薄膜单晶生产加工工艺技术及制造大全
1、 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
2、 单晶碳化硅薄膜的制造方法及制造设备
3、 非单晶薄膜、带非单晶薄膜的衬底、其制造方法及其制造装置、以及其检查方法及其检查装置、以及利用该非单晶......
4、 不残留氢的非单晶薄膜晶体管的半导体器件的制造方法
5、 同位素纯单晶外延金刚石薄膜及其制备方法
6、 金刚石单晶薄膜的制造方法
7、 金刚石单晶镀超硬薄膜技术
8、 金属有机物气相外延制备氮化物单晶薄膜的装置与方法
9、 用硅衬底β碳化硅晶体薄膜生长碳化硅单晶体
10、 立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结的制备方法
11、 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
12、 单晶硅－纳米晶立方氮化硼薄膜类P－N结及其☎15542181913
13、 生产薄膜单晶器件的方法、太阳能电池组件和其生产方法
14、 半导体薄膜及其生产方法和设备、及生产单晶薄膜的方法
15、 金单晶纳米岛阵列薄膜电极的制备方法
16、 低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
17、 硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
18、 单晶硅薄膜及其组件的制备方法
19、 生长氮化铟单晶薄膜的方法
20、 1-x
外延生长La
21、 一种在CdZnTe衬底上制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的方法
22、 用于制备薄膜的单晶硅辐射式加热器
23、 一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法
24、 用于生成氧化锌薄膜的钨酸锌单晶衬底的制备方法
25、 3
在(La，Sr)(Al，Ta)O
26、 2
射频磁控溅射法制备γ-LiAlO
27、 2
脉冲激光沉积制备γ-LiAlO
28、 2
具有γ-LiAlO
29、 一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法
30、 低温相偏硼酸钡单晶薄膜的制备方法
31、 磁控溅射法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
32、 2
在γ-LiAlO
33、 一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
34、 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
35、 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
36、 在铝酸镁衬底上高质量锌极性ZnO单晶薄膜的制备方法
37、 氮化铝单晶薄膜及其制备方法
38、 制备氮化镓单晶薄膜的方法
39、 脉冲激光淀积法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
40、 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
41、 单晶性薄膜
42、 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
43、 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
44、 2
β-Ga45、 单晶硅片表面氨基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
46、 利用氧化锌缓冲层生长单晶氧化锌薄膜的方法
47、 单晶硅片表面磷酸基硅烷-稀土纳米薄膜的制备方法
48、 单晶硅片表面自洁性二氧化钛纳米薄膜的制备方法
49、 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料
50、 汞铟碲锑化合物及其单晶材料、薄膜材料
51、 掺锑、*新型碲镉汞改性化合物及其单晶与薄膜材料
52、 具有分布于薄膜上方的传感器电子设备的手指生物测量传感器以及单晶基底和相关方法
53、 X
一种在蓝宝石衬底材料上外延生长Al
54、 一种在Si(111)衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
55、 制造单晶薄膜的方法以及由其制造的单晶薄膜器件
56、 薄膜电晶体的制造方法及将非晶层转换成复晶层或单晶层的方法
57、 一种在单晶硅基底表面直接制备Cr-Si硅化物电阻薄膜的方法
58、 利用原位掩膜进行外延生长氮化物单晶薄膜的方法
59、 一种氧化锌单晶纳米薄膜材料的制备方法
60、 在单晶硅片表面制备碳纳米管复合薄膜的方法
61、 单晶硅片表面磷酸基硅烷-碳纳米管复合薄膜的制备方法
62、 制备氮化镓单晶薄膜材料的装置及方法
63、 光辅助MBE系统及生长ZnO单晶薄膜的方法
64、 一种氧化锡单晶薄膜的制备方法
65、 一种制备Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜的生长装置
66 200710068039 Ⅳ-Ⅵ族半导体单晶薄膜和其异质结构的制备方法
67、 用MBE外延InAlGaN单晶薄膜的方法
68、 一种生长ZnO单晶、微晶薄膜及其p型掺杂的方法
69、 2
在单晶衬底上制备CeO
70、 一种氧化铟单晶外延薄膜的制备方法
71、 用于制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜的衬底材料
72、 一种制备MgZnO单晶薄膜的方法
73、 一种生长高质量具有双缓冲层的单晶氮化铟薄膜的方法
74、 一种生长高质量单晶氮化铟薄膜的方法
75、 制造具有薄膜的金刚石单晶的方法和具有薄膜的金刚石单晶
76、 2
一种在单晶硅片表面制备ZrO
77、 单晶硅薄膜太阳电池
78、 3
一种机床刀具用单晶硅片表面涂层Si
79、 GaN单晶的制造方法、GaN薄膜模板衬底及GaN单晶生长装置
80、 制备具有单晶薄膜的基板的方法
81、 3
一种在单晶硅片表面制备Si
82、 单晶硅薄膜组件的制备方法
83、 一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法
84、 一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法，
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10、 立方氮化硼单晶-金刚石薄膜异质P-N结的制备方法
11、 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
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16、 低温下用顺序横向固化制造单晶或多晶硅薄膜的系统和方法
17、 硅基氮化物单晶薄膜的外延结构及生长方法
18、 单晶硅薄膜及其组件的制备方法
19、 生长氮化铟单晶薄膜的方法
20、 1-x
外延生长La
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23、 一种制备高质量氧化锌基单晶薄膜的方法
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在(La，Sr)(Al，Ta)O
26、 2
射频磁控溅射法制备γ-LiAlO
27、 2
脉冲激光沉积制备γ-LiAlO
28、 2
具有γ-LiAlO
29、 一种制备高质量氧化锌单晶薄膜的三缓冲层方法
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32、 2
在γ-LiAlO
33、 一种在铝酸镁衬底上制备高质量ZnO单晶薄膜的方法
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39、 脉冲激光淀积法制备低温相偏硼酸钡单晶薄膜
40、 单晶硅片表面自组装聚电解质-稀土纳米薄膜的制备方法
41、 单晶性薄膜
42、 单晶硅片表面制备巯基硅烷-稀土自润滑复合薄膜的方法
43、 单晶硅片表面制备磺酸基硅烷-稀土纳米复合薄膜的方法
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49、 碲化汞、碲化镉和锑化铟共晶结构化合物及其单晶材料和薄膜材料
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69、 2
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80、 制备具有单晶薄膜的基板的方法
81、 3
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83、 一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法
84、 一种在导电基体上生长单晶氧化铟薄膜的方法，
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