绝缘体硅生产加工工艺技术及制造大全
1、 用硅绝缘体(SOI)基片上的应变SiSiGe层的迁移率增强的NMOS和PMOS晶体管
2、 超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
3、 用于可编程逻辑设备中绝缘体外延硅晶体管的设备和方法
4、 硅锗绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
5、 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料
6、 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
7、 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
8、 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
9、 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的☎15542181913和制作装置
10、 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
11、 具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构
12、 在绝缘体上硅材料基板上制作上接触插塞的方法
13、 在具有双层位线的硅绝缘体(SOI)衬底上构造的DRAM
14、 具有浮动集电区的绝缘体上的硅器件
15、 绝缘体上的硅(SOI)衬底的制造工艺
16、 绝缘体上硅薄膜晶体管
17、 复合式绝缘体上硅薄膜基片及其☎15542181913
18、 绝缘体上的硅衬底的制造方法及制造设备
19、 绝缘体结构上的硅互联埋层
20、 互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管
21、 键合在绝缘体上硅的减薄方法
22、 用绝缘体附硅方法制造的动态随机存取存储器及制造方法
23、 制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法
24、 利用沟槽平面化方法在绝缘体上键合亚微米硅
25、 击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管
26、 具有改进的绝缘图形的绝缘体上硅薄膜衬底
27、 晶片处理装置、晶片处理方法和绝缘体上硅晶片制造方法
28 99107005 “绝缘体上的硅”半导体装置及其制造方法
29、 亚四分之一微米级硅－绝缘体的MOS场效应晶体管
30、 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
31、 用于绝缘体上硅集成电路的掩埋图形的导体层
32、 使用局部选择氧化在绝缘体上形成的体硅和应变硅
33、 绝缘体基外延硅寄生双极效应的消除
34、 绝缘体基硅厚氧结构和制造方法
35、 用浅沟隔离工艺在绝缘体上硅晶片上集成衬底接触的方法
36、 平面密集构图的绝缘体基硅结构及其制造工艺
37、 绝缘体基外延硅工艺中双重深度氧化层的结构和方法
38、 增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计
39、 绝缘体基硅传输门干扰的解决方法
40、 降低绝缘体上硅晶体管寄生双极电流的方法和装置
41、 绝缘体上的硅高温超高压力传感器的☎15542181913
42 99125881 “绝缘体上的硅”结构的半导体装置
43、 减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件
44、 通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
45、 用于模拟绝缘体上硅器件的改进方法
46、 耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
47、 具有栅电极和场板电极的横向薄膜绝缘体上硅器件
48、 硅粉基导热绝缘体
49、 从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
50、 具有漏极延伸区的横向薄膜硅绝缘体(SOI)PMOS器件
51、 在绝缘体上硅中形成抗熔丝的结构和方法
52、 硅绝缘体结构半导体器件
53、 用于绝缘体上硅结构多米诺电路中双极性消除的方法与装置
54、 具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法
55、 全耗尽型集电极硅绝缘体双极晶体管
56、 基于绝缘体上的硅（SOI）材料的全内反射型阵列波导光栅器件及制法
57、 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法
58、 一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法
59、 绝缘体上硅(SOI)结构中的光的主动操控
60、 体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法
61、 一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法
62、 绝缘体上硅FET及其方法
63、 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的☎15542181913
64、 提高散热性的绝缘体上硅器件及其制造方法
65、 绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及☎15542181913
66、 半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
67、 绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法
68、 用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法
69、 以键合减薄制备绝缘体上硅的方法
70、 应力绝缘体上硅场效应晶体管及其☎15542181913
71、 一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法
72、 降低硅或绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法
73、 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法
74、 在绝缘体上硅基底上形成腔结构的方法和形成在绝缘体上硅基底上的腔结构
75、 绝缘体上硅高压器件结构
76、 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途
77、 硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法
78、 提高散热性的绝缘体上硅器件及其制造方法
79、 形成绝缘体上硅锗衬底材料的方法、衬底材料及异质结构
80、 硅绝缘体晶片及其制造方法
81、 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法
82、 形成于绝缘体上硅结构上并具有减小的上电漂移的传感器
83、 偏置型三阱完全耗尽绝缘体上硅(SOI)结构及其制造和运用的各种方法
84、 耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
85、 绝缘体上硅集成电路上的集成LED驱动电子线路
86、 一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其☎15542181913
87、 基于硅锗硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法
88、 改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
89、 具有应变模的绝缘体上硅装置及用于形成应变模的方法
90、 具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法
91、 位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元
92、 部分耗尽硅基绝缘体器件结构的自对准主体结
93、 一种制造硅绝缘体衬底结构的方法
94、 制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
95、 形成在硅在绝缘体上的衬底上的静态随机存取存储器
96、 在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法
97、 形成绝缘体上的应变硅(SSOI)的方法及其形成的结构
98、 具有硅绝缘体区域和体区域的半导体装置及其制造方法
99、 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法
100、 绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件
101、 通过离子注入产生具有本征吸除的绝缘体衬底硅结构的方法
102、 生产硅绝缘体材料的方法
103、 一种制备绝缘体上硅结构的方法
104、 绝缘体上外延硅(SOI)沟槽光电二极管及其形成方法
105、 绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法
106、 一种绝缘体上硅的电学参数的表征方法
107、 贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
108、 绝缘体硅射频集成电路的集成结构及☎15542181913
109、 具源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管
110、 通过离子注入和热退火获得的在Si或绝缘体上硅衬底上的弛豫SiGe层
111、 应变绝缘体上硅(SSOI)及其形成方法
112、 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法
113、 一种绝缘体上硅的☎15542181913
114、 一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片
115、 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
116、 用于硅绝缘体技术上的静电放电(ESD)保护的低电压可控硅整流器(SCR)
117、 硅或含硅材料中的超薄掩埋绝缘体
118、 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
119、 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
120、 形成构图的绝缘体上硅衬底的方法
121、 在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其☎15542181913
122、 绝缘体上硅器件
123、 利用自对准后栅极控制前栅极绝缘体上硅MOSFET的器件阈值
124、 绝缘体上应变硅的单栅极和双栅极MOSFET及其形成方法
125、 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的☎15542181913
126、 在固态照明系统中用于色温控制的硅绝缘体光电二极管光学监测系统
127、 利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法
128、 高压电绝缘性聚硅氧烷橡胶组合物和高压电绝缘体
129、 绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法
130、 绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法
131、 在直流(DC)源漏区下面具有氧化物孔的区别性的绝缘体上硅(SOI)
132、 通过多孔硅技术形成构图的绝缘体上硅悬空硅复合结构
133、 制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构
134、 半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
135、 在具有硅锗缓冲层的绝缘体上形成应变SiSiGe的方法
136、 通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构
137、 一种高密度可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构
138、 包括横向晶闸管和俘获层的硅绝缘体读写非易失性存储器
139、 使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法
140、 高电压绝缘体上硅晶体管及其制造方法
141、 用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的方法
142、 具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法
143、 用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法
144、 用于绝缘体上硅（SOI）技术的电可编程熔丝
145、 绝缘体上有硅的结构及其制造方法
146、 绝缘体上硅及其制备工艺
147、 制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
148、 用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法
149、 一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法
150、 通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅
151、 硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及☎15542181913
152、 在应变硅层中具有提高的结晶度的应变绝缘体上硅（SSOI）结构
153、 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法
154、 绝缘体上应变硅结构的制造方法
155、 绝缘体上硅基三维楔形模斑转换器及其制备方法
156、 绝缘体上硅中的源极和漏极的形成
157、 使用硅氧烷组合物自动涂覆电气绝缘体的方法和装置
200810070 一种基于绝缘体上硅结构的细胞分离微芯片
159、 绝缘体上锗硅衬底的制备方法
160、 基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片及其加工工艺
161、 绝缘体上的硅衬底的制备方法
162、 沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法
163、 制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法
164、 改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元
165、 一种具有倾斜表面漂移区的绝缘体上硅横向功率晶体管
166、 在集成电路绝缘体上应变硅中通过布局优化的选择性单轴应力弛豫
167、 一种绝缘体上的硅基槽缝式光波导耦合器及其☎15542181913
168、 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
169、 多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构
170、 制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法
171、 绝缘体上硅器件及其制造方法
172、 高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
173、 高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
174、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
175、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
176、 具有在绝缘体上硅或体硅中构建的背栅极的结场效应晶体管
177、 互补型绝缘体上硅（SOI）结式场效应晶体管及其制造方法
178、 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构
179、 绝缘体上硅晶片的制造方法
180、 绝缘体上硅器件及其制造方法
181、 绝缘体上硅材料的平板显示器驱动芯片及制备方法
182、 一种纳米绝缘体上硅结构材料及其☎15542181913
183、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
184、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
185、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
186、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
187、 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法
188、 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法
189、 一种绝缘体上硅器件及其制备方法
190、 一种制备绝缘体上的硅材料的真空键合装置
191、 硅绝缘体单晶芯片结构
192、 硅绝缘体单晶芯片结构，
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2、 超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
3、 用于可编程逻辑设备中绝缘体外延硅晶体管的设备和方法
4、 硅锗绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
5、 剂量-能量优化注氧隔离技术制备图形化绝缘体上的硅材料
6、 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
7、 准绝缘体上的硅场效应晶体管及实现方法
8、 绝缘体上的单晶硅(SOI)材料的制造方法
9、 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的☎15542181913和制作装置
10、 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
11、 具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构
12、 在绝缘体上硅材料基板上制作上接触插塞的方法
13、 在具有双层位线的硅绝缘体(SOI)衬底上构造的DRAM
14、 具有浮动集电区的绝缘体上的硅器件
15、 绝缘体上的硅(SOI)衬底的制造工艺
16、 绝缘体上硅薄膜晶体管
17、 复合式绝缘体上硅薄膜基片及其☎15542181913
18、 绝缘体上的硅衬底的制造方法及制造设备
19、 绝缘体结构上的硅互联埋层
20、 互补绝缘体外延硅横向绝缘栅整流管
21、 键合在绝缘体上硅的减薄方法
22、 用绝缘体附硅方法制造的动态随机存取存储器及制造方法
23、 制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法
24、 利用沟槽平面化方法在绝缘体上键合亚微米硅
25、 击穿电压增加的双极绝缘体上硅晶体管
26、 具有改进的绝缘图形的绝缘体上硅薄膜衬底
27、 晶片处理装置、晶片处理方法和绝缘体上硅晶片制造方法
28 99107005 “绝缘体上的硅”半导体装置及其制造方法
29、 亚四分之一微米级硅－绝缘体的MOS场效应晶体管
30、 以氮化铝为绝缘埋层的绝缘体上的硅材料制备方法
31、 用于绝缘体上硅集成电路的掩埋图形的导体层
32、 使用局部选择氧化在绝缘体上形成的体硅和应变硅
33、 绝缘体基外延硅寄生双极效应的消除
34、 绝缘体基硅厚氧结构和制造方法
35、 用浅沟隔离工艺在绝缘体上硅晶片上集成衬底接触的方法
36、 平面密集构图的绝缘体基硅结构及其制造工艺
37、 绝缘体基外延硅工艺中双重深度氧化层的结构和方法
38、 增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计
39、 绝缘体基硅传输门干扰的解决方法
40、 降低绝缘体上硅晶体管寄生双极电流的方法和装置
41、 绝缘体上的硅高温超高压力传感器的☎15542181913
42 99125881 “绝缘体上的硅”结构的半导体装置
43、 减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件
44、 通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
45、 用于模拟绝缘体上硅器件的改进方法
46、 耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
47、 具有栅电极和场板电极的横向薄膜绝缘体上硅器件
48、 硅粉基导热绝缘体
49、 从低缺陷密度的单晶硅上制备硅－绝缘体结构
50、 具有漏极延伸区的横向薄膜硅绝缘体(SOI)PMOS器件
51、 在绝缘体上硅中形成抗熔丝的结构和方法
52、 硅绝缘体结构半导体器件
53、 用于绝缘体上硅结构多米诺电路中双极性消除的方法与装置
54、 具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法
55、 全耗尽型集电极硅绝缘体双极晶体管
56、 基于绝缘体上的硅（SOI）材料的全内反射型阵列波导光栅器件及制法
57、 双绝缘埋层绝缘体上硅基二维光子晶体波导及制备方法
58、 一种低剂量注氧隔离技术制备绝缘体上硅的方法
59、 绝缘体上硅(SOI)结构中的光的主动操控
60、 体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法
61、 一种制备低栅扩展电容绝缘体上硅体接触器件的方法
62、 绝缘体上硅FET及其方法
63、 一种源体欧姆接触绝缘体上硅晶体管的☎15542181913
64、 提高散热性的绝缘体上硅器件及其制造方法
65、 绝缘体上硅背腐蚀全反射的垂直耦合结构及☎15542181913
66、 半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
67、 绝缘体上应变硅异质结的无损检测方法
68、 用于绝缘体上的硅槽刻蚀方法
69、 以键合减薄制备绝缘体上硅的方法
70、 应力绝缘体上硅场效应晶体管及其☎15542181913
71、 一种实现部分耗尽绝缘体上硅器件体接触的方法
72、 降低硅或绝缘体上的硅材料光波导损耗的方法
73、 局部绝缘体上的硅制作功率器件的结构及实现方法
74、 在绝缘体上硅基底上形成腔结构的方法和形成在绝缘体上硅基底上的腔结构
75、 绝缘体上硅高压器件结构
76、 双埋层结构的绝缘体上的硅材料、制备及用途
77、 硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法
78、 提高散热性的绝缘体上硅器件及其制造方法
79、 形成绝缘体上硅锗衬底材料的方法、衬底材料及异质结构
80、 硅绝缘体晶片及其制造方法
81、 基于注氧隔离技术的绝缘体上锗硅材料及其制备方法
82、 形成于绝缘体上硅结构上并具有减小的上电漂移的传感器
83、 偏置型三阱完全耗尽绝缘体上硅(SOI)结构及其制造和运用的各种方法
84、 耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
85、 绝缘体上硅集成电路上的集成LED驱动电子线路
86、 一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其☎15542181913
87、 基于硅锗硅结构注氧隔离制备绝缘体上硅锗材料的方法
88、 改进注氧隔离技术制备的绝缘体上的硅锗材料结构及工艺
89、 具有应变模的绝缘体上硅装置及用于形成应变模的方法
90、 具有重组区域的绝缘体上硅场效应晶体管及形成该场效应晶体管的方法
91、 位于绝缘体上硅结构衬底上的相变存储器单元
92、 部分耗尽硅基绝缘体器件结构的自对准主体结
93、 一种制造硅绝缘体衬底结构的方法
94、 制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
95、 形成在硅在绝缘体上的衬底上的静态随机存取存储器
96、 在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法
97、 形成绝缘体上的应变硅(SSOI)的方法及其形成的结构
98、 具有硅绝缘体区域和体区域的半导体装置及其制造方法
99、 一种厚膜图形化绝缘体上的硅材料的制备方法
100、 绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件
101、 通过离子注入产生具有本征吸除的绝缘体衬底硅结构的方法
102、 生产硅绝缘体材料的方法
103、 一种制备绝缘体上硅结构的方法
104、 绝缘体上外延硅(SOI)沟槽光电二极管及其形成方法
105、 绝缘体上硅的衬底上混合结构栅介质材料的制备方法
106、 一种绝缘体上硅的电学参数的表征方法
107、 贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
108、 绝缘体硅射频集成电路的集成结构及☎15542181913
109、 具源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管
110、 通过离子注入和热退火获得的在Si或绝缘体上硅衬底上的弛豫SiGe层
111、 应变绝缘体上硅(SSOI)及其形成方法
112、 一种绝缘体上硅的埋层氧化物电荷密度的快速表征方法
113、 一种绝缘体上硅的☎15542181913
114、 一种基于绝缘体上硅片的应力传感器芯片
115、 基于绝缘体上的硅材料的场效应晶体管抗辐照的加固方法
116、 用于硅绝缘体技术上的静电放电(ESD)保护的低电压可控硅整流器(SCR)
117、 硅或含硅材料中的超薄掩埋绝缘体
118、 制备绝缘体上锗硅薄膜材料的方法
119、 抗辐射加固的特殊体接触绝缘体上硅场效应晶体管及制备方法
120、 形成构图的绝缘体上硅衬底的方法
121、 在绝缘体上硅的硅片上纳米宽度谐振结构及其☎15542181913
122、 绝缘体上硅器件
123、 利用自对准后栅极控制前栅极绝缘体上硅MOSFET的器件阈值
124、 绝缘体上应变硅的单栅极和双栅极MOSFET及其形成方法
125、 一种采用相变方法实现绝缘体上应变硅的☎15542181913
126、 在固态照明系统中用于色温控制的硅绝缘体光电二极管光学监测系统
127、 利用双掩埋氧化物绝缘体上硅晶片的嵌入硅锗及其形成方法
128、 高压电绝缘性聚硅氧烷橡胶组合物和高压电绝缘体
129、 绝缘体上硅锗(SGOI)和绝缘体上锗(GOI)衬底的制造方法
130、 绝缘体上硅晶片的成形绝缘层及其制造方法
131、 在直流(DC)源漏区下面具有氧化物孔的区别性的绝缘体上硅(SOI)
132、 通过多孔硅技术形成构图的绝缘体上硅悬空硅复合结构
133、 制作应变绝缘体上硅结构的方法及用此方法形成的绝缘体上硅结构
134、 半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
135、 在具有硅锗缓冲层的绝缘体上形成应变SiSiGe的方法
136、 通过氧化掩埋多孔硅层形成绝缘体上硅锗结构
137、 一种高密度可擦写的金属-绝缘体-硅电容器结构
138、 包括横向晶闸管和俘获层的硅绝缘体读写非易失性存储器
139、 使用绝缘体上硅晶片制造晶体管的方法
140、 高电压绝缘体上硅晶体管及其制造方法
141、 用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的方法
142、 具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法
143、 用于制造深结绝缘体上硅晶体管的方法
144、 用于绝缘体上硅（SOI）技术的电可编程熔丝
145、 绝缘体上有硅的结构及其制造方法
146、 绝缘体上硅及其制备工艺
147、 制造绝缘体上硅锗衬底材料的方法以及该衬底
148、 用于MEMS微机械加工的多层绝缘体上的硅材料及方法
149、 一种高击穿电压绝缘体上硅器件结构及其制备方法
150、 通过阳极化埋置p+硅锗层获得的应变绝缘体上硅
151、 硅硅键合的绝缘体上硅的高温压力传感器芯片及☎15542181913
152、 在应变硅层中具有提高的结晶度的应变绝缘体上硅（SSOI）结构
153、 一种改善绝缘体上硅电路静电放电防护性能的方法
154、 绝缘体上应变硅结构的制造方法
155、 绝缘体上硅基三维楔形模斑转换器及其制备方法
156、 绝缘体上硅中的源极和漏极的形成
157、 使用硅氧烷组合物自动涂覆电气绝缘体的方法和装置
200810070 一种基于绝缘体上硅结构的细胞分离微芯片
159、 绝缘体上锗硅衬底的制备方法
160、 基于绝缘体上硅结构的连续流细胞电融合芯片及其加工工艺
161、 绝缘体上的硅衬底的制备方法
162、 沟槽形栅极的金属-绝缘体-硅器件的结构和制造方法
163、 制备绝缘体上硅材料的内热氧化方法
164、 改进的部分耗尽绝缘体上硅静态随机存储器存储单元
165、 一种具有倾斜表面漂移区的绝缘体上硅横向功率晶体管
166、 在集成电路绝缘体上应变硅中通过布局优化的选择性单轴应力弛豫
167、 一种绝缘体上的硅基槽缝式光波导耦合器及其☎15542181913
168、 基于绝缘体上硅的双探头PMOS辐射剂量计
169、 多晶硅-绝缘体-多晶硅电容结构
170、 制作绝缘体上硅材料的隔离氧注入方法
171、 绝缘体上硅器件及其制造方法
172、 高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
173、 高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
174、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
175、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
176、 具有在绝缘体上硅或体硅中构建的背栅极的结场效应晶体管
177、 互补型绝缘体上硅（SOI）结式场效应晶体管及其制造方法
178、 一种绝缘体上硅电路ESD全局保护结构
179、 绝缘体上硅晶片的制造方法
180、 绝缘体上硅器件及其制造方法
181、 绝缘体上硅材料的平板显示器驱动芯片及制备方法
182、 一种纳米绝缘体上硅结构材料及其☎15542181913
183、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
184、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
185、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
186、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
187、 制备双埋层绝缘体上硅衬底的方法
188、 采用选择腐蚀工艺制备绝缘体上硅材料的方法
189、 一种绝缘体上硅器件及其制备方法
190、 一种制备绝缘体上的硅材料的真空键合装置
191、 硅绝缘体单晶芯片结构
192、 硅绝缘体单晶芯片结构，
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