1-BG255571 强电介质存储器装置及其驱动方法
2-BG255571 强电介质半导体存储器
3-BG255571 电子器件用基板、电子器件、强电介质存储器、电子器械、喷墨式打印头和喷墨式打印机
4-BG255571 强电介质存储器件
5-BG255571 强电介质存储器件的数据读出方法及强电介质存储器件
6-BG255571 氧化物电介质元件的制造方法、采用该元件的存储器及半导体装置
7-BG255571 强电介质存储器
8-BG255571 用于半导体存储器的多厚度电介质
9-BG255571 具有电介质击穿可编程性的只读存储器阵列
10-BG255571 使用高K电介质中的空穴捕集的存储器
11-BG255571 强电介质膜和其制造方法、强电介质电容器、强电介质存储器
12-BG255571 强电介质材料、其膜、电容器及它们的制法、强电介质存储器
13-BG255571 强电介质存储器装置及电子设备
14-BG255571 交差点型强电介质存储器
15-BG255571 强电介质存储器装置以及电子设备
16-BG255571 具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法
17-BG255571 强电介质存储器、半导体装置、强电介质存储器的制造方法以及半导体装置的制造方法
18-BG255571 具有高介电常数顶部电介质的电介质存储器存储单元及其方法
19-BG255571 电介质膜及其形成方法、半导体器件、非易失性半导体存储器件及半导体器件的制造方法
20-BG255571 强电介质存储器的加速试验方法
21-BG255571 电极膜及其制造方法和强电介质存储器及半导体装置
22-BG255571 强电介质电容器及其制造方法、强电介质存储器及压电元件
23-BG255571 强电介质层及其制法、强电介质电容器及强电介质存储器
24-BG255571 强电介质膜、电容器及它们的制造方法及强电介质存储器
25-BG255571 强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法
26-BG255571 强电介质膜的形成方法、强电介质存储器、强电介质存储器的制造方法、半导体装置及半导体装置制造方法
27-BG255571 强电介质膜层叠体、强电介质存储器、压电元件
28-BG255571 MFS型场效应晶体管及其制造方法、强电介质存储器及半导体装置
29-BG255571 强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件、强电介质膜的制造方法、和强电介质电容器的制造方法
30-BG255571 电介质存储器及其制造方法
31-BG255571 强电介质膜、强电介质电容器、强电介质存储器、压电元件、半导体元件
32-BG255571 用于使用，l2O3电介质的存储器单元的隔离结构
33-BG255571 使用具有非均匀厚度的电介质的存储器单元
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