介电层工艺生产工艺及应用
(CD34710-0138-0001)具有氮化硅-氧化硅介电层的非挥发性记忆元件
(CD34710-0014-0002)内金属介电层的制作方法
(CD34710-0027-0003)介电层平坦化的方法
(CD34710-0036-0004)具有柔性的介电层的等离子体寻址装置
(CD34710-0008-0005)形成开口于一高分子型介电层中的方法及其结构
(CD34710-0092-0006)具有高介电常数穿隧介电层只读存储器的结构与制造方法
(CD34710-0142-0007)前金属介电层的有限热预算形成
(CD34710-0116-0008)在图案化的介电层之上电镀铜以增强后续CMP过程的过程均匀性的方法
(CD34710-0063-0009)介电层形成组合物、生片、有介电层的基板及其制造方法
(CD34710-0004-0010)增加低介电层涂布能力的方法
(CD34710-0011-0011)制备无孔洞的金属间介电层的方法
(CD34710-0078-0012)氧化铬及氧化铝合成介电层及其制造方法
(CD34710-0002-0013)制作基极介电层的方法
(CD34710-0016-0014)具有五氧化二钽介电层的电容器制造方法
(CD34710-0060-0015)制作金属互连线及其金属间介电层的方法
(CD34710-0049-0016)用于降低氮化物消耗的聚集体介电层
(CD34710-0158-0017)用于制作具有高k栅介电层和金属栅电极的半导体器件的方法
(CD34710-0037-0018)具有介电层的微电子引线结构
(CD34710-0115-0019)形成介电层的装置及制造等离子体显示面板的方法
(CD34710-0162-0020)线路嵌合于介电层的无芯板薄型基板及其制造方法
(CD34710-0038-0021)形成平坦内金属介电层的方法
(CD34710-0064-0022)形成超低介电层用模板衍生物及其形成超低介电层的方法
(CD34710-0102-0023)预估具高介电栅极介电层的金绝半场效晶体管寿命的方法
(CD34710-0029-0024)阻挡氢离子渗透的金属层间介电层的制造方法
(CD34710-0088-0025)具有多层介电层于反射电极与液晶层之间的液晶显示装置与其制造方法
(CD34710-0026-0026)介电层平坦化的方法
(CD34710-0096-0027)介电层的沉积方法
(CD34710-0148-0028)栅介电层及半导体元件的制造方法
(CD34710-0071-0029)具有至少3层高-K介电层的模拟电容器和制造它的方法
(CD34710-0147-0030)介电层的制造方法
(CD34710-0157-0031)介电层以及形成此介电层之组合物及方法
(CD34710-0012-0032)用于处理全氟化合物的介电层放电装置及模组
(CD34710-0172-0033)介电层与薄膜晶体管
(CD34710-0167-0034)在介电层中蚀刻开口的方法
(CD34710-0079-0035)形成介电层之间黏着力的方法与结构
(CD34710-0033-0036)多重金属层内连线结构及测试金属层间介电层强度的方法
(CD34710-0153-0037)高介电常数介电层的形成方法、半导体装置及其制造方法
(CD34710-0169-0038)由铝硅酸盐前体形成的低k值介电层
(CD34710-0067-0039)具有在退火的高-k栅介电层上形成的金属栅电极的半导体器件
(CD34710-0098-0040)防止深渠沟的顶部尺寸扩大的领型介电层制程
(CD34710-0171-0041)制造具有介电层表面处理的电子器件的方法
(CD34710-0043-0042)形成具有降低的金属杂质的介电层的方法
(CD34710-0144-0043)不具核心介电层的芯片封装体及其堆叠型芯片封装结构
(CD34710-0066-0044)双层多孔性介电层和半导体介电层内连线结构的制造方法
(CD34710-0090-0045)双闸极介电层及其制造方法
(CD34710-0017-0046)含碳介电层的制造方法
(CD34710-0003-0047)具有闸极堆叠介电层的半导体内存组件的制作方法
(CD34710-0143-0048)不具核心介电层的芯片封装体制程
(CD34710-0082-0049)介电层电容器的制造方法
(CD34710-0145-0050)形成焊接掩模的方法及其装置和形成电路构图的内部介电层的方法
(CD34710-0048-0051)一种层间介电层平坦化的方法
(CD34710-0095-0052)一种闸极介电层与改善其电性的方法及金氧半电晶体
(CD34710-0114-0053)在半导体装置中形成介电层的方法
(CD34710-0156-0054)低介电常数介电层的形成方法
(CD34710-0160-0055)使用超薄金属氧化物栅极介电层的有机薄膜晶体管及其制造方法
(CD34710-0178-0056)低温聚硅TFT用的多层高质量栅介电层
(CD34710-0028-0057)在具有金属图案的半导体基底形成堆叠式介电层的方法
(CD34710-0024-0058)栅极介电层的制造方法
(CD34710-0035-0059)集成电路中介电层的制造方法
(CD34710-0120-0060)形成栅介电层的方法
(CD34710-0151-0061)改善介电层过程形成的集成电路的击穿电压的方法和装置
(CD34710-0032-0062)具有高介电常数的复晶硅栅间介电层的结构及其形成方法
(CD34710-0069-0063)镶嵌式金属内连线的制造方法及介电层的修复程序
(CD34710-0149-0064)在平滑衬底上形成高-K介电层
(CD34710-0010-0065)避免低介电常数介电层劣化的方法
(CD34710-0046-0066)介电层的制造方法
(CD34710-0023-0067)形成介电层的方法
(CD34710-0150-0068)蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺
(CD34710-0170-0069)用于大基板的低-K介电层
(CD34710-0159-0070)用来化学机械抛光层间介电层的组合物和方法
(CD34710-0015-0071)以软性含氮等离子体来形成超薄栅介电层的方法
(CD34710-0146-0072)低介电材料与多孔隙低介电层的回复方法
(CD34710-0074-0073)用于电致发光显示器的低焙烧温度的厚膜介电层
(CD34710-0177-0074)栅介电层的制造方法
(CD34710-0013-0075)内金属介电层的整合制造方法
(CD34710-0054-0076)介电层的制造方法
(CD34710-0034-0077)以单一晶片制程制作一闸极介电层的方法
(CD34710-0110-0078)形成ONO型记忆胞与高低压晶体管的闸介电层的方法
(CD34710-0042-0079)高-ε-介电层或铁电层的制造方法
(CD34710-0062-0080)形成快闪存储器件的介电层的方法
(CD34710-0124-0081)半导体元件的多层内介电层及其制造方法
(CD34710-0125-0082)包括芯材和至少一层介电层的颜料的制备方法
(CD34710-0134-0083)在衬底上形成高介电常数的介电层的方法
(CD34710-0140-0084)栅介电层的制造方法
(CD34710-0053-0085)一种内金属介电层结构及其形成方法
(CD34710-0068-0086)具有高介电常数介电层的栅极结构及其制作方法
(CD34710-0136-0087)含无机粉末的树脂组合物、成膜材料层、转印片、介电层形成基板的制造方法、介电层形成基板、以及等离子显示板
(CD34710-0047-0088)等离子体显示屏或PALC显示屏和用于制造包括介电层的所述显示屏的方法
(CD34710-0081-0089)半导体组件内层介电层与半导体组件及其制造方法
(CD34710-0044-0090)等离子体显示装置及具有集中电场区域的介电层的制作方法
(CD34710-0084-0091)电容介电层结构及其制造方法
(CD34710-0155-0092)等离子体平面显示面板中介电层的形成方法
(CD34710-0161-0093)介电层构成材料的制造方法及由该制造方法获得的介电层构成材料、用介电层构成材料制造电容器电路形成部件的方法及由该制造方法获得的电容器电路形成部件、以及用该介电层构成材料或 /及电容器电路形成部件获得的多层印刷电路板
(CD34710-0089-0094)介电层回蚀刻方法
(CD34710-0021-0095)含涂布增强剂的旋布介电层组合物
(CD34710-0112-0096)制造内层多晶硅介电层的方法
(CD34710-0040-0097)金属层间介电层及其制造方法
(CD34710-0122-0098)耐磨耗介电层的制作方法
(CD34710-0070-0099)介电层的改质方法、改质后的介电层与其在镶嵌式金属制程的应用
(CD34710-0091-0100)包含介电层的电子器件的制备方法
(CD34710-0166-0101)介电层形成组合物和生片以及其上形成介电层的基底及其制备方法
(CD34710-0129-0102)栅极介电层及其形成方法
(CD34710-0061-0103)用于等离子氮化栅极介电层的氮化后二阶段退火的方法
(CD34710-0168-0104)具有被覆盖以介电层的电极的等离子体显示面板
(CD34710-0087-0105)定义氧化硅/氮化硅/氧化硅介电层的方法
(CD34710-0099-0106)用于非易失性存储器的氧-氮-氧介电层制造方法
(CD34710-0057-0107)氧化物介电层的形成方法及具有采用该形成方法得到的氧化物介电层的电容器层形成材料
(CD34710-0058-0108)形成介电层组合物、生片、基片、及应用
(CD34710-0132-0109)制造掺杂氮的介电层的方法
(CD34710-0031-0110)形成低介电常数介电层的方法及导电内连线结构
(CD34710-0005-0111)去除高密度等离子体介电层缺陷的方法
(CD34710-0175-0112)作为薄膜晶体管的介电层或平面化层的低温溶胶-凝胶硅酸盐
(CD34710-0180-0113)具有高介电常数介电层的栅极结构
(CD34710-0126-0114)形成高密度电浆化学气相沉积的前金属介电层的方法
(CD34710-0045-0115)平坦的金属层间介电层或内层介电层的制造方法
(CD34710-0097-0116)在金属间介电层构成图形的方法
(CD34710-0179-0117)利用低介电层填充金属线间空隙的半导体器件的制造方法
(CD34710-0001-0118)介电层的蚀刻制程
(CD34710-0174-0119)制造具有高K栅极介电层和金属栅电极的半导体器件的方法
(CD34710-0119-0120)使用调幅射频能量的栅极介电层的等离子体氮化方法和设备
(CD34710-0133-0121)介电层结构和具有所述结构的等离子体显示面板
(CD34710-0030-0122)定义低介电常数介电层的方法
(CD34710-0083-0123)具有高介电常数栅极介电层的半导体组件及其制造方法
(CD34710-0018-0124)改善双嵌入式层间金属介电层表面平坦度的方法
(CD34710-0173-0125)具有光提取介电层的有机双面发光二极管
(CD34710-0108-0126)介电层、其形成方法与具有此介电层的集成电路
(CD34710-0130-0127)沟槽式栅介电层的形成方法
(CD34710-0022-0128)超薄氮化硅/氧化硅栅极介电层的制造方法
(CD34710-0007-0129)将盖层设置于内金属介电层上的内连线结构及其制作方法
(CD34710-0128-0130)涂有介电层的基材及其制造方法和制造装置
(CD34710-0076-0131)制造介电层的方法与系统
(CD34710-0100-0132)树脂组合物及含此组合物的背胶超薄铜箔介电层材料
(CD34710-0020-0133)具有受吸气层保护的氢退化介电层的集成电容器件
(CD34710-0041-0134)避免掺杂介电层内发生掺杂扩散的接触窗回火的方法
(CD34710-0086-0135)介电层的制造方法
(CD34710-0077-0136)具有氧化铪与氧化铝合成介电层的电容器及其制造方法
(CD34710-0080-0137)利用热处理制造薄介电层的方法及半导体器件
(CD34710-0165-0138)电容介电层及其形成方法与电容器
(CD34710-0055-0139)于低介电系数介电层上形成孔洞的方法
(CD34710-0104-0140)栅极介电层以及应用该栅极介电层的晶体管与半导体装置
(CD34710-0025-0141)介电层的制造方法
(CD34710-0164-0142)用于形成薄的完整高介电常数介电层的方法
(CD34710-0139-0143)有着一ONO上介电层的非易失性存储器半导体元件
(CD34710-0093-0144)介电层厚度的测量方法及其装置
(CD34710-0127-0145)化学机械抛光层间介电层的组合物和方法
(CD34710-0107-0146)形成电容器的方法及形成电容器介电层的方法
(CD34710-0117-0147)包括电阻层、微沟槽和介电层的高性能静电吸盘
(CD34710-0141-0148)形成半导体存储器的电荷捕捉介电层的方法
(CD34710-0019-0149)多晶硅间介电层的制造方法
(CD34710-0137-0150)避免介电层沟填孔洞露出的方法及介电膜的工艺与结构
(CD34710-0009-0151)在去光阻制程中避免低介电常数介电层劣化的方法
(CD34710-0121-0152)芯片型低介电常数介电层和平面电感元件的制作方法
(CD34710-0006-0153)在半导体晶圆去除圆周边缘的介电层的方法
(CD34710-0111-0154)具有介电层的箔型开关元件
(CD34710-0052-0155)伴随介电层形成阻挡层的半导体制造方法
(CD34710-0059-0156)电路板结构及其介电层结构
(CD34710-0105-0157)在闪存装置的栅极间形成介电层的方法
(CD34710-0075-0158)具有多介电层的等离子体显示板
(CD34710-0163-0159)介电层中嵌入导电元件的方法和工艺
(CD34710-0094-0160)多重闸极介电层的结构及其制造方法
(CD34710-0113-0161)处理低介电常数介电层的方法
(CD34710-0051-0162)利用离子植入在介电层形成开口的方法
(CD34710-0131-0163)用于在基材上制备多功能介电层的方法
(CD34710-0056-0164)干式洁净介电层开口蚀刻反应室的方法
(CD34710-0152-0165)形成等离子显示面板中的介电层的方法
(CD34710-0039-0166)层间介电层平坦化制造方法
(CD34710-0123-0167)制作双层栅极介电层的方法
(CD34710-0065-0168)介电层成型组合物、坯片、基板基板和等离子显示板制造方法
(CD34710-0072-0169)用多官能碳硅烷制造介电层的方法
(CD34710-0050-0170)一种金属层间介电层的制造方法
(CD34710-0109-0171)具有图案化介电层的液晶显示装置
(CD34710-0135-0172)使用氯制造集成电路内的沟渠介电层
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(CD34710-0106-0176)半导体内连线结构与避免其覆盖层和介电层间脱层的方法
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(CD34710-0085-0180)介电层的自行平坦化方法
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(CD34710-0096-0027)介电层的沉积方法
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