减少六方晶系结晶的混入而得到相对于六方晶系结晶主导性生长立方晶结晶的高品质立方晶系结晶，特别是可以用作立方晶gan外延生长的合适的衬底。氧化镓单晶复合体在氧化镓单晶的表面具有由立方晶氮化镓形成的氮化镓层；氧化镓单晶复合体的制造方法是：通过在氧化镓单晶表面进行使用ecr等离子体或rf等离子体的氮化处理，在上述氧化镓单晶表面形成由立方晶氮化镓形成的氮化镓层；另外，氮化物半导体膜的制造方法是：在上述氧化镓单晶复合体表面上通过rf-mbe法生长氮化物半导体膜。
(373500170008)一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法
(简介)一种镓掺杂的氧化物透明导电薄膜材料的制备方法，属于光电子信息功能材料技术领域。在zno薄膜中进行镓掺杂，用偏压射频磁控溅射技术在真空条件下，在有机聚合物薄膜衬底上室温制备出具有多晶结构的zno∶ga透明导电膜，溅射用陶瓷靶组分为氧化锌和三氧化二镓，工艺条件为：氩气分压0.5-5pa，溅射功率50-200w，溅射偏压0～-100v。制得薄膜的载流子浓度为1.2×1021
(373500130009)iii族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、基于氧化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源
(简介)
(373500010010)一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
(简介)
(373500380011)一种*化镓基半导体-氧化物绝缘衬底
(373500100012)氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
(373500140013)氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的☞☏15542181913
(373500060014)粉末或烧结形式的lamo3型化合物，其中m为铝、镓或铟，其制备方法及其作为氧导体的应用
(373500050015)具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
(373500220016)掺有金属氧化物的氧化镓气体感应膜及其制备方法
(373500330017)一种生产金属镓联产氧化铝的方法
(373500270018)在平板玻璃上沉积氧化镓涂层的方法
(373500300019)从氧化铝生产流程中提取镓的离子交换法
(373500310020)一种铟镓共掺的低阻p型二氧化锡薄膜材料及其制造方法
(373500080021)往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
(373500340022)含镓氧化锌
(373500070023)锌和/或镓促进的多金属氧化物催化剂
(373500200024)纳米氧化铈的制备方法及其在*化镓晶片化学机械抛光中的用途
(373500320025)*化镓/氧化铝型可调谐滤波器及☞☏15542181913
(373500250026)往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
(373500190027)在β三氧化二镓衬底上生长ingan/gan量子阱led器件结构的方法
(373500020028)一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓的方法
(373500290029)提高氧化铝/*化镓分布布拉格反射镜界面质量的方法
(373500040030)从氧化铝生产过程的循环母液中萃取镓的工艺
(373500120031)高纯氧化镓的制备方法
(373500240032)掺稀土元素氧化镓荧光衬底材料及其制备方法
(373500360033)一种从高废铝渣粉煤灰中提取二氧化硅、氧化铝及氧化镓的方法
(373500350034)一种可调制带隙宽度的镓铟氧化物薄膜及其制备方法
(373500160035)一种*化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其制备方法
(373500110036)在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
(373500370037)陶瓷靶，由氧化锌、镓和硼构成的薄膜以及该薄膜的制备方法
(373500090038)氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
☞☏15542181913 ，氧化镓生产加工工艺配方 制作工艺，氧化镓生产加工工艺配方
配方比例， 氧化镓生产加工工艺配方 百创提供，氧化镓生产加工工艺配方
购买以上《氧化镓生产加工工艺配方》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
