场效应晶体管生产加工工艺技术及制造大全
1、 场效应型晶体管及制造方法、液晶显示装置及制造方法
2、 计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法
3、 在绝缘衬底上形成的场效应晶体管以及其集成电路
4、 横向结型场效应晶体管
5、 减少了延迟变动的场效应晶体管
6、 面结型场效应晶体管及其制造方法
7、 含有有机半导体的夹心型场效应晶体管及☎15542181913
8、 垂直沟道场效应晶体管及制备方法
9、 垂直沟道场效应晶体管及制备方法
10、 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及☎15542181913
11、 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
12、 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
13、 具有双扩散体分布的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
14、 优化偏置级联金属氧化物半导体场效应晶体管射频器件的方法和装置
15、 利用氢*联合注入制备场效应晶体管的方法
16、 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及☎15542181913
17、 具有部分隔离的源漏结的场效应晶体管结构及其制造方法
18、 场效应晶体管器件
19、 在电阻元件处由适配的场效应晶体管电路产生均衡的能量供应的喷墨打印头
20、 碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管的方法
21、 有机场效应晶体管
22、 一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法
23、 金氧半场效应晶体管及其制造方法
24、 场效应晶体管及其应用器件
25、 一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法
26、 一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构
27、 具有温度补偿的单电源异质结场效应晶体管
28、 场效应晶体管带通放大器
29、 制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
30、 金属氧化物半导体场效应晶体管
31、 窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路
32、 阈值电压稳定的场效应晶体管及其制造方法
33、 制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法
34、 制造金属氧化物场效应晶体管的方法
35、 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
36、 电路装置及适用于该电路装置的结型场效应晶体管
37、 万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法
38、 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺
39、 高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)结构及其制造方法
40、 互补型金氧半场效应晶体管的制造方法
41、 互补型金氧半场效应晶体管的制造方法
42、 动态随机存取存储器件中的MOS场效应晶体管及其制造方法
43、 场效应晶体管放大器
44、 减少子延迟变动的场效应晶体管
45、 固态天线开关和场效应晶体管
46、 场效应晶体管组成的集成电路和一种可编程序的只读存贮器
47、 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
48、 包含互补场效应晶体管的集成电路
49、 结型场效应晶体管电阻式差动放大器
50、 双注入场效应晶体管
51、 MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法
52、 带有绝缘栅场效应晶体管及线圈的电路
53、 提高场效应晶体管柱绝缘性的方法
54、 一种金属氧化物半导体场效应晶体管
55、 场效应晶体管限制器电路
56、 用于互补金属氧化物场效应晶体管半导体动态存贮器的字线升压电路
57、 场效应晶体管比较器电路
58 92105604 △－掺杂量子阱场效应晶体管的☎15542181913
59、 带反向ＭＩＳＦＥＴ基片的超导场效应晶体管及其☎15542181913
60、 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
61、 *化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
62、 高效率、宽度电可调的场效应晶体管及其实现方法
63、 制造具有各种金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件的方法
64、 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
65、 绝缘栅场效应晶体管
66、 绝缘栅场效应晶体管的制造方法
67、 制造场效应晶体管的方法
68、 驱动场效应晶体管的方法
69、 金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件
70、 金属氧化物场效应管与双极静电感应晶体管复合结构器件
71、 场效应晶体管及其制造方法
72、 在同一衬底上具有N和P型场效应晶体管的半导体器件
73、 金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法
74、 硅锗硅垂直结型场效应晶体管
75、 场效应晶体管
76、 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
77、 互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
78、 可用氢离子改变其阈值电压的场效应晶体管的制造工艺
79、 用于场效应晶体管放大器的偏压电路
80、 场效应晶体管及其制造方法
81、 含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件
82、 场效应晶体管
83、 亚四分之一微米级硅－绝缘体的MOS场效应晶体管
84、 减少寄生电阻和电容的场效应晶体管
85、 具有垂直栅侧壁的场效应晶体管和制造这种晶体管的方法
86、 具有改善了注入剂的场效应晶体管及其制造方法
87、 具有垂直侧壁的亚光刻栅的场效应晶体管的制造方法
88、 场效应晶体管及其制造方法
89、 垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
90、 P沟道槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构
91、 场效应晶体管及其控制方法和混频器装置
92、 通过具不同击穿电压的场效应晶体管释放电流的保护电路
93、 带有槽隔离结构的场效应晶体管及其制造方法
94、 无中频输出电桥单面单片集成电路微波场效应晶体管平衡混频器
95、 横向双极型场效应复合晶体管及其☎15542181913
96、 双场效应晶体管芯片以及安装该芯片的方法
97、 带倒置MISFET结构的超导体场效应晶体管制造方法
98、 场效应晶体管
99、 双型薄膜场效应晶体管及其应用
100、 并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器
101、 场效应晶体管
102、 场效应晶体管及其制造方法
103、 真空场效应晶体管
104、 具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法
105、 互补偶载场效应晶体管及其片上系统
106、 场效应晶体管
107、 具有成分分级的铁电材料的铁电场效应晶体管及其制造方法
108、 隐埋金属体接触结构和制造半导体场效应晶体管器件的方法
109、 具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管
110、 沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
111、 量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法
112、 带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管
113、 具有分离栅的自对准双栅金属氧化物半导体场效应晶体管
114、 改进工艺窗口制作全自对准薄膜场效应晶体管的方法
115、 用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法
116、 加强埋置沟道P场效应晶体管性能和可靠性的深草皮掩模
117、 场效应晶体管
118、 水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管
119、 场效应晶体管控制之交直流电源转换电路及其应用
120、 铁电存储器场效应晶体管器件及其☎15542181913
121、 用于制造包括一个非对称场效应晶体管的半导体器件的方法
122、 场效应控制的晶体管及其制造方法
123、 高分子半导体场效应晶体管
124、 场效应晶体管的制造方法
125、 使用金属氧化物半导体场效应晶体管的保护电路装置及其制造方法
126、 异质结场效应晶体管
127、 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法
128、 高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法
129、 具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法
130、 铁电场效应晶体管及其制备方法
131、 射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件
132、 具有低导通电阻的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管
133、 氮化铝和氧化铝氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法
134、 制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
135、 金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
136、 双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件
137、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
138、 半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法
139、 充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法
140、 动态随机存取存储器件中的场效应晶体管和存储单元的制造方法
141、 碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用
142、 用于场效应晶体管的偏置装置
143、 层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包
144、 垂直场效应晶体管阵列及其制造方法
145、 自旋存储器和自旋场效应晶体管
146、 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及☎15542181913
147、 自旋金属氧化物半导体场效应晶体管
148、 具有体接触的并联场效应晶体管结构
149、 具有槽沟的源体短路电极的、逆槽沟和源极接地的场效应晶体管结构
150、 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及☎15542181913
151、 半导体装置及金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
152、 用于高电压场效应晶体管的栅蚀刻工艺
153、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成
154、 场效应晶体管及其制造方法
155、 金属氧化物半导体场效应晶体管及其☎15542181913
156、 金属氧化物半导体场效应晶体管及其☎15542181913
157、 具有薄栅极电极的场效应晶体管及其制造方法
200610113721 一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法
159、 具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
160、 金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
161、 使用死区时间和场效应晶体管驱动控制的效率动态最优化
162、 一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法
163、 场效应晶体管
164、 半导体结构及制造多个鳍片场效应晶体管的方法
165、 场效应晶体管布置对称的像素
166、 沟栅场效应晶体管及其形成方法
167、 包括场效应晶体管的半导体器件及其形成方法
168、 利用门极功函数工程来改变应用的改良式金属氧化物半导体场效应晶体管
169 200710031828 Ⅲ-Ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
170 200710031829 Ⅲ-Ⅴ族发光金属半导体场效应晶体管及其制备方法
171、 使用含碳硅和锗化硅外延源漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
172、 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
173、 包含通过沉积金属氧化物而形成的阈电压控制层的含氮场效应晶体管栅叠层
174、 应力绝缘体上硅场效应晶体管及其☎15542181913
175、 用于在场效应晶体管的鳍之上形成双重全硅化栅极的方法
176、 实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料
177、 双栅场效应晶体管及其形成方法
178、 制备凹陷源漏场效应晶体管的方法
179、 一种场效应晶体管多层场板器件及其☎15542181913
180、 用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的分裂栅
181、 场效应晶体管
182、 场效应晶体管
183、 在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
184、 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
185、 有机薄膜场效应晶体管及其封装方法
186、 硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法
187、 绝缘栅场效应晶体管及其制造方法
188、 功率金属氧化物硅场效应晶体管
189、 场效应晶体管数字量输出电路
190、 耐高电压的场效应功率晶体管固体组件)
191、 一种钯栅场效应晶体管
192、 钯栅场效应晶体管
193、 一种场效应晶体管的功率开关
194、 新型绝缘栅场效应晶体管
195、 浮式金属氧化物半导体场效应晶体管
196、 功率绝缘栅双极型和场效应型晶体管栅极隔离驱动模块
197、 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
198、 ZnO基透明场效应晶体管
199、 场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路
200、 一种低电压垂直型场效应晶体管
201、 场效应晶体管及其制造方法
202、 并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法
203、 场效应晶体管半导体器件
204、 具有低栅极电荷的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
205、 金属栅极场效应晶体管的栅极结构的☎15542181913
206、 纵向化合物半导体型场效应晶体管结构
207、 横向结型场效应晶体管
208、 场效应晶体管的驱动电路
209、 集成的场效应晶体管和肖特基器件
210、 制备场效应晶体管横向沟道的方法及场效应晶体管
211、 具有高灵敏度栅极的场效应晶体管
212、 场效应晶体管、包括FET的集成电路及其形成方法
213、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
214、 场效应型晶体管及其制造方法
215、 形成金属单层膜、配线及制造场效应晶体管的方法
216、 一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法
217、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
218、 结栅场效应晶体管
219、 准双栅场效应晶体管
220、 薄膜场效应晶体管及其制造方法
221、 浮栅闪存场效应晶体管
222、 制造高迁移率场效应晶体管的结构和方法
223、 具有电镀金属栅极的场效应晶体管以及金属栅极的制造方法
224、 高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法
225、 带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
226、 应用负微分电阻场效应晶体管的存储单元
227、 负微分电阻场效应晶体管及其电路
228、 减少应变层场效应晶体管中位错导致的泄漏的方法
229、 场效应晶体管，集成电路以及形成集成电路的方法
230、 具有与应变半导体基片形成肖特基或肖特基类接触的源极和或漏极的场效应晶体管
231、 横型接合型场效应晶体管及其制造方法
232、 场效应晶体管的制备方法
233、 准双栅场效应晶体管的制备方法
234、 场效应晶体管、集成电路及制造方法
235、 环绕栅极场效应晶体管
236、 分段场效应晶体管及其制造方法
237、 横向耗尽结构的场效应晶体管
238、 双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路
239、 用于场效应晶体管的超薄高K栅介质的☎15542181913以及超薄高K栅介质
240、 垂直碳纳米管场效应晶体管
241、 场效应晶体管及其制造方法
242、 场效应晶体管类型发光器件
243、 至少五侧面沟道型鳍式场效应晶体管及其制造方法
244、 接触探针储存场效应晶体管探测器和写入加热装置
245、 接触探针储存场效应晶体管探测器
246、 内置功率MOS场效应晶体管和驱动电路的半导体装置
247、 一种形成翅片场效应晶体管的方法
248、 应变翅片式场效应晶体管的结构和方法
249、 侦测器装置、电荷载体之侦测方法、及侦测电荷之ONO场效应晶体管之使用
250、 鳍型场效应晶体管结构
251、 场效应晶体管及其制造方法
252、 具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法
253、 制造具有T形鳍片的鳍片场效应晶体管器件的方法及所制造的器件
254、 纵向结型场效应晶体管及其制造方法
255、 含有场效应晶体管的集成电路及其制造方法
256、 垂直场效应晶体管及其☎15542181913和含有它的显示装置
257、 自对准纳米管场效应晶体管及其制造方法
258、 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
259、 场效应晶体管及其制造方法
260、 场效应晶体管
261、 场效应晶体管及其制造方法
262、 场效应晶体管
263、 有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器
264、 场效应晶体管
265、 具有到沟道的钝化肖特基势垒的绝缘栅场效应晶体管
266、 翅片场效应晶体管及电路
267、 包含场效应晶体管以及减少漏电流与提高单位面积电容量的被动电容器的半导体装置
268、 具两控制区的集成场效应晶体管及制造方法
269、 具有改良的载流子迁移率的垂直双栅极场效应晶体管及其形成方法
270、 P沟道场效应晶体管剂量仪
271、 新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺
272、 一种制备SON型场效应晶体管的方法
273、 场电极金属半导体场效应晶体管
274、 用于调制掺杂的场效应晶体管的增强的T形栅极及其制造方法
275、 场效应晶体管及其制备用的材料和方法
276、 使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法
277、 镶嵌栅极多台面式金氧半场效应晶体管及其制造方法
278、 具有多个叠置沟道的场效应晶体管
279、 沟槽栅费米阈值场效应晶体管及其制造方法
280、 含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
281、 横向结型场效应晶体管
282、 金属氧化物半导体场效应晶体管器件的☎15542181913
283、 具有受应力通道的场效应晶体管及其制造方法
284、 具有减小导通电阻的双扩散场效应晶体管
285、 双栅极场效应晶体管及其制造方法
286、 具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法
287、 双栅极场效应晶体管及其制造方法
288、 一种非对称栅场效应晶体管
289、 一种厚膜SOI场效应晶体管
290、 金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路和方法
291、 一种具有纳米结的氮化碳碳纳米管场效应晶体管的制备方法
292、 一种组合栅场效应晶体管
293、 一种场效应晶体管
294、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
295、 薄膜场效应晶体管的制造方法
296、 双栅极场效应晶体管及其制造方法
297、 场效应晶体管
298、 用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法
299、 场效应晶体管
300、 具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管结构及其制造方法
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2、 计算金属氧化物半导体场效应晶体管门限电压的方法
3、 在绝缘衬底上形成的场效应晶体管以及其集成电路
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5、 减少了延迟变动的场效应晶体管
6、 面结型场效应晶体管及其制造方法
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11、 选择外延法制造源漏在绝缘体上的场效应晶体管
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13、 具有双扩散体分布的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
14、 优化偏置级联金属氧化物半导体场效应晶体管射频器件的方法和装置
15、 利用氢*联合注入制备场效应晶体管的方法
16、 含有保护层的有机半导体场效应晶体管及☎15542181913
17、 具有部分隔离的源漏结的场效应晶体管结构及其制造方法
18、 场效应晶体管器件
19、 在电阻元件处由适配的场效应晶体管电路产生均衡的能量供应的喷墨打印头
20、 碳化硅金属半导体场效应晶体管和制造碳化硅金属半导体场效应晶体管的方法
21、 有机场效应晶体管
22、 一种有机薄膜场效应晶体管的封装方法
23、 金氧半场效应晶体管及其制造方法
24、 场效应晶体管及其应用器件
25、 一种适用于超深亚微米领域的场效应晶体管及其制备方法
26、 一种垂直型大功率场效应晶体管单元结构
27、 具有温度补偿的单电源异质结场效应晶体管
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29、 制作金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
30、 金属氧化物半导体场效应晶体管
31、 窄禁带源漏区金属氧化物半导体场效应晶体管及集成电路
32、 阈值电压稳定的场效应晶体管及其制造方法
33、 制造金属氧化物硅场效应晶体管的方法
34、 制造金属氧化物场效应晶体管的方法
35、 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
36、 电路装置及适用于该电路装置的结型场效应晶体管
37、 万门级互补场效应晶体管集成电路的制造方法
38、 金属-氧化物-半导体场效应晶体管的栅极氧化层工艺
39、 高压金属氧化物硅场效应晶体管(MOSFET)结构及其制造方法
40、 互补型金氧半场效应晶体管的制造方法
41、 互补型金氧半场效应晶体管的制造方法
42、 动态随机存取存储器件中的MOS场效应晶体管及其制造方法
43、 场效应晶体管放大器
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47、 采用氮族元素聚合物半导体的薄膜场效应晶体管
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49、 结型场效应晶体管电阻式差动放大器
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51、 MOS_场效应晶体管的栅压温度筛选方法
52、 带有绝缘栅场效应晶体管及线圈的电路
53、 提高场效应晶体管柱绝缘性的方法
54、 一种金属氧化物半导体场效应晶体管
55、 场效应晶体管限制器电路
56、 用于互补金属氧化物场效应晶体管半导体动态存贮器的字线升压电路
57、 场效应晶体管比较器电路
58 92105604 △－掺杂量子阱场效应晶体管的☎15542181913
59、 带反向ＭＩＳＦＥＴ基片的超导场效应晶体管及其☎15542181913
60、 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
61、 *化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
62、 高效率、宽度电可调的场效应晶体管及其实现方法
63、 制造具有各种金属氧化物半导体场效应晶体管的半导体器件的方法
64、 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
65、 绝缘栅场效应晶体管
66、 绝缘栅场效应晶体管的制造方法
67、 制造场效应晶体管的方法
68、 驱动场效应晶体管的方法
69、 金属氧化物场效应晶体管与双极晶体管复合结构器件
70、 金属氧化物场效应管与双极静电感应晶体管复合结构器件
71、 场效应晶体管及其制造方法
72、 在同一衬底上具有N和P型场效应晶体管的半导体器件
73、 金属氧化物半导体场效应晶体管结构及其制造方法
74、 硅锗硅垂直结型场效应晶体管
75、 场效应晶体管
76、 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
77、 互补金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
78、 可用氢离子改变其阈值电压的场效应晶体管的制造工艺
79、 用于场效应晶体管放大器的偏压电路
80、 场效应晶体管及其制造方法
81、 含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件
82、 场效应晶体管
83、 亚四分之一微米级硅－绝缘体的MOS场效应晶体管
84、 减少寄生电阻和电容的场效应晶体管
85、 具有垂直栅侧壁的场效应晶体管和制造这种晶体管的方法
86、 具有改善了注入剂的场效应晶体管及其制造方法
87、 具有垂直侧壁的亚光刻栅的场效应晶体管的制造方法
88、 场效应晶体管及其制造方法
89、 垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
90、 P沟道槽型金属氧化物半导体场效应晶体管结构
91、 场效应晶体管及其控制方法和混频器装置
92、 通过具不同击穿电压的场效应晶体管释放电流的保护电路
93、 带有槽隔离结构的场效应晶体管及其制造方法
94、 无中频输出电桥单面单片集成电路微波场效应晶体管平衡混频器
95、 横向双极型场效应复合晶体管及其☎15542181913
96、 双场效应晶体管芯片以及安装该芯片的方法
97、 带倒置MISFET结构的超导体场效应晶体管制造方法
98、 场效应晶体管
99、 双型薄膜场效应晶体管及其应用
100、 并联高压金属氧化物半导体场效应晶体管高功率稳态放大器
101、 场效应晶体管
102、 场效应晶体管及其制造方法
103、 真空场效应晶体管
104、 具有场效应晶体管的半导体器件的制造方法
105、 互补偶载场效应晶体管及其片上系统
106、 场效应晶体管
107、 具有成分分级的铁电材料的铁电场效应晶体管及其制造方法
108、 隐埋金属体接触结构和制造半导体场效应晶体管器件的方法
109、 具有最小覆盖电容的金属氧化物半导体场效应晶体管
110、 沟道式功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
111、 量子线场效应晶体管结构材料及器件制备方法
112、 带倒置的MISFET结构的超导场效应晶体管
113、 具有分离栅的自对准双栅金属氧化物半导体场效应晶体管
114、 改进工艺窗口制作全自对准薄膜场效应晶体管的方法
115、 用作电源开关的碳化硅N沟场效应晶体管及其制造方法
116、 加强埋置沟道P场效应晶体管性能和可靠性的深草皮掩模
117、 场效应晶体管
118、 水平生长碳纳米管的方法和使用碳纳米管的场效应晶体管
119、 场效应晶体管控制之交直流电源转换电路及其应用
120、 铁电存储器场效应晶体管器件及其☎15542181913
121、 用于制造包括一个非对称场效应晶体管的半导体器件的方法
122、 场效应控制的晶体管及其制造方法
123、 高分子半导体场效应晶体管
124、 场效应晶体管的制造方法
125、 使用金属氧化物半导体场效应晶体管的保护电路装置及其制造方法
126、 异质结场效应晶体管
127、 一种有机薄膜场效应晶体管及其制备方法
128、 高温应用碳化硅场效应晶体管及其使用和制造方法
129、 具嵌入式栅极的金属氧化物半导体场效应晶体管的形成方法
130、 铁电场效应晶体管及其制备方法
131、 射频功率碳化硅场效应晶体管的互连方法和器件
132、 具有低导通电阻的高压功率金属氧化物半导体场效应晶体管
133、 氮化铝和氧化铝氮化铝栅介质叠层场效应晶体管及形成方法
134、 制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
135、 金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
136、 双极金属氧化物半导体场效应晶体管器件
137、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
138、 半导体衬底、场效应晶体管、锗化硅层形成方法及其制造方法
139、 充电电池保护电路用功率场效应晶体管的覆晶安装方法
140、 动态随机存取存储器件中的场效应晶体管和存储单元的制造方法
141、 碳化硅横向场效应晶体管和制造方法及其使用
142、 用于场效应晶体管的偏置装置
143、 层迭式双金属氧化物半导体场效应晶体管包
144、 垂直场效应晶体管阵列及其制造方法
145、 自旋存储器和自旋场效应晶体管
146、 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及☎15542181913
147、 自旋金属氧化物半导体场效应晶体管
148、 具有体接触的并联场效应晶体管结构
149、 具有槽沟的源体短路电极的、逆槽沟和源极接地的场效应晶体管结构
150、 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及☎15542181913
151、 半导体装置及金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
152、 用于高电压场效应晶体管的栅蚀刻工艺
153、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的集成
154、 场效应晶体管及其制造方法
155、 金属氧化物半导体场效应晶体管及其☎15542181913
156、 金属氧化物半导体场效应晶体管及其☎15542181913
157、 具有薄栅极电极的场效应晶体管及其制造方法
200610113721 一种实现低电压操作有机场效应晶体管的方法
159、 具有沉积氧化物的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
160、 金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
161、 使用死区时间和场效应晶体管驱动控制的效率动态最优化
162、 一种实现存储器功能的场效应晶体管及其制备方法
163、 场效应晶体管
164、 半导体结构及制造多个鳍片场效应晶体管的方法
165、 场效应晶体管布置对称的像素
166、 沟栅场效应晶体管及其形成方法
167、 包括场效应晶体管的半导体器件及其形成方法
168、 利用门极功函数工程来改变应用的改良式金属氧化物半导体场效应晶体管
169 200710031828 Ⅲ-Ⅴ族金属氧化物半导体发光场效应晶体管及其制备方法
170 200710031829 Ⅲ-Ⅴ族发光金属半导体场效应晶体管及其制备方法
171、 使用含碳硅和锗化硅外延源漏极的高性能应力增强金属氧化物半导体场效应晶体管及制造方法
172、 沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
173、 包含通过沉积金属氧化物而形成的阈电压控制层的含氮场效应晶体管栅叠层
174、 应力绝缘体上硅场效应晶体管及其☎15542181913
175、 用于在场效应晶体管的鳍之上形成双重全硅化栅极的方法
176、 实空间转移高电子迁移率场效应晶体管材料
177、 双栅场效应晶体管及其形成方法
178、 制备凹陷源漏场效应晶体管的方法
179、 一种场效应晶体管多层场板器件及其☎15542181913
180、 用于降低极高密度金属氧化物半导体场效应晶体管的栅极阻抗的采用不同栅极材料和功函数的分裂栅
181、 场效应晶体管
182、 场效应晶体管
183、 在屏蔽的栅极场效应晶体管中形成多晶硅层间电介质的结构和方法
184、 制造金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
185、 有机薄膜场效应晶体管及其封装方法
186、 硅材料高频低功耗功率结型场效应晶体管(JFET)制造方法
187、 绝缘栅场效应晶体管及其制造方法
188、 功率金属氧化物硅场效应晶体管
189、 场效应晶体管数字量输出电路
190、 耐高电压的场效应功率晶体管固体组件)
191、 一种钯栅场效应晶体管
192、 钯栅场效应晶体管
193、 一种场效应晶体管的功率开关
194、 新型绝缘栅场效应晶体管
195、 浮式金属氧化物半导体场效应晶体管
196、 功率绝缘栅双极型和场效应型晶体管栅极隔离驱动模块
197、 功率型分离器件金属氧化物半导体场效应晶体管
198、 ZnO基透明场效应晶体管
199、 场效应晶体管死区控制驱动信号的发生电路
200、 一种低电压垂直型场效应晶体管
201、 场效应晶体管及其制造方法
202、 并五苯衍生物作为半导体材料的有机场效应晶体管及其制备方法
203、 场效应晶体管半导体器件
204、 具有低栅极电荷的沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管
205、 金属栅极场效应晶体管的栅极结构的☎15542181913
206、 纵向化合物半导体型场效应晶体管结构
207、 横向结型场效应晶体管
208、 场效应晶体管的驱动电路
209、 集成的场效应晶体管和肖特基器件
210、 制备场效应晶体管横向沟道的方法及场效应晶体管
211、 具有高灵敏度栅极的场效应晶体管
212、 场效应晶体管、包括FET的集成电路及其形成方法
213、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
214、 场效应型晶体管及其制造方法
215、 形成金属单层膜、配线及制造场效应晶体管的方法
216、 一种准SOI场效应晶体管器件的制备方法
217、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管的制造方法
218、 结栅场效应晶体管
219、 准双栅场效应晶体管
220、 薄膜场效应晶体管及其制造方法
221、 浮栅闪存场效应晶体管
222、 制造高迁移率场效应晶体管的结构和方法
223、 具有电镀金属栅极的场效应晶体管以及金属栅极的制造方法
224、 高迁移率异质结互补场效应晶体管及其方法
225、 带有结型场效应晶体管的碳化硅半导体器件及其制造方法
226、 应用负微分电阻场效应晶体管的存储单元
227、 负微分电阻场效应晶体管及其电路
228、 减少应变层场效应晶体管中位错导致的泄漏的方法
229、 场效应晶体管，集成电路以及形成集成电路的方法
230、 具有与应变半导体基片形成肖特基或肖特基类接触的源极和或漏极的场效应晶体管
231、 横型接合型场效应晶体管及其制造方法
232、 场效应晶体管的制备方法
233、 准双栅场效应晶体管的制备方法
234、 场效应晶体管、集成电路及制造方法
235、 环绕栅极场效应晶体管
236、 分段场效应晶体管及其制造方法
237、 横向耗尽结构的场效应晶体管
238、 双卢瑟福横向双扩散场效应晶体管导通电阻的测试电路
239、 用于场效应晶体管的超薄高K栅介质的☎15542181913以及超薄高K栅介质
240、 垂直碳纳米管场效应晶体管
241、 场效应晶体管及其制造方法
242、 场效应晶体管类型发光器件
243、 至少五侧面沟道型鳍式场效应晶体管及其制造方法
244、 接触探针储存场效应晶体管探测器和写入加热装置
245、 接触探针储存场效应晶体管探测器
246、 内置功率MOS场效应晶体管和驱动电路的半导体装置
247、 一种形成翅片场效应晶体管的方法
248、 应变翅片式场效应晶体管的结构和方法
249、 侦测器装置、电荷载体之侦测方法、及侦测电荷之ONO场效应晶体管之使用
250、 鳍型场效应晶体管结构
251、 场效应晶体管及其制造方法
252、 具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法
253、 制造具有T形鳍片的鳍片场效应晶体管器件的方法及所制造的器件
254、 纵向结型场效应晶体管及其制造方法
255、 含有场效应晶体管的集成电路及其制造方法
256、 垂直场效应晶体管及其☎15542181913和含有它的显示装置
257、 自对准纳米管场效应晶体管及其制造方法
258、 金属氧化物半导体场效应晶体管及其制造方法
259、 场效应晶体管及其制造方法
260、 场效应晶体管
261、 场效应晶体管及其制造方法
262、 场效应晶体管
263、 有机场效应晶体管及制造方法和含该晶体管的平板显示器
264、 场效应晶体管
265、 具有到沟道的钝化肖特基势垒的绝缘栅场效应晶体管
266、 翅片场效应晶体管及电路
267、 包含场效应晶体管以及减少漏电流与提高单位面积电容量的被动电容器的半导体装置
268、 具两控制区的集成场效应晶体管及制造方法
269、 具有改良的载流子迁移率的垂直双栅极场效应晶体管及其形成方法
270、 P沟道场效应晶体管剂量仪
271、 新型金属半导体场效应晶体管(MESFET)器件及其制造工艺
272、 一种制备SON型场效应晶体管的方法
273、 场电极金属半导体场效应晶体管
274、 用于调制掺杂的场效应晶体管的增强的T形栅极及其制造方法
275、 场效应晶体管及其制备用的材料和方法
276、 使用铁电栅极场效应晶体管的非易失性存储器和制造方法
277、 镶嵌栅极多台面式金氧半场效应晶体管及其制造方法
278、 具有多个叠置沟道的场效应晶体管
279、 沟槽栅费米阈值场效应晶体管及其制造方法
280、 含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
281、 横向结型场效应晶体管
282、 金属氧化物半导体场效应晶体管器件的☎15542181913
283、 具有受应力通道的场效应晶体管及其制造方法
284、 具有减小导通电阻的双扩散场效应晶体管
285、 双栅极场效应晶体管及其制造方法
286、 具有平台式隔离的应变通道场效应晶体管及其制造方法
287、 双栅极场效应晶体管及其制造方法
288、 一种非对称栅场效应晶体管
289、 一种厚膜SOI场效应晶体管
290、 金属氧化物半导体场效应晶体管的驱动电路和方法
291、 一种具有纳米结的氮化碳碳纳米管场效应晶体管的制备方法
292、 一种组合栅场效应晶体管
293、 一种场效应晶体管
294、 功率金属氧化物半导体场效应晶体管装置及其制造方法
295、 薄膜场效应晶体管的制造方法
296、 双栅极场效应晶体管及其制造方法
297、 场效应晶体管
298、 用于改进碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管中反向层迁移率的方法
299、 场效应晶体管
300、 具有应变硅锗层磊晶的场效应晶体管结构及其制造方法
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