单晶生产加工工艺技术
1-BG253961 单晶镍超合金件的修复
2-BG253961 磷化铟单晶片的抛光工艺
3-BG253961 一种卟啉单晶的合成方法
4-BG253961 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
5-BG253961 单晶生长方法及单晶生长装置
6-BG253961 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
7-BG253961 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶
8-BG253961 单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
9-BG253961 直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
10-BG253961 单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法
11-BG253961 一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
12-BG253961 一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器
13-BG253961 单晶制造方法
14-BG253961 单晶陶瓷粉末的制备方法、单晶陶瓷粉末及其复合材料、电子部件
15-BG253961 一种低温烧结氧化铝定向单晶空心叶片陶瓷型芯
16-BG253961 直拉硅单晶炉热屏方法及热屏蔽器
17-BG253961 一种拉制单晶时加快多晶原料熔化法及底部发热体装置
18-BG253961 熔盐法制备铌酸锶钡柱状单晶颗粒
19-BG253961 一种微量掺锗直拉硅单晶
20-BG253961 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
21-BG253961 一种生长硅单晶的方法
22-BG253961 氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法
23-BG253961 使用单晶片的风扇控制系统
24-BG253961 单晶银纳米线的合成方法
25-BG253961 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
26-BG253961 单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备
27-BG253961 单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片
28-BG253961 硼磷酸钡单晶的熔盐生长方法
29-BG253961 退火单晶片的制造方法及退火单晶片
30-BG253961 单晶相催化剂
31-BG253961 非单晶薄膜、带非单晶薄膜的衬底、其制造方法及其制造装置、以及其检查方法及其检查装置、以及利用该非单晶薄膜的薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列及图像显示装置
32-BG253961 一种单晶高温合金定向凝固过程温度场数据自动采集方法
33-BG253961 制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法
34-BG253961 化学计量比铌酸锂单晶的制备方法
35-BG253961 硬磁性柘榴石材料、其单晶体膜的制造方法、法拉第旋转子、其制造方法和用途
36-BG253961 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
37-BG253961 金属线材单晶化方法与设备
38-BG253961 绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法
39-BG253961 制造高掺杂硅单晶的方法
40-BG253961 磁性石榴石材料、法拉第转子、光器件、铋置换稀土类铁榴石单晶膜及制法、坩埚
41-BG253961 厚的单晶金刚石层制备方法和由该层生产的宝石
42-BG253961 通过CVD制备的单晶金刚石
43-BG253961 GaN单晶基底、氮化物类半导体外延生长基底、氮化物类半导体器件及其生产方法
44-BG253961 分离单晶硅埚底料中石英的工艺
45-BG253961 单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的☞☏15542181913
46-BG253961 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
47-BG253961 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法
48-BG253961 制备磷酸稀土单晶纳米线的方法
49-BG253961 含单晶氧化物导体的叠层体、激励器和喷墨头及制造方法
50-BG253961 畴控制压电单晶元件及其制造方法
51-BG253961 超粗粒单晶碳化钨和其制备方法以及由此制备的硬质金属
52-BG253961 窄粒度范围单晶微小金刚石颗粒及其制备方法
53-BG253961 制备钨酸盐单晶的方法
54-BG253961 直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
55-BG253961 MgB2单晶体和其制造方法以及含有MgB2单晶体的超导材料
56-BG253961 氮化铝块状单晶的制造方法
57-BG253961 一种废次菱镁矿石生产高纯氧化镁单晶体的方法
58-BG253961 生长单晶的方法
59-BG253961 改善无位错单晶的成品率的方法
60-BG253961 拉单晶方法及其实现装置
61-BG253961 由包含α氧化铝单晶片的陶瓷制成多孔元件的制备方法
62-BG253961 硅单晶颈部内消除位错的方法
63-BG253961 用于控制硅单晶生长的系统和方法
64-BG253961 一种金属材料单晶的制备技术
65-BG253961 一种制备掺杂钒酸盐单晶的水热生长方法
66-BG253961 新的单晶冰糖生产法
67-BG253961 不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
68-BG253961 一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法
69-BG253961 抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置
70-BG253961 拉单晶装置
71-BG253961 单晶拉制装置
72-BG253961 拉单晶装置
73-BG253961 单晶生长方法
74-BG253961 单晶提拉装置
75-BG253961 单晶提拉装置
76-BG253961 防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备
77-BG253961 含铈磁性石榴石单晶及其制造方法
78-BG253961 直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛
79-BG253961 制备单晶硅片表面完整层的新途径
80-BG253961 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
81-BG253961 ＫＴＰ单晶的熔盐生长方法
82-BG253961 浮力提拉单晶炉
83-BG253961 的重掺锑硅单晶的制造方法
84-BG253961 钨酸锌单晶体的热处理去色工艺
85-BG253961 单晶生长装置(设备)
86-BG253961 大直径铌酸锂单晶生产设备及工艺
87-BG253961 单晶生长装置
88-BG253961 具有单晶体部分的燃烧透平叶片的制造方法
89-BG253961 二氧化碲单晶体的生长技术
90-BG253961 半导体器件的高氧含量硅单晶基片及其制法
91-BG253961 在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法
92-BG253961 绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长
93-BG253961 锗酸铋_(ＢＧＯ)_单晶的表面抛光技术
94-BG253961 制造半导体单晶装置
95-BG253961 减少各向异性的单晶制品
96-BG253961 混合镧系镁铝酸盐及应用这些铝酸盐单晶的激光器
97-BG253961 直拉硅单晶的气相掺氮方法
98-BG253961 镧系镁混合镓酸盐和使用该镓酸盐单晶的激光器
99-BG253961 定型单晶的生长方法
100-BG253961 成型单晶体生长设备
101-BG253961 混合镧—镁铝酸盐及用这种铝酸盐单晶制成的激光器
102-BG253961 一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法
103-BG253961 掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其☞☏15542181913
104-BG253961 检验铌酸锂或钽酸锂单晶质量的方法
105-BG253961 单晶超耐热合金件的应力消除方法
106-BG253961 一种中低阻直拉硅单晶的制备方法
107-BG253961 用三硼酸锂单晶体制造的非线性光学器件
108-BG253961 钽酸锂单晶晶轴极性快速确定法
109-BG253961 钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺
110-BG253961 利用改进的矿化剂生长KTP单晶的方法及其产品
111-BG253961 麦饭石、药物、果味及彩色系列单晶冰糖的制备方法
112-BG253961 用于表面波装置的同组分铌酸锂单晶及其制造方法
113-BG253961 应用掺钕铝酸镁镧单晶的激光器
114-BG253961 制备硅单晶的方法和设备
115-BG253961 改性热释电单晶体的合成方法
116-BG253961 单晶硅的制造方法和设备
117-BG253961 掺铟铋钙钒石榴石单晶光隔离器
118-BG253961 单晶氧化铝颗粒的制造方法
119-BG253961 控制直拉硅单晶中氮含量的方法
120-BG253961 三硼酸锂大单晶的生长及其用途
121-BG253961 制造硅单晶的方法和设备
122-BG253961 四硼酸锂（ＬＢＯ）单晶的坩埚下降法生长
123-BG253961 制取硅单晶的设备
124-BG253961 熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
125-BG253961 用四硼酸铝钇钕单晶体制造的激光器件
126-BG253961 制造硅单晶的设备
127-BG253961 一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
128-BG253961 单晶硅生产装置
129-BG253961 用四硼酸铝钇钕单晶体制造的激光器件
130-BG253961 制造单晶硅的设备
131-BG253961 碳化硅单晶纤维及其制法
132-BG253961 均质掺镁铌酸锂单晶及其制备方法
133-BG253961 一种晶形完整的大尺寸电单晶体的制备方法
134-BG253961 高灵敏度热释电单晶体的合成方法
135-BG253961 硅单晶制造装置
136-BG253961 制造硅单晶设备
137-BG253961 掺铒掺镁铌酸锂单晶的制备
138-BG253961 具有很高热导率的单晶金刚石
139-BG253961 单晶硅直径测定法及其设备
140-BG253961 单晶硅直径控制法及其设备
141-BG253961 单晶硅生产设备
142-BG253961 单晶硅生产设备
143-BG253961 单晶硅生产设备
144-BG253961 制造单晶硅的装置
145-BG253961 制造硅单晶的设备
146-BG253961 同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法
147-BG253961 偏硼酸钡(β-BBO)单晶的恒液面提拉法生长
148-BG253961 碘酸钾单晶的单畴化方法
149-BG253961 钇和__系的混合硅酸盐以及应用这些硅酸盐单晶的激光器
150-BG253961 用磁悬浮冷坩埚提拉稀土——铁单晶的方法
151-BG253961 碘化汞单晶体的制备方法
152-BG253961 一种单晶碳化硅短纤维的制备方法
153-BG253961 低温制备刚玉单晶磨料的方法
154-BG253961 镍基超级合金及其单晶工业燃气轮机热级元件
155-BG253961 硅单晶薄片制造晶体管的方法
156-BG253961 制备半导体单晶用的双层坩埚
157-BG253961 单晶光纤损耗测量仪
158-BG253961 金红石单晶及其生长工艺
159-BG253961 钽酸锂单晶的无金极化工艺
160-BG253961 可控双球面锗单晶生长方法及模具
161-BG253961 果汁夹心单晶冰糖
162-BG253961 钛酸钡单晶的制造方法
163-BG253961 硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
164-BG253961 三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件
165-BG253961 优质金刚石单晶的生长技术
166-BG253961 掺铬钨酸锌单晶的退火工艺
167-BG253961 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
168-BG253961 含氮直拉硅单晶的热处理方法
169-BG253961 三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件
170-BG253961 单晶片旋律及语音合成器
171-BG253961 改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
172-BG253961 电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法
173-BG253961 锰/锌基单晶铁氧体组合物
174-BG253961 生长多个单晶体的方法和设备
175-BG253961 金刚石单晶薄膜的制造方法
176-BG253961 金刚石单晶镀超硬薄膜技术
177-BG253961 将掺杂的多晶材料转化成单晶材料
178-BG253961 单晶刚玉的生产方法
179-BG253961 气体放电灯的单晶体管镇流器
180-BG253961 硫氰酸汞盐单晶的生长方法
181-BG253961 用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置
182-BG253961 用于高速电导调制功率器件的隧道结键合单晶衬底
183-BG253961 磷酸氧钛钾单晶膜钾离子选择性电极
184-BG253961 金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法
185-BG253961 钨酸铅(PbWO4)闪烁大单晶的坩埚下降法生长
186-BG253961 制备单晶的装置和方法
187-BG253961 单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法
188-BG253961 单晶硅锭及其制造方法
189-BG253961 一种金属材料单晶的制备技术
190-BG253961 高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管
191-BG253961 提拉单晶硅的装置
192-BG253961 新的单晶冰糖、味精、食盐、白砂糖等生产法
193-BG253961 从包晶熔体获取单晶的方法
194-BG253961 氧化物单晶及其制备方法
195-BG253961 间隔温差法合成0.5～1mm金刚石单晶的组装方法
196-BG253961 一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法
197-BG253961 可自动选用内、外振荡电阻的单晶片振荡产生器
198-BG253961 直拉生长单晶硅期间实时监测和控制氧的一氧化硅探针
199-BG253961 生产碳化硅单晶的方法
200-BG253961 硅单晶的生产方法以及实现该方法的加热装置
201-BG253961 硅单晶的制造方法及其使用的晶种
202-BG253961 单晶外延沉积的方法和系统
203-BG253961 提拉单晶的装置及方法
204-BG253961 定向凝固的或单晶的部件的钎焊方法
205-BG253961 单晶生长方法
206-BG253961 锰锌基铁氧体单晶材料和高频磁头
207-BG253961 钨酸铅单晶
208-BG253961 氮化镓单晶衬底及其制造方法
209-BG253961 单晶二氧化钛纳米丝的制备方法
210-BG253961 单晶SiC及其制造方法
211-BG253961 双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法
212-BG253961 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
213-BG253961 制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
214-BG253961 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡大单晶
215-BG253961 单晶生长方法及生长装置
216-BG253961 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法
217-BG253961 单晶SiC及其制造方法
218-BG253961 单晶SiC及其制造方法
219-BG253961 内建快闪存储器的单晶片微控制器
220-BG253961 立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结的制备方法
221-BG253961 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
222-BG253961 具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
223-BG253961 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
224-BG253961 一种生长固溶体和包晶反应生成相单晶的“异成份浮区”方法
225-BG253961 单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其☞☏15542181913
226-BG253961 彩色夹心单晶冰糖的生产工艺及其产品
227-BG253961 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
228-BG253961 单晶硅片抗机械力的提高
229-BG253961 一种Ni，1单晶的制备方法
230-BG253961 一种新的单晶冰糖、白砂糖的生产法
231-BG253961 单晶转变控制
232-BG253961 非破坏性定量检测*化镓单晶化学配比的方法
233-BG253961 生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
234-BG253961 生产硅单晶的直拉区熔法
235-BG253961 控制硅单晶生长的方法与系统
236-BG253961 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
237-BG253961 单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体
238-BG253961 直径2英寸非掺111，磷化镓单晶片抛光工艺
239-BG253961 形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法
240-BG253961 *化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
241-BG253961 GaN单晶衬底及其制造方法
242-BG253961 单晶制造方法及单晶制造装置
243-BG253961 由多块单晶铸造高温合金叶片段制成的涡轮叶片
244-BG253961 制造磁性石榴石单晶膜和具有不均匀厚度的磁性石榴石单晶膜的方法
245-BG253961 磁性石榴石单晶和使用该单晶的法拉第转子
246-BG253961 GaN单晶衬底及其制造方法
247-BG253961 生产薄膜单晶器件的方法、太阳能电池组件和其生产方法
248-BG253961 去除硅单晶中重金属杂质的方法
249-BG253961 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
250-BG253961 一种氮化镓单晶的热液生长方法
251-BG253961 氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法
252-BG253961 单晶膜的晶体离子切割
253-BG253961 用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法
254-BG253961 SiC单晶的培育方法
255-BG253961 磁性石榴石单晶膜及其制法，和使用该单晶膜的法拉第转子
256-BG253961 在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法、制品及设备
257-BG253961 单晶的培养方法
258-BG253961 氧化物单晶的制造装置及制造方法
259-BG253961 单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体
260-BG253961 单晶与熔液固液界面形状和单晶点缺陷分布的模拟方法
261-BG253961 热退火后的低缺陷密度单晶硅
262-BG253961 具有单晶部件和金属部件的微型机电装置，以及相关制造方法
263-BG253961 从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
264-BG253961 从硫化锌直接制备氧化锌单晶体长纤维的方法
265-BG253961 单晶铁氧体细粉
266-BG253961 单晶GaN基体的制造方法和单晶GaN基体
267-BG253961 高质量单晶制造中堆积和熔化多晶硅的方法
268-BG253961 直拉硅单晶生长的重掺杂方法
269-BG253961 氮化铝、碳化硅及氮化铝∶碳化硅合金块状单晶的制备方法
270-BG253961 标定单晶硅晶圆晶向的方法
271-BG253961 一种硼化钇单晶的生长方法
272-BG253961 一种利用帕尔贴效应实现单晶生长控制的方法
273-BG253961 半导体薄膜及其生产方法和设备、及生产单晶薄膜的方法
274-BG253961 高质量单晶的制成方法及其装置
275-BG253961 YB2单晶的用途
276-BG253961 生长单晶坯料的装置
277-BG253961 金单晶纳米岛阵列薄膜电极的制备方法
278-BG253961 应用供应链单晶体/复晶体/界限的价量不减的供应链电脑管理系统
279-BG253961 单晶制造装置及单晶制造方法
280-BG253961 用金属镁作触媒合成黄色立方氮化硼单晶的方法
281-BG253961 从熔体中生长氮化铝大直径单晶
282-BG253961 用于位错密度测定的钒酸盐及掺杂单晶的浸蚀方法
283-BG253961 硅片及硅单晶的制造方法
284-BG253961 采用离子注入法切割单晶膜
285-BG253961 块状碳化硅单晶生长的制备方法
286-BG253961 稀土化合物单晶颗粒的有机胶态分散体
287-BG253961 制备具有均匀热过程的单晶硅的方法
288-BG253961 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
289-BG253961 一种合成不同晶型二氧化锰一维单晶纳米线的方法
290-BG253961 钴镍单晶磁控形状记忆合金
291-BG253961 单晶硅片衬底的磁控溅射铁膜合成二硫化铁的制备方法
292-BG253961 一种合成三氧化钼单晶纳米带的方法
293-BG253961 氮化镓单晶膜的制造方法
294-BG253961 铌锌酸铅钛酸铅固溶体单晶的熔体法生长
295-BG253961 垂直气相提拉生长硒化镉单晶体的方法与设备
296-BG253961 低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
297-BG253961 处理单晶半导体晶片的方法和局部处理的半导体晶片
298-BG253961 单晶硅高效复合切割方法及其切割系统
299-BG253961 配合物钯丙二酸邻菲洛啉单晶的制备方法及其结构
300-BG253961 具有缺陷减少区域的单晶半导体晶片及其制造方法
☞☏15542181913 单晶生产加工工艺技术 制作工艺单晶生产加工工艺技术
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2-BG253961 磷化铟单晶片的抛光工艺
3-BG253961 一种卟啉单晶的合成方法
4-BG253961 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
5-BG253961 单晶生长方法及单晶生长装置
6-BG253961 单晶硅晶片及单晶硅的制造方法
7-BG253961 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅－钛酸铅单晶
8-BG253961 单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
9-BG253961 直拉硅单晶炉热场的气流控制方法及装置
10-BG253961 单晶体管型磁随机存取存储器及其操作和制造方法
11-BG253961 一种用于直拉硅单晶制备中的掺杂方法及其装置
12-BG253961 一种提高直拉硅单晶棒中氧含量的方法及增氧器
13-BG253961 单晶制造方法
14-BG253961 单晶陶瓷粉末的制备方法、单晶陶瓷粉末及其复合材料、电子部件
15-BG253961 一种低温烧结氧化铝定向单晶空心叶片陶瓷型芯
16-BG253961 直拉硅单晶炉热屏方法及热屏蔽器
17-BG253961 一种拉制单晶时加快多晶原料熔化法及底部发热体装置
18-BG253961 熔盐法制备铌酸锶钡柱状单晶颗粒
19-BG253961 一种微量掺锗直拉硅单晶
20-BG253961 多晶硅融化掺氮生长微氮硅单晶的方法
21-BG253961 一种生长硅单晶的方法
22-BG253961 氮气氛生长氮浓度可控微氮硅单晶的方法
23-BG253961 使用单晶片的风扇控制系统
24-BG253961 单晶银纳米线的合成方法
25-BG253961 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
26-BG253961 单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备
27-BG253961 单晶片的制造方法及研磨装置以及单晶片
28-BG253961 硼磷酸钡单晶的熔盐生长方法
29-BG253961 退火单晶片的制造方法及退火单晶片
30-BG253961 单晶相催化剂
31-BG253961 非单晶薄膜、带非单晶薄膜的衬底、其制造方法及其制造装置、以及其检查方法及其检查装置、以及利用该非单晶薄膜的薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列及图像显示装置
32-BG253961 一种单晶高温合金定向凝固过程温度场数据自动采集方法
33-BG253961 制造硅单晶所用的晶种及制造硅单晶的方法
34-BG253961 化学计量比铌酸锂单晶的制备方法
35-BG253961 硬磁性柘榴石材料、其单晶体膜的制造方法、法拉第旋转子、其制造方法和用途
36-BG253961 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
37-BG253961 金属线材单晶化方法与设备
38-BG253961 绝缘层上覆硅单晶芯片结构及其制造方法
39-BG253961 制造高掺杂硅单晶的方法
40-BG253961 磁性石榴石材料、法拉第转子、光器件、铋置换稀土类铁榴石单晶膜及制法、坩埚
41-BG253961 厚的单晶金刚石层制备方法和由该层生产的宝石
42-BG253961 通过CVD制备的单晶金刚石
43-BG253961 GaN单晶基底、氮化物类半导体外延生长基底、氮化物类半导体器件及其生产方法
44-BG253961 分离单晶硅埚底料中石英的工艺
45-BG253961 单晶硅衬底上可动微机械结构单片集成的☞☏15542181913
46-BG253961 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法
47-BG253961 气相预掺杂和中子辐照掺杂组合的区熔硅单晶的生产方法
48-BG253961 制备磷酸稀土单晶纳米线的方法
49-BG253961 含单晶氧化物导体的叠层体、激励器和喷墨头及制造方法
50-BG253961 畴控制压电单晶元件及其制造方法
51-BG253961 超粗粒单晶碳化钨和其制备方法以及由此制备的硬质金属
52-BG253961 窄粒度范围单晶微小金刚石颗粒及其制备方法
53-BG253961 制备钨酸盐单晶的方法
54-BG253961 直径300mm及300mm以上的单晶硅晶片及其制造方法
55-BG253961 MgB2单晶体和其制造方法以及含有MgB2单晶体的超导材料
56-BG253961 氮化铝块状单晶的制造方法
57-BG253961 一种废次菱镁矿石生产高纯氧化镁单晶体的方法
58-BG253961 生长单晶的方法
59-BG253961 改善无位错单晶的成品率的方法
60-BG253961 拉单晶方法及其实现装置
61-BG253961 由包含α氧化铝单晶片的陶瓷制成多孔元件的制备方法
62-BG253961 硅单晶颈部内消除位错的方法
63-BG253961 用于控制硅单晶生长的系统和方法
64-BG253961 一种金属材料单晶的制备技术
65-BG253961 一种制备掺杂钒酸盐单晶的水热生长方法
66-BG253961 新的单晶冰糖生产法
67-BG253961 不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
68-BG253961 一种大截面磷酸二氢钾单晶体快速生长法
69-BG253961 抑制长的大直径单晶硅生长条纹的直拉生长装置
70-BG253961 拉单晶装置
71-BG253961 单晶拉制装置
72-BG253961 拉单晶装置
73-BG253961 单晶生长方法
74-BG253961 单晶提拉装置
75-BG253961 单晶提拉装置
76-BG253961 防止单晶拉制设备中加热器电极熔化下坠的设备
77-BG253961 含铈磁性石榴石单晶及其制造方法
78-BG253961 直拉(切氏法)硅单晶的氮保护气氛
79-BG253961 制备单晶硅片表面完整层的新途径
80-BG253961 非线性磁场中单晶硅拉制方法及其装置
81-BG253961 ＫＴＰ单晶的熔盐生长方法
82-BG253961 浮力提拉单晶炉
83-BG253961 的重掺锑硅单晶的制造方法
84-BG253961 钨酸锌单晶体的热处理去色工艺
85-BG253961 单晶生长装置(设备)
86-BG253961 大直径铌酸锂单晶生产设备及工艺
87-BG253961 单晶生长装置
88-BG253961 具有单晶体部分的燃烧透平叶片的制造方法
89-BG253961 二氧化碲单晶体的生长技术
90-BG253961 半导体器件的高氧含量硅单晶基片及其制法
91-BG253961 在沟槽电容器结构上具有一单晶晶体管的动态存贮器器件及其制造方法
92-BG253961 绝缘衬底上混合源双面硅单晶生长
93-BG253961 锗酸铋_(ＢＧＯ)_单晶的表面抛光技术
94-BG253961 制造半导体单晶装置
95-BG253961 减少各向异性的单晶制品
96-BG253961 混合镧系镁铝酸盐及应用这些铝酸盐单晶的激光器
97-BG253961 直拉硅单晶的气相掺氮方法
98-BG253961 镧系镁混合镓酸盐和使用该镓酸盐单晶的激光器
99-BG253961 定型单晶的生长方法
100-BG253961 成型单晶体生长设备
101-BG253961 混合镧—镁铝酸盐及用这种铝酸盐单晶制成的激光器
102-BG253961 一种微氮低氧化碳直拉硅单晶的制备方法
103-BG253961 掺金、掺铂单晶硅互换热敏电阻及其☞☏15542181913
104-BG253961 检验铌酸锂或钽酸锂单晶质量的方法
105-BG253961 单晶超耐热合金件的应力消除方法
106-BG253961 一种中低阻直拉硅单晶的制备方法
107-BG253961 用三硼酸锂单晶体制造的非线性光学器件
108-BG253961 钽酸锂单晶晶轴极性快速确定法
109-BG253961 钨酸锌单晶体的掺锗去色工艺
110-BG253961 利用改进的矿化剂生长KTP单晶的方法及其产品
111-BG253961 麦饭石、药物、果味及彩色系列单晶冰糖的制备方法
112-BG253961 用于表面波装置的同组分铌酸锂单晶及其制造方法
113-BG253961 应用掺钕铝酸镁镧单晶的激光器
114-BG253961 制备硅单晶的方法和设备
115-BG253961 改性热释电单晶体的合成方法
116-BG253961 单晶硅的制造方法和设备
117-BG253961 掺铟铋钙钒石榴石单晶光隔离器
118-BG253961 单晶氧化铝颗粒的制造方法
119-BG253961 控制直拉硅单晶中氮含量的方法
120-BG253961 三硼酸锂大单晶的生长及其用途
121-BG253961 制造硅单晶的方法和设备
122-BG253961 四硼酸锂（ＬＢＯ）单晶的坩埚下降法生长
123-BG253961 制取硅单晶的设备
124-BG253961 熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
125-BG253961 用四硼酸铝钇钕单晶体制造的激光器件
126-BG253961 制造硅单晶的设备
127-BG253961 一种单晶硅压力传感器制造方法及其结构
128-BG253961 单晶硅生产装置
129-BG253961 用四硼酸铝钇钕单晶体制造的激光器件
130-BG253961 制造单晶硅的设备
131-BG253961 碳化硅单晶纤维及其制法
132-BG253961 均质掺镁铌酸锂单晶及其制备方法
133-BG253961 一种晶形完整的大尺寸电单晶体的制备方法
134-BG253961 高灵敏度热释电单晶体的合成方法
135-BG253961 硅单晶制造装置
136-BG253961 制造硅单晶设备
137-BG253961 掺铒掺镁铌酸锂单晶的制备
138-BG253961 具有很高热导率的单晶金刚石
139-BG253961 单晶硅直径测定法及其设备
140-BG253961 单晶硅直径控制法及其设备
141-BG253961 单晶硅生产设备
142-BG253961 单晶硅生产设备
143-BG253961 单晶硅生产设备
144-BG253961 制造单晶硅的装置
145-BG253961 制造硅单晶的设备
146-BG253961 同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法
147-BG253961 偏硼酸钡(β-BBO)单晶的恒液面提拉法生长
148-BG253961 碘酸钾单晶的单畴化方法
149-BG253961 钇和__系的混合硅酸盐以及应用这些硅酸盐单晶的激光器
150-BG253961 用磁悬浮冷坩埚提拉稀土——铁单晶的方法
151-BG253961 碘化汞单晶体的制备方法
152-BG253961 一种单晶碳化硅短纤维的制备方法
153-BG253961 低温制备刚玉单晶磨料的方法
154-BG253961 镍基超级合金及其单晶工业燃气轮机热级元件
155-BG253961 硅单晶薄片制造晶体管的方法
156-BG253961 制备半导体单晶用的双层坩埚
157-BG253961 单晶光纤损耗测量仪
158-BG253961 金红石单晶及其生长工艺
159-BG253961 钽酸锂单晶的无金极化工艺
160-BG253961 可控双球面锗单晶生长方法及模具
161-BG253961 果汁夹心单晶冰糖
162-BG253961 钛酸钡单晶的制造方法
163-BG253961 硅酸铋(BSO)单晶的坩埚下降法生长
164-BG253961 三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件
165-BG253961 优质金刚石单晶的生长技术
166-BG253961 掺铬钨酸锌单晶的退火工艺
167-BG253961 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
168-BG253961 含氮直拉硅单晶的热处理方法
169-BG253961 三硼酸铯单晶生长方法及用其制作的非线性光学器件
170-BG253961 单晶片旋律及语音合成器
171-BG253961 改进的熔盐籽晶法生长低温相偏硼酸钡单晶
172-BG253961 电磁场中浮区熔化单晶体(或定向凝固)材料制备方法
173-BG253961 锰/锌基单晶铁氧体组合物
174-BG253961 生长多个单晶体的方法和设备
175-BG253961 金刚石单晶薄膜的制造方法
176-BG253961 金刚石单晶镀超硬薄膜技术
177-BG253961 将掺杂的多晶材料转化成单晶材料
178-BG253961 单晶刚玉的生产方法
179-BG253961 气体放电灯的单晶体管镇流器
180-BG253961 硫氰酸汞盐单晶的生长方法
181-BG253961 用液相外延法制造氧化物单晶膜的装置
182-BG253961 用于高速电导调制功率器件的隧道结键合单晶衬底
183-BG253961 磷酸氧钛钾单晶膜钾离子选择性电极
184-BG253961 金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法
185-BG253961 钨酸铅(PbWO4)闪烁大单晶的坩埚下降法生长
186-BG253961 制备单晶的装置和方法
187-BG253961 单晶硅上大面积(100)取向的金刚石膜的生长方法
188-BG253961 单晶硅锭及其制造方法
189-BG253961 一种金属材料单晶的制备技术
190-BG253961 高亮度、高分辨率单晶彩色投影显示管
191-BG253961 提拉单晶硅的装置
192-BG253961 新的单晶冰糖、味精、食盐、白砂糖等生产法
193-BG253961 从包晶熔体获取单晶的方法
194-BG253961 氧化物单晶及其制备方法
195-BG253961 间隔温差法合成0.5～1mm金刚石单晶的组装方法
196-BG253961 一种钕钡铜氧超导单晶体的制备方法
197-BG253961 可自动选用内、外振荡电阻的单晶片振荡产生器
198-BG253961 直拉生长单晶硅期间实时监测和控制氧的一氧化硅探针
199-BG253961 生产碳化硅单晶的方法
200-BG253961 硅单晶的生产方法以及实现该方法的加热装置
201-BG253961 硅单晶的制造方法及其使用的晶种
202-BG253961 单晶外延沉积的方法和系统
203-BG253961 提拉单晶的装置及方法
204-BG253961 定向凝固的或单晶的部件的钎焊方法
205-BG253961 单晶生长方法
206-BG253961 锰锌基铁氧体单晶材料和高频磁头
207-BG253961 钨酸铅单晶
208-BG253961 氮化镓单晶衬底及其制造方法
209-BG253961 单晶二氧化钛纳米丝的制备方法
210-BG253961 单晶SiC及其制造方法
211-BG253961 双电极单晶硅电容加速度传感器及其制造方法
212-BG253961 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
213-BG253961 制造碳化硅单晶的方法和用于制造碳化硅单晶的装置
214-BG253961 气冷晶体法生长低温相偏硼酸钡大单晶
215-BG253961 单晶生长方法及生长装置
216-BG253961 弛豫铁电单晶铌镁酸铅的制备方法
217-BG253961 单晶SiC及其制造方法
218-BG253961 单晶SiC及其制造方法
219-BG253961 内建快闪存储器的单晶片微控制器
220-BG253961 立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结的制备方法
221-BG253961 通过控制拉速分布制造单晶硅锭和晶片的方法及其产品
222-BG253961 具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
223-BG253961 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
224-BG253961 一种生长固溶体和包晶反应生成相单晶的“异成份浮区”方法
225-BG253961 单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其☞☏15542181913
226-BG253961 彩色夹心单晶冰糖的生产工艺及其产品
227-BG253961 低浓度钙杂质的石墨支撑容器及其在制造单晶硅中的应用
228-BG253961 单晶硅片抗机械力的提高
229-BG253961 一种Ni，1单晶的制备方法
230-BG253961 一种新的单晶冰糖、白砂糖的生产法
231-BG253961 单晶转变控制
232-BG253961 非破坏性定量检测*化镓单晶化学配比的方法
233-BG253961 生长富空位单晶硅的热屏蔽组件和方法
234-BG253961 生产硅单晶的直拉区熔法
235-BG253961 控制硅单晶生长的方法与系统
236-BG253961 用于单晶硅生长的非Dash缩颈法
237-BG253961 单晶制造装置、单晶制造方法及单晶体
238-BG253961 直径2英寸非掺111，磷化镓单晶片抛光工艺
239-BG253961 形成单晶硅层的方法和制造半导体器件的方法
240-BG253961 *化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
241-BG253961 GaN单晶衬底及其制造方法
242-BG253961 单晶制造方法及单晶制造装置
243-BG253961 由多块单晶铸造高温合金叶片段制成的涡轮叶片
244-BG253961 制造磁性石榴石单晶膜和具有不均匀厚度的磁性石榴石单晶膜的方法
245-BG253961 磁性石榴石单晶和使用该单晶的法拉第转子
246-BG253961 GaN单晶衬底及其制造方法
247-BG253961 生产薄膜单晶器件的方法、太阳能电池组件和其生产方法
248-BG253961 去除硅单晶中重金属杂质的方法
249-BG253961 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
250-BG253961 一种氮化镓单晶的热液生长方法
251-BG253961 氮化钆单晶体结晶成长法、氮化钆单晶体基板及其制造方法
252-BG253961 单晶膜的晶体离子切割
253-BG253961 用于制造至少一种SiC单晶体的装置和方法
254-BG253961 SiC单晶的培育方法
255-BG253961 磁性石榴石单晶膜及其制法，和使用该单晶膜的法拉第转子
256-BG253961 在单晶基板上形成第三族氮化物外延层方法、制品及设备
257-BG253961 单晶的培养方法
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259-BG253961 单晶体缺陷的去除方法及用该方法去除缺陷的单晶体
260-BG253961 单晶与熔液固液界面形状和单晶点缺陷分布的模拟方法
261-BG253961 热退火后的低缺陷密度单晶硅
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270-BG253961 标定单晶硅晶圆晶向的方法
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