氮化半导体生产加工工艺技术及制造大全
1、 氮化物半导体生长工艺
2、 用于形成第Ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件
3、 氮化物半导体激光元件
4、 等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜
5、 氮化镓半导体激光器
6、 氮化物半导体光发射装置及其制造方法
7、 制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件
8、 制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件
9、 含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造检测设备的陶瓷基材
10、 氮化物基化合物半导体发光元件及其制造方法
11、 以氮化物为基础的半导体发光器件及其制造方法
12、 生产Ⅲ族氮化物半导体装置的方法
13、 氮化物半导体发光器件
14、 氮化物半导体器件及其制造方法
15、 氮化物半导体的制造方法及半导体器件的制造方法
16、 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件
17 01809479 Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法
18 03113770 Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
19 01810990 Ⅲ族氮化合物半导体器件
20、 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
21、 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法
22、 刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法
23、 氮化物半导体基板及制法和使用该基板的氮化物半导体装置
24、 III族氮化物半导体发光器件
25、 氮化物半导体元件
26、 GaN单晶基底、氮化物类半导体外延生长基底、氮化物类半导体器件及其生产方法
27、 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
28、 氮化物系半导体发光元件及其制造方法
29、 以氮化镓为基底的半导体发光装置
30、 第Ⅲ族元素氮化物半导体元件的生产方法
31、 基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法
32、 氮化物系半导体元件及其制造方法
33、 第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法
34、 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层，并由此制造氮化镓半导体结构的方法
35、 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
36、 氮化物半导体激光器
37、 氮化物半导体器件及其制造方法
38、 高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件
39、 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
40、 氮化物半导体器件
41、 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
42、 氮化物半导体发光器件
43、 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
44、 氮化镓序列的复合半导体发光器件
45、 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
46、 氮化镓基化合物半导体器件及其☎15542181913
47、 氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件
48、 氮化物半导体光发射器件及其制造方法
49、 立方晶体氮化物半导体器件及其制造方法
50、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
51、 氮化物半导体的生长方法、半导体器件及其制造方法
52、 氮化物半导体元器件
53 00102851 Ⅲ族类氮化物半导体器件及其制造方法
54、 基于Ⅲ－氮化物半导体超晶格的单极发光器件
55、 金属间介质半导体制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅盖层
56、 氮化物半导体元器件
57 00120164 Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的生长方法及气相生长装置
58、 第三族氮化物半导体器件和其生产方法
59、 氮化物半导体元件
60、 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
61、 氮化物半导体器件制造方法
62、 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
63、 氮化镓化合物半导体制造方法
64、 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
65、 具有结晶碱土金属硅氮化物氧化物与硅界面的半导体结构
66、 一种氮化物半导体器件
67、 氮化物半导体激光器
68、 氮化半导体器件及其制造方法
69、 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
70、 氮化物半导体器件
71、 具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构及其制备方法
72、 III－V氮化物半导体激光器件
73、 利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构
74、 氮化物半导体元件
75 00132679 Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法
76、 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
77、 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器
78、 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
79、 含碳的氮化铝烧结体，用于半导体制造检测设备的基材
80、 氮化物半导体器件
81、 氮化物半导体激光器件及其制造方法
82、 第III族氮化物半导体激光器及其制造方法
83 02108126 Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺
84、 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法
85、 一种Ⅲ族氮化物半导体材料及其生长方法
86、 氮化物半导体发光元件及其制造方法
87、 具有氮化层和氧化层的半导体器件的制造方法
88、 制造Ⅲ族氮化物半导体元件的方法
89、 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
90、 氮化物半导体基板及其制造方法
91、 制造p-型Ⅲ族氮化物半导体的方法和制造其电极的方法
92、 氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法
93 200680007935 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置及电极形成方法
94、 氮化物半导体发光器件及其制造方法
95、 氮化物基半导体装置的制造方法
96、 氮化物半导体发光装置及其制造方法
97、 氮化物半导体元件的制造方法
98、 使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法
99、 氮化物半导体器件及其制造方法
100、 第3-5族氮化物半导体多层衬底，用于制备第3-5族氮化物半导体自立衬底的方法和半导体元件
101、 氮化物半导体发光元件
102、 氮化物半导体发光器件
103、 氮化物半导体发光器件的制造方法
104、 氮化物半导体发光器件
105、 氮化物半导体元件
106、 氮化物系半导体元件及其制造方法
107、 等离子体氮化处理方法、半导体装置的制造方法和等离子体处理装置
108、 基于平面结构的Ⅲ族氮化物半导体发光二极管及其制备方法
109、 氮化物类半导体元件及其制造方法
110、 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
111、 氮化物半导体发光元件
112、 一种氮化镓基半导体光电器件的☎15542181913
113、 氮化物半导体衬底及其制造方法
114、 氮化物半导体LED及其制造方法
115、 高速大功率氮化物半导体器件及其制造方法
116、 氮化镓基化合物半导体发光器件
117 200810001918 Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺
118 200710188302 Ⅲ族氮化物功率半导体器件
119、 氮化物半导体发光装置
120、 氮化镓基化合物半导体发光器件
121、 第13族金属氮化物结晶的制造方法、半导体器件的制造方法和这些制造方法中使用的溶液和熔融液
122、 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
123 200710196096 Ⅲ族氮化物半导体衬底
124、 半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法
125、 氮化物半导体元件及其制法
126、 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
127、 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
128、 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
129、 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
130、 GaN基底和其制备方法、氮化物半导体器件和其制备方法
131、 氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
132、 氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法
133、 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法
134、 利用检测闸门氧化硅层中氮化物含量的半导体元件制成方法
135、 氮化物半导体发光器件及其制造方法
136、 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法
137、 制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法
138、 氮化物半导体激光元件及其制造方法
139 200410057049 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法
140、 基板检查方法及装置、氮化物半导体元件制造方法及装置
141、 氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法
142、 氮化物半导体发光器件及其制造方法
143、 硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法
144 200410086095 Ⅲ族元素氮化物结晶半导体器件
145、 半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底
146、 处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法
147、 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法
148、 氮化物半导体发光二极管芯片及其制造方法
149、 氮化镓基半导体器件及其制造方法
150、 I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
151、 氮化物半导体激光元件及其制造方法
152、 在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法
153 200410102100 Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法
154、 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
155 01810596 Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件
156、 低缺陷氮化物半导体薄膜及其生长方法
157、 氮化物系化合物半导体元件的制造方法
200510003967 氮化物半导体激光器件及其制造方法
159 03805078 Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片
160、 倒装芯片氮化物半导体发光二极管
161、 氮化物半导体激光二极管及其☎15542181913
162、 氮化物半导体发光器件
163、 高质量氮化物半导体薄膜及其☎15542181913
164、 氮化物半导体薄膜及其生长方法
165、 氮化物半导体自立基板及其制造方法、以及使用它的氮化物半导体发光元件
166、 半导体基片的UV增强的氧氮化
167、 用于氮化物基半导体装置的低掺杂层
168、 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
169、 氮化物半导体及其制备方法
170、 氮化物半导体LED和其制造方法
171、 氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法
172 03842 Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺
173、 氮化物系半导体发光元件
174、 氮化镓类化合物半导体装置
175、 第Ⅲ族氮化物晶体衬底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半导体器件
176、 硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件
177、 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
178、 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其☎15542181913
179、 氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件
180、 氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件
181、 发光氮化物半导体器件及其制造方法
182、 氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件
183、 包括氮化层的半导体器件
184、 氮化物基的半导体发光器件及其制造方法
185、 氮化物半导体器件及其制造方法
186、 用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的n-电极
187、 在Ⅲ-V族氮化物半导体基板上制作产生辐射的半导体芯片的方法以及产生辐射的半导体芯片
188、 氮化镓系化合物半导体发光器件
189、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
190、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
191、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
192、 III族氮化物半导体器件
193、 半导体工艺设备的氮化硼氧化钇复合材料部件及其制造方法
194、 氮化物半导体元件
195、 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
196、 氮化物系半导体激光元件
197、 氮化物系半导体发光元件
198、 半导体工艺设备的碳氮化物涂层部件及其制造方法
199、 双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体阵列金属位结构及单个单元操作
200、 双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体的控制栅极及字线电压升压设计
201、 一种用于双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体存储器且具有二位清除能力的控制栅极解码器
202、 制造氮化镓半导体发光器件的方法
203、 氮化镓系列化合物半导体元件
204、 氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件
205、 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
206、 生产第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法
207、 第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件
208、 氮化物半导体元件
209、 氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件
210、 具有由氨气中侧氮化处理的多金属栅结构的栅电极的半导体器件
211、 氮化物半导体元件
212、 绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法
213、 氮化物半导体器件制造方法
214、 第三族氮化物半导体器件和其生产方法
215、 氮化物半导体器件
216、 氮化物半导体器件
217、 第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件
218、 氮化物半导体元件
219、 制造具有氧化硅氮化硅氧化硅层的半导体组件的方法
220、 缘经过研磨的氮化物半导体基片及其边缘加工方法
221、 可以识别表里的矩形氮化物半导体基片
222、 氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其☎15542181913
223、 用于高纵横比半导体器件的掺硼氮化钛层
224、 氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法
225、 氮化镓基化合物半导体器件及其☎15542181913
226、 氮化物半导体元件
227、 氮化物半导体器件
228、 含碳的氮化铝烧结体，用于半导体制造检测设备的基材
229、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
230、 氮化物半导体激光元件及其制造方法
231、 氮化物半导体发光器件及其制造方法
232、 氮化镓半导体装置的封装
233 200610002758 Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法
234、 氮化物半导体外延层的生长方法
235、 氮化物半导体器件及其制备方法
236 03824173 Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法
237、 氮化物单晶生长方法、氮化物半导体发光装置及制造方法
238、 氮化物半导体装置及其制造方法
239、 P型氮化物半导体结构以及双极晶体管
240、 使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法
241、 氮化物半导体器件及其制造方法
242、 非极性单晶A-面氮化物半导体晶圆及其制备
243、 氮化物半导体激光器件
244、 氮化物半导体生长用衬底
245、 使用氮化铝膜制造半导体器件的栅极的方法
246、 氮化物半导体发光元件
247、 氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法
248、 氮化物半导体器件
249、 加工氮化物半导体晶体表面的方法和由该方法得到的氮化物半导体晶体
250、 硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
251 200510064396 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体
252、 氮化物半导体单晶基材及其合成方法
253、 氮化物半导体发光元件及制造氮化物半导体发光元件的方法
254、 氮化物半导体元件及其制造方法和氮化物半导体基板的制造方法
255、 氮化物基化合物半导体发光器件
256、 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
257 200480003696 Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件
258、 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
259 200410082672 Ⅲ族氮化物半导体元件及其制造方法
260、 制作氮化物半导体发光器件的方法
261、 制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件
262、 氮化物半导体元件及其制造方法
263、 氮化物半导体器件及其制造方法
264 200510004812 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体基板及其评价方法
265、 晶片导向器，MOCVD装置和氮化物半导体生长方法
266、 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
267、 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
268、 氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法
269、 氮化物半导体元件
270、 氮化物半导体发光器件
271、 氮化物半导体发光器件
272、 氮化物系半导体元件
273、 氮化物类半导体元件及其制造方法
274、 氮化物半导体发光器件
275、 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
276、 用于n型Ⅲ族氮化物半导体的n型欧姆电极、具有该电极的半导体发光器件及用于形成n型欧姆电极的方法
277、 氮化物半导体发光器件
278、 氮化物半导体发光元件及其制造方法
279、 氧氮化物磷光体和半导体发光器件
280、 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
281、 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
282、 可以识别表里的矩形氮化物半导体基片
283、 氮化物半导体元器件
284、 氮化物半导体元器件
285、 氮化物半导体元器件
286、 氮化物半导体器件及其制造方法
287、 氮化物半导体发光器件
288、 氮化物类半导体元件
289、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
290、 氮化物半导体器件
291、 氮化物半导体基底以及使用该基底的氮化物半导体装置
292、 氮化物半导体元件及其制造方法
293、 制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件
294、 氮化镓基化合物半导体器件
295、 发光装置、用于制造该发光装置的方法及氮化物半导体衬底
296、 氮化物半导体元件和其制造方法
297、 氮化物半导体；使用该半导体的发光器件，发光二极管，激光器件和灯；及其制造方法
298、 氮化物系化合物半导体和化合物半导体的清洗方法、这些半导体的制造方法及基板
299、 发光器件及其制造方法以及氮化物半导体衬底
300、 氮化物半导体发光器件
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2、 用于形成第Ⅲ主族氮化物半导体层的方法以及半导体器件
3、 氮化物半导体激光元件
4、 等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜
5、 氮化镓半导体激光器
6、 氮化物半导体光发射装置及其制造方法
7、 制备Ⅲ族氮化物半导体的方法及Ⅲ族氮化物半导体器件
8、 制备III族氮化物半导体的方法及III族氮化物半导体器件
9、 含碳的氮化铝烧结体以及用于半导体制造检测设备的陶瓷基材
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11、 以氮化物为基础的半导体发光器件及其制造方法
12、 生产Ⅲ族氮化物半导体装置的方法
13、 氮化物半导体发光器件
14、 氮化物半导体器件及其制造方法
15、 氮化物半导体的制造方法及半导体器件的制造方法
16、 用于制造Ⅲ族氮化物系化合物半导体的方法以及Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件
17 01809479 Ⅲ族氮化物系化合物半导体器件及其制造方法
18 03113770 Ⅲ族氮化物半导体蓝色发光器件
19 01810990 Ⅲ族氮化合物半导体器件
20、 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
21、 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法
22、 刻蚀半导体结构中的钨或氮化钨栅极的方法
23、 氮化物半导体基板及制法和使用该基板的氮化物半导体装置
24、 III族氮化物半导体发光器件
25、 氮化物半导体元件
26、 GaN单晶基底、氮化物类半导体外延生长基底、氮化物类半导体器件及其生产方法
27、 氮化硅膜、半导体装置及其制造方法
28、 氮化物系半导体发光元件及其制造方法
29、 以氮化镓为基底的半导体发光装置
30、 第Ⅲ族元素氮化物半导体元件的生产方法
31、 基于Ⅲ族氮化物的半导体基片及其制造方法
32、 氮化物系半导体元件及其制造方法
33、 第III族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法
34、 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层，并由此制造氮化镓半导体结构的方法
35、 低介电氮化硅膜及其制造方法和半导体器件及其制造工艺
36、 氮化物半导体激光器
37、 氮化物半导体器件及其制造方法
38、 高热导率氮化硅电路衬底和使用它的半导体器件
39、 氮化硅陶瓷电路基片及使用该陶瓷基片的半导体器件
40、 氮化物半导体器件
41、 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
42、 氮化物半导体发光器件
43、 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
44、 氮化镓序列的复合半导体发光器件
45、 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
46、 氮化镓基化合物半导体器件及其☎15542181913
47、 氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件
48、 氮化物半导体光发射器件及其制造方法
49、 立方晶体氮化物半导体器件及其制造方法
50、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
51、 氮化物半导体的生长方法、半导体器件及其制造方法
52、 氮化物半导体元器件
53 00102851 Ⅲ族类氮化物半导体器件及其制造方法
54、 基于Ⅲ－氮化物半导体超晶格的单极发光器件
55、 金属间介质半导体制造中氟硅玻璃薄膜的氧氮化硅盖层
56、 氮化物半导体元器件
57 00120164 Ⅲ－Ⅴ族氮化物半导体的生长方法及气相生长装置
58、 第三族氮化物半导体器件和其生产方法
59、 氮化物半导体元件
60、 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
61、 氮化物半导体器件制造方法
62、 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
63、 氮化镓化合物半导体制造方法
64、 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
65、 具有结晶碱土金属硅氮化物氧化物与硅界面的半导体结构
66、 一种氮化物半导体器件
67、 氮化物半导体激光器
68、 氮化半导体器件及其制造方法
69、 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
70、 氮化物半导体器件
71、 具有减少相分离、利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构及其制备方法
72、 III－V氮化物半导体激光器件
73、 利用第三族氮化物四元金属体系的半导体结构
74、 氮化物半导体元件
75 00132679 Ⅲ族氮化物半导体发光组件的切割方法
76、 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法
77、 氮化物半导体分层结构以及结合该分层结构部分的氮化物半导体激光器
78、 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
79、 含碳的氮化铝烧结体，用于半导体制造检测设备的基材
80、 氮化物半导体器件
81、 氮化物半导体激光器件及其制造方法
82、 第III族氮化物半导体激光器及其制造方法
83 02108126 Ⅲ族氮化物制造的半导体衬底及其制造工艺
84、 基于氮化物的化合物半导体晶体衬底结构及其制造方法
85、 一种Ⅲ族氮化物半导体材料及其生长方法
86、 氮化物半导体发光元件及其制造方法
87、 具有氮化层和氧化层的半导体器件的制造方法
88、 制造Ⅲ族氮化物半导体元件的方法
89、 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
90、 氮化物半导体基板及其制造方法
91、 制造p-型Ⅲ族氮化物半导体的方法和制造其电极的方法
92、 氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法
93 200680007935 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系化合物半导体装置及电极形成方法
94、 氮化物半导体发光器件及其制造方法
95、 氮化物基半导体装置的制造方法
96、 氮化物半导体发光装置及其制造方法
97、 氮化物半导体元件的制造方法
98、 使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法
99、 氮化物半导体器件及其制造方法
100、 第3-5族氮化物半导体多层衬底，用于制备第3-5族氮化物半导体自立衬底的方法和半导体元件
101、 氮化物半导体发光元件
102、 氮化物半导体发光器件
103、 氮化物半导体发光器件的制造方法
104、 氮化物半导体发光器件
105、 氮化物半导体元件
106、 氮化物系半导体元件及其制造方法
107、 等离子体氮化处理方法、半导体装置的制造方法和等离子体处理装置
108、 基于平面结构的Ⅲ族氮化物半导体发光二极管及其制备方法
109、 氮化物类半导体元件及其制造方法
110、 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
111、 氮化物半导体发光元件
112、 一种氮化镓基半导体光电器件的☎15542181913
113、 氮化物半导体衬底及其制造方法
114、 氮化物半导体LED及其制造方法
115、 高速大功率氮化物半导体器件及其制造方法
116、 氮化镓基化合物半导体发光器件
117 200810001918 Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺
118 200710188302 Ⅲ族氮化物功率半导体器件
119、 氮化物半导体发光装置
120、 氮化镓基化合物半导体发光器件
121、 第13族金属氮化物结晶的制造方法、半导体器件的制造方法和这些制造方法中使用的溶液和熔融液
122、 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
123 200710196096 Ⅲ族氮化物半导体衬底
124、 半导体制造中去除钛或氮化钛层上的光刻胶的方法
125、 氮化物半导体元件及其制法
126、 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
127、 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
128、 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
129、 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
130、 GaN基底和其制备方法、氮化物半导体器件和其制备方法
131、 氮化硅膜、半导体器件、显示器件及制造氮化硅膜的方法
132、 氮化物基化合物半导体发光器件及其制造方法
133、 具有电流狭窄层的氮化物半导体激光器元件及其制造方法
134、 利用检测闸门氧化硅层中氮化物含量的半导体元件制成方法
135、 氮化物半导体发光器件及其制造方法
136、 氮化物半导体，半导体器件及其制造方法
137、 制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法
138、 氮化物半导体激光元件及其制造方法
139 200410057049 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法
140、 基板检查方法及装置、氮化物半导体元件制造方法及装置
141、 氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的制造方法
142、 氮化物半导体发光器件及其制造方法
143、 硅衬底上的氮化物半导体及其制造方法
144 200410086095 Ⅲ族元素氮化物结晶半导体器件
145、 半导体用氮化物衬底的制备方法及氮化物半导体衬底
146、 处理包含含氧氮化硅介质层的半导体器件的方法
147、 具有支持衬底的氮化物半导体器件及其制造方法
148、 氮化物半导体发光二极管芯片及其制造方法
149、 氮化镓基半导体器件及其制造方法
150、 I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
151、 氮化物半导体激光元件及其制造方法
152、 在硅底材上成长三族氮化物半导体异质磊晶结构的方法
153 200410102100 Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法
154、 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
155 01810596 Ⅲ族氮化物系化合物半导体的制造方法及Ⅲ族氮化物系化合物半导体元件
156、 低缺陷氮化物半导体薄膜及其生长方法
157、 氮化物系化合物半导体元件的制造方法
200510003967 氮化物半导体激光器件及其制造方法
159 03805078 Ⅲ族氮化物半导体晶体及其制造方法以及Ⅲ族氮化物半导体外延晶片
160、 倒装芯片氮化物半导体发光二极管
161、 氮化物半导体激光二极管及其☎15542181913
162、 氮化物半导体发光器件
163、 高质量氮化物半导体薄膜及其☎15542181913
164、 氮化物半导体薄膜及其生长方法
165、 氮化物半导体自立基板及其制造方法、以及使用它的氮化物半导体发光元件
166、 半导体基片的UV增强的氧氮化
167、 用于氮化物基半导体装置的低掺杂层
168、 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
169、 氮化物半导体及其制备方法
170、 氮化物半导体LED和其制造方法
171、 氮化物半导体激光装置以及提高其功能的方法
172 03842 Ⅲ族氮化物半导体衬底及其生产工艺
173、 氮化物系半导体发光元件
174、 氮化镓类化合物半导体装置
175、 第Ⅲ族氮化物晶体衬底、其制造方法及第Ⅲ族氮化物半导体器件
176、 硅氧化物氮化物氧化物半导体型存储器件
177、 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
178、 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其☎15542181913
179、 氮化物系半导体元件的制造方法及氮化物系半导体元件
180、 氮化物半导体激光元件和氮化物半导体元件
181、 发光氮化物半导体器件及其制造方法
182、 氮化物半导体元件的制造方法和氮化物半导体元件
183、 包括氮化层的半导体器件
184、 氮化物基的半导体发光器件及其制造方法
185、 氮化物半导体器件及其制造方法
186、 用于第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的n-电极
187、 在Ⅲ-V族氮化物半导体基板上制作产生辐射的半导体芯片的方法以及产生辐射的半导体芯片
188、 氮化镓系化合物半导体发光器件
189、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
190、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
191、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
192、 III族氮化物半导体器件
193、 半导体工艺设备的氮化硼氧化钇复合材料部件及其制造方法
194、 氮化物半导体元件
195、 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
196、 氮化物系半导体激光元件
197、 氮化物系半导体发光元件
198、 半导体工艺设备的碳氮化物涂层部件及其制造方法
199、 双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体阵列金属位结构及单个单元操作
200、 双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体的控制栅极及字线电压升压设计
201、 一种用于双金属氧化物-氮化物-氧化物半导体存储器且具有二位清除能力的控制栅极解码器
202、 制造氮化镓半导体发光器件的方法
203、 氮化镓系列化合物半导体元件
204、 氮化物半导体的生长方法、氮化物半导体衬底及器件
205、 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
206、 生产第Ⅲ族氮化物化合物半导体器件的方法
207、 第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光元件
208、 氮化物半导体元件
209、 氮化物半导体、其制造方法以及氮化物半导体元件
210、 具有由氨气中侧氮化处理的多金属栅结构的栅电极的半导体器件
211、 氮化物半导体元件
212、 绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法
213、 氮化物半导体器件制造方法
214、 第三族氮化物半导体器件和其生产方法
215、 氮化物半导体器件
216、 氮化物半导体器件
217、 第Ⅲ族氮化物化合物半导体发光器件
218、 氮化物半导体元件
219、 制造具有氧化硅氮化硅氧化硅层的半导体组件的方法
220、 缘经过研磨的氮化物半导体基片及其边缘加工方法
221、 可以识别表里的矩形氮化物半导体基片
222、 氮化镓系化合物半导体的磊晶结构及其☎15542181913
223、 用于高纵横比半导体器件的掺硼氮化钛层
224、 氮化物半导体衬底和氮化物半导体衬底的加工方法
225、 氮化镓基化合物半导体器件及其☎15542181913
226、 氮化物半导体元件
227、 氮化物半导体器件
228、 含碳的氮化铝烧结体，用于半导体制造检测设备的基材
229、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
230、 氮化物半导体激光元件及其制造方法
231、 氮化物半导体发光器件及其制造方法
232、 氮化镓半导体装置的封装
233 200610002758 Ⅲ族氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法
234、 氮化物半导体外延层的生长方法
235、 氮化物半导体器件及其制备方法
236 03824173 Ⅲ族氮化物半导体发光元件及其制造方法
237、 氮化物单晶生长方法、氮化物半导体发光装置及制造方法
238、 氮化物半导体装置及其制造方法
239、 P型氮化物半导体结构以及双极晶体管
240、 使用氮化物半导体的发光器件和其制造方法
241、 氮化物半导体器件及其制造方法
242、 非极性单晶A-面氮化物半导体晶圆及其制备
243、 氮化物半导体激光器件
244、 氮化物半导体生长用衬底
245、 使用氮化铝膜制造半导体器件的栅极的方法
246、 氮化物半导体发光元件
247、 氮化物系化合物半导体发光元件及其制造方法
248、 氮化物半导体器件
249、 加工氮化物半导体晶体表面的方法和由该方法得到的氮化物半导体晶体
250、 硅衬底上Ⅲ族氮化物半导体外延生长技术
251 200510064396 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体衬底及其制造方法和Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体
252、 氮化物半导体单晶基材及其合成方法
253、 氮化物半导体发光元件及制造氮化物半导体发光元件的方法
254、 氮化物半导体元件及其制造方法和氮化物半导体基板的制造方法
255、 氮化物基化合物半导体发光器件
256、 半导体集成电路硅单晶片衬底背面氮化硅层的新腐蚀方法
257 200480003696 Ⅲ族氮化物基化合物半导体器件
258、 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
259 200410082672 Ⅲ族氮化物半导体元件及其制造方法
260、 制作氮化物半导体发光器件的方法
261、 制造氮化物半导体的装置和方法及获得的半导体激光器件
262、 氮化物半导体元件及其制造方法
263、 氮化物半导体器件及其制造方法
264 200510004812 Ⅲ-Ⅴ族氮化物系半导体基板及其评价方法
265、 晶片导向器，MOCVD装置和氮化物半导体生长方法
266、 一种检测氮化镓基半导体发光二极管结温的方法
267、 改善氮化镓基半导体发光二极管欧姆接触的合金方法
268、 氮化物基化合物半导体发光器件的制造方法
269、 氮化物半导体元件
270、 氮化物半导体发光器件
271、 氮化物半导体发光器件
272、 氮化物系半导体元件
273、 氮化物类半导体元件及其制造方法
274、 氮化物半导体发光器件
275、 一种提高氮化镓(GaN)基半导体材料发光效率的方法
276、 用于n型Ⅲ族氮化物半导体的n型欧姆电极、具有该电极的半导体发光器件及用于形成n型欧姆电极的方法
277、 氮化物半导体发光器件
278、 氮化物半导体发光元件及其制造方法
279、 氧氮化物磷光体和半导体发光器件
280、 晶态氮化镓基化合物的生长方法以及包含氮化镓基化合物的半导体器件
281、 具有缓冲电极结构的氮化镓半导体芯片
282、 可以识别表里的矩形氮化物半导体基片
283、 氮化物半导体元器件
284、 氮化物半导体元器件
285、 氮化物半导体元器件
286、 氮化物半导体器件及其制造方法
287、 氮化物半导体发光器件
288、 氮化物类半导体元件
289、 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
290、 氮化物半导体器件
291、 氮化物半导体基底以及使用该基底的氮化物半导体装置
292、 氮化物半导体元件及其制造方法
293、 制造氮化物基半导体器件的方法和如此制造的发光器件
294、 氮化镓基化合物半导体器件
295、 发光装置、用于制造该发光装置的方法及氮化物半导体衬底
296、 氮化物半导体元件和其制造方法
297、 氮化物半导体；使用该半导体的发光器件，发光二极管，激光器件和灯；及其制造方法
298、 氮化物系化合物半导体和化合物半导体的清洗方法、这些半导体的制造方法及基板
299、 发光器件及其制造方法以及氮化物半导体衬底
300、 氮化物半导体发光器件
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