绝缘半导体生产加工工艺技术及制造大全
1、 一种具有多孔绝缘层和空气隙的半导体设备的制造方法
2、 超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
3、 包含多孔绝缘材料的半导体器件及其制造方法
4、 场增强金属绝缘体-半导体金属绝缘体-金属电子发射器
5、 绝缘栅型半导体器件
6、 绝缘膜形成材料，绝缘膜，形成绝缘膜的方法及半导体器件
7、 硅锗绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
8、 具有纵向金属绝缘物半导体晶体管的半导体器件及其制造方法
9、 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及☎15542181913
10、 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的☎15542181913和制作装置
11、 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
12、 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
13、 低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件
14、 绝缘栅型半导体装置
15、 绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法
16、 具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构
17、 含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法
18、 绝缘膜用材料，绝缘膜用罩光清漆，以及绝缘膜和采用该膜或该清漆的半导体装置
19、 耐热性树脂的预聚体，耐热性树脂，绝缘膜和半导体装置
20、 形成半导体器件中金属间绝缘层的方法
21、 用于在半导体器件的诸金属布线之间形成绝缘薄膜的方法
22、 硅半导体二极管元件和芯片与绝缘胴体的结构及其制法
23、 金属氧化物半导体绝缘工艺
24、 带有MIS(金属-绝缘体-半导体)_集成电容器的单片集成电路
25、 带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管☎15542181913
26、 具有改良的绝缘栅型晶体管的半导体器件
27、 半导体装置的层间绝缘膜的形成方法
28、 绝缘半导体管壳
29、 制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法
30、 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘......
31、 用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法
32、 形成半导体器件的层间绝缘膜的方法
33、 具有间断绝缘区的半导体IC器件及其制造方法
34、 包括绝缘膜的半导体器件及其制造方法
35、 场绝缘膜上表面平坦的半导体器件及其方法
36、 半导体器件用的绝缘薄膜
37、 硅化物层和绝缘层之间不发生分离的半导体器件加工工艺
38、 具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构
39、 一种层间绝缘膜受到保护的半导体器件和☎15542181913
40、 含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件
41、 具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
42、 能用低介电常数非晶氟化碳膜作为层间绝缘材料的半导体器件及其制备方法
43、 具有金属－绝缘膜－半导体三层结构的晶体管的制造方法
44 99107005 “绝缘体上的硅”半导体装置及其制造方法
45、 绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件
46、 用于半导体装置中的绝缘膜和半导体装置
47、 半导体器件、静电放电保护元件及防护绝缘击穿的方法
48、 金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法
49、 在半导体基片上形成沟槽绝缘的方法
50、 金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
51、 具有低介电常数绝缘膜的半导体器件及其制造方法
52、 在半导体衬底中建立高导电性埋入的侧面绝缘区域的方法
53、 与半导体上绝缘通孔中的铜金属化层接触的方法和结构
54、 绝缘栅型半导体器件及其制造方法
55、 垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
56、 具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件
57、 半导体或绝缘材料层的机械-化学新抛光方法
58、 具有绝缘栅极的半导体器件及其制造方法
59、 绝缘栅型半导体器件及其制法
60、 绝缘栅型半导体元件的栅极电路
61、 绝缘栅型双极型半导体装置
62、 稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件
63、 具有元件分离绝缘膜的半导体装置的制造方法
64、 增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计
65 99125881 “绝缘体上的硅”结构的半导体装置
66、 绝缘衬底、其☎15542181913及具有绝缘衬底的模块半导体器件
67、 减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件
68、 通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
69、 具有含氮栅绝缘膜的半导体器件及其制造方法
70、 耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
71、 腐蚀绝缘层和制作半导体器件的工艺
72、 具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法
73、 绝缘栅功率半导体的栅极驱动
74、 具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件
75、 硅绝缘体结构半导体器件
76、 半导体装置和“绝缘体上的半导体”衬底
77、 埋置绝缘层上硅晶片顶层中制作有半导体元件的半导体器件的制造方法
78、 具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法
79、 制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
80、 金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
81、 用于半导体和功率模件的绝缘衬底板
82、 具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法
83、 绝缘膜的形成方法及半导体器件的制造方法
84、 制造绝缘层和半导体器件的方法及由此形成的半导体器件
85、 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法
86、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
87、 微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试结构
88、 体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法
89、 绝缘膜的制造方法和半导体装置的制造方法
90、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
91、 绝缘栅型半导体装置
92、 绝缘栅型半导体装置
93、 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法
94、 绝缘体上半导体装置的制造方法
95、 半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
96、 绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
97、 包括阻挡绝缘层的半导体器件以及相关方法
98、 两侧绝缘体上半导体结构及其制造方法
99、 绝缘材料、布线板和半导体器件
100、 使位于电绝缘材料表面上的半导体层的厚度降低和均匀化的方法
101、 具有沉积阻挡层的玻璃绝缘体上的半导体
102、 绝缘液体小片接合剂和半导体器件
103、 全包型陶瓷半导体绝缘加热装置
104、 非绝缘式电力半导体模块
105、 具有复合绝缘层的半导体封装结构
106、 具有复合绝缘层的半导体封装结构
107、 表面覆有无机半导体纳米薄膜的瓷或玻璃绝缘子
108、 硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法
109、 硅氧烷基树脂及用其制造的半导体的层间绝缘膜
110、 包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜
111、 硅氧烷基的树脂和使用其制造的半导体器件的层间绝缘膜
112、 制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法
113、 在绝缘膜上形成凹状图形的半导体装置及其制造方法
114、 集成半导体结构和应变绝缘硅的制造方法及应变绝缘硅
115、 具含纳米微粒绝缘层之半导体组件装置
116、 一种含镁锌氧的金属－绝缘层－半导体结构及制备工艺
117、 包含金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
118、 具金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
119、 绝缘体上半导体沟道结构
120、 为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件
121、 半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置
122、 绝缘栅型半导体装置
123、 完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件
124、 半导体装置的具有低介电常数的绝缘层的淀积方法
125、 具有金属-绝缘体-金属电容器的半导体器件及制造方法
126、 生产具有半导体或绝缘体的金属复合团簇的方法及装置
127、 利用浅沟槽绝缘方法绝缘半导体器件的方法
128、 耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
129、 绝缘栅极型半导体装置及其制造方法
130、 制造过氧化物交联绝缘层和或半导体层电缆的方法和设备
131、 使用通过加热的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法、使用该方法制造的化合物半导体和化合......
132、 在基板上形成绝缘膜的方法、半导体装置的制造方法和基板处理装置
133、 半导体集成电路用绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
134、 绝缘体上半导体装置和方法
135、 形成半导体基体上的绝缘膜的方法
136、 低消耗功率金属-绝缘体-半导体半导体装置
137、 在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法
138、 作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的超低介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件
139、 含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
140、 具有不同厚度栅极绝缘膜的半导体器件的制造方法
141、 具有硅绝缘体区域和体区域的半导体装置及其制造方法
142、 包括金属-绝缘体-金属电容器的集成电路装置和半导体装置
143、 多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制造方法、层间绝缘膜和半导体装置
144、 印刷电路板、半导体封装、基底绝缘膜以及互连衬底的制造方法
145、 含高介电常数绝缘膜的半导体设备和该设备的制造方法
146、 沉积方法、沉积设备、绝缘膜及半导体集成电路
147、 沸石溶胶及其制法、多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制法、层间绝缘膜和半导体装置
148、 有机绝缘膜、其制造方法、使用该有机绝缘膜的半导体器件及其制造方法
149、 具有多栅极绝缘层的半导体装置及其制造方法
150、 绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件
151、 绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法
152、 应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
153、 绝缘体上半导体芯片及其制造方法
154、 形成多孔膜的组合物、多孔膜及其形成方法、层间绝缘膜和半导体器件
155、 具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法
156、 具有沟渠绝缘的半导体电路装置及其制造方法
157、 绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法
03108327 含绝缘体的半导体装置及其制造方法
159、 多孔膜形成用组合物，多孔膜的制备方法多孔膜、层间绝缘膜和半导体器件
160、 多孔膜形成用组合物、多孔膜制造法、多孔膜、层间绝缘膜及半导体装置
161、 一种*化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其制备方法
162、 绝缘栅型半导体器件
163、 在绝缘体上制造应变结晶层的方法和半导体结构及得到的半导体结构
164、 在绝缘体上的外延半导体结构和器件
165、 形成多孔膜的组合物，多孔膜和其制备方法层间绝缘膜和半导体器件
166、 具有电流控制电阻效应的掺杂半导体绝缘体半导体材料
167、 具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其☎15542181913
168、 具多厚度绝缘层上半导体的结构及其形成方法
169、 具有有机聚合物栅极绝缘层的有机半导体晶体管的制造方法
170、 绝缘栅半导体器件及其制造方法
171、 具有绝缘涂层的半导体片式器件及其制造方法
172、 可剥离半导体绝缘屏蔽
173、 绝缘栅功率半导体器件
174、 贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
175、 生产绝缘膜的涂料组合物、使用该涂料组合物制备绝缘膜的方法、由其得到的用于半导体器件的绝缘膜及含有该绝......
176、 具有形成在电容器上的可流动绝缘层的半导体装置及其制造方法
177、 绝缘栅型半导体器件
178、 具源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管
179、 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
180、 使用共混溶液形成半导体层和绝缘层而制备底栅薄膜晶体管的改进方法
181、 导电和绝缘准氧化锌衬底及垂直结构的半导体发光二极管
182、 采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件
183、 绝缘栅半导体器件及其新型自对准制造方法
184、 具有注入漏极漂移区和厚底部氧化物的沟槽金属-绝缘体-半导体器件及其制造方法
185、 绝缘横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）集成电路技术
186、 双浅沟绝缘半导体装置及其制造方法
187、 具沟渠绝缘的半导体组件及其制造方法
188、 半绝缘衬底长波长半导体激光器及其☎15542181913
189、 用于具有遵循表面轮廓的电绝缘材料层的功率半导体的布线工艺
190、 薄型绝缘半导体之绝缘间隙壁
191、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
192、 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器
193、 采用绝缘体-半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法
194、 局部放电减少的绝缘功率半导体模块及制造方法
195、 包括金属-绝缘体-金属电容器排列的半导体器件
196、 电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法
197、 绝缘衬底和半导体器件
198、 应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
199、 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
200、 绝缘膜以及半导体器件的制造方法
201、 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
202、 金属绝缘体半导体晶体管和互补金属氧化物半导体晶体管
203、 具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法
204、 半导体装置及互补型金属绝缘半导体逻辑电路
205、 包括高介电常数绝缘层的半导体器件及其制造方法
206、 抗高温应力的应力绝缘体上半导体结构
207、 半导体装置及该半导体装置用绝缘衬底
208、 具有栅极绝缘膜的半导体装置及其制造方法
209、 快速开关功率绝缘栅半导体器件
210、 绝缘栅型半导体器件及其制造方法
211、 含有电路元件和绝缘膜的半导体模块及其制造方法以及其应用
212、 绝缘膜的形成方法及其形成系统、半导体装置的制造方法
213、 已处理的半导体晶片的固定的、绝缘的和导电的连接
214、 绝缘栅型半导体装置、制造方法及保护电路
215、 制造绝缘体上应变半导体衬底的方法
216、 具有铁电膜作为栅极绝缘膜的半导体器件及其制造方法
217、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
218、 采用局部绝缘体上半导体制作半导体器件的方法
219、 金属-绝缘体-半导体器件的制造方法
220、 半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
221、 半导体均压层和中导电性硅橡胶及制备合成绝缘子的工艺
222、 金属-绝缘-金属结构的电容器、半导体装置及制造方法
223、 输出电压检测电路、绝缘型开关电源及半导体器件
224、 半导体元件及制造镶嵌结构中的金属绝缘金属电容的方法
225、 生产高密度半导体功率器件的钴-硅接触绝缘金属工艺
226、 平面超薄绝缘体上半导体沟道MOSFET及其制造方法
227、 具有金属绝缘体转换膜电阻器的半导体存储器件
228、 绝缘栅半导体器件
229、 在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法
230、 评价用于半导体装置的绝缘膜的特性的方法以及形成该绝缘膜的方法
231、 具有半导体元件、绝缘基板和金属电极的半导体器件
232、 绝缘体上半导体的衬底以及由该衬底所形成的半导体装置
233、 应变绝缘体上半导体材料及制造方法
234、 形成半导体设备的绝缘层的方法
235、 绝缘体上半导体衬底和器件及其形成方法
236、 形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法
237、 绝缘栅极半导体器件及其生产方法
238、 图案化有机材料以同时形成绝缘体和半导体的方法以及由此制成的器件
239、 应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法
240、 具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法
241、 栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质
242、 应变全耗尽绝缘层上覆硅半导体装置及其制造方法
243、 用于半导体器件的绝缘膜沉积方法
244、 绝缘栅极型半导体装置
245、 绝缘膜半导体装置及方法
246、 具有超顺电性栅极绝缘体的半导体器件
247、 带有相互电绝缘的连接元件的功率半导体模块
248、 包含高应变玻璃玻璃-陶瓷的绝缘体上半导体结构
249、 绝缘栅型半导体装置
250、 绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法
251、 具有半绝缘性氧化锌半导体薄膜与硅的异质结的光敏二极管
252、 绝缘膜、半导体器件及其制造方法
253、 形成绝缘膜的方法和制造半导体器件的方法
254、 绝缘栅型半导体装置
255、 绝缘膜的制造方法及半导体器件的制造方法
256、 绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法
257、 制造绝缘体上半导体型异质结构的方法
258、 贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液的方法
259、 绝缘栅型半导体装置
260、 具有绝缘体上半导体（SOI）构造且在薄半导体层上包含超晶格的半导体器件及相关方法
261、 绝缘栅半导体器件及其制造方法
262、 半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触☎15542181913
263、 氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
264、 半导体装置、电子系统、存储卡以及使引线绝缘的方法
265、 对绝缘体上半导体结构进行抛光的方法
266、 绝缘或半导体表面的改性方法和如此获得的产品
267、 大面积玻璃绝缘底半导体
268、 绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件
269、 用于形成绝缘体上半导体（SOI）体接触器件的方法和设备
270、 用于形成半导体器件中的层间绝缘膜的方法
271、 具有正面衬底接触的绝缘体上半导体器件的制造方法
272、 绝缘配线基板及其制造方法和使用了该基板的半导体封装
273、 绝缘栅极型半导体器件及其制造方法
274、 改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体
275、 具有绝缘体上半导体结构和超晶格的半导体器件及相关方法
276、 半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管
277、 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
278、 绝缘栅半导体器件及其新型自对准制造方法
279、 具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法
280、 使用辐照退火制造的绝缘体上半导体结构
281、 绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法
282、 AlNGaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管及其☎15542181913
283、 形成绝缘体上半导体结构的方法
284、 高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
285、 高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
286、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
287、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
288、 具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管
289、 树脂组合物、带基材的绝缘片、半固化片、多层印刷布线板以及半导体装置
290、 利用浅沟槽绝缘方法绝缘半导体器件的方法
291、 制造绝缘体上半导体结构的方法
292、 具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法
293、 半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法
294、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
295、 双（氨基*）衍生物及其制造方法以及聚酰胺树脂类、正型感光性树脂组合物、保护膜、层间绝缘膜、半导体装......
296、 绝缘栅型半导体装置
297、 一种绝缘结构的形成方法和半导体结构
298、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
299、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
300、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
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2、 超薄绝缘体基外延硅金属氧化物半导体晶体管的阈值电压调节方法
3、 包含多孔绝缘材料的半导体器件及其制造方法
4、 场增强金属绝缘体-半导体金属绝缘体-金属电子发射器
5、 绝缘栅型半导体器件
6、 绝缘膜形成材料，绝缘膜，形成绝缘膜的方法及半导体器件
7、 硅锗绝缘体上外延硅互补金属氧化物半导体及其制造方法
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9、 含有栅绝缘层的异质结型有机半导体场效应晶体管及☎15542181913
10、 埋置绝缘体型半导体碳化硅衬底的☎15542181913和制作装置
11、 具有部分绝缘体基或部分空洞基外延硅构造的半导体器件
12、 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
13、 低介电常数绝缘膜形成用材料、低介电常数绝缘膜、低介电常数绝缘膜的形成方法及半导体器件
14、 绝缘栅型半导体装置
15、 绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法
16、 具有改进开关特性的硅上绝缘体LD金属氧化物半导体结构
17、 含低介电常数绝缘膜的半导体装置的制造方法
18、 绝缘膜用材料，绝缘膜用罩光清漆，以及绝缘膜和采用该膜或该清漆的半导体装置
19、 耐热性树脂的预聚体，耐热性树脂，绝缘膜和半导体装置
20、 形成半导体器件中金属间绝缘层的方法
21、 用于在半导体器件的诸金属布线之间形成绝缘薄膜的方法
22、 硅半导体二极管元件和芯片与绝缘胴体的结构及其制法
23、 金属氧化物半导体绝缘工艺
24、 带有MIS(金属-绝缘体-半导体)_集成电容器的单片集成电路
25、 带有埋置绝缘氧化物区的金属氧化物半导体晶体管☎15542181913
26、 具有改良的绝缘栅型晶体管的半导体器件
27、 半导体装置的层间绝缘膜的形成方法
28、 绝缘半导体管壳
29、 制造绝缘体上的硅结构的半导体器件的方法
30、 评价用于形成绝缘膜的硅氧烷的方法、形成绝缘膜的涂布液及其制备、半导体器件用绝缘膜成型方法以及采用绝缘......
31、 用以形成半导体装置的中间层绝缘薄膜的方法
32、 形成半导体器件的层间绝缘膜的方法
33、 具有间断绝缘区的半导体IC器件及其制造方法
34、 包括绝缘膜的半导体器件及其制造方法
35、 场绝缘膜上表面平坦的半导体器件及其方法
36、 半导体器件用的绝缘薄膜
37、 硅化物层和绝缘层之间不发生分离的半导体器件加工工艺
38、 具有极化兼容缓冲层的金属绝缘体半导体结构
39、 一种层间绝缘膜受到保护的半导体器件和☎15542181913
40、 含大量绝缘栅场效应晶体管的高集成电路半导体器件
41、 具有半绝缘多晶硅吸杂位置层的半导体衬底及其制造方法
42、 能用低介电常数非晶氟化碳膜作为层间绝缘材料的半导体器件及其制备方法
43、 具有金属－绝缘膜－半导体三层结构的晶体管的制造方法
44 99107005 “绝缘体上的硅”半导体装置及其制造方法
45、 绝缘栅晶体管、其制造方法和半导体集成电路器件
46、 用于半导体装置中的绝缘膜和半导体装置
47、 半导体器件、静电放电保护元件及防护绝缘击穿的方法
48、 金属绝缘体金属或金属绝缘体半导体电子源的结构和制造方法
49、 在半导体基片上形成沟槽绝缘的方法
50、 金属绝缘体半导体类型的半导体器件及其制造方法
51、 具有低介电常数绝缘膜的半导体器件及其制造方法
52、 在半导体衬底中建立高导电性埋入的侧面绝缘区域的方法
53、 与半导体上绝缘通孔中的铜金属化层接触的方法和结构
54、 绝缘栅型半导体器件及其制造方法
55、 垂直型金属绝缘体半导体场效应晶体管及其制造方法
56、 具有金属－绝缘体－金属电容的半导体器件
57、 半导体或绝缘材料层的机械-化学新抛光方法
58、 具有绝缘栅极的半导体器件及其制造方法
59、 绝缘栅型半导体器件及其制法
60、 绝缘栅型半导体元件的栅极电路
61、 绝缘栅型双极型半导体装置
62、 稳定绝缘体基半导体器件的方法及绝缘体基半导体器件
63、 具有元件分离绝缘膜的半导体装置的制造方法
64、 增强雪崩型绝缘体基硅互补金属氧化物半导体器件的设计
65 99125881 “绝缘体上的硅”结构的半导体装置
66、 绝缘衬底、其☎15542181913及具有绝缘衬底的模块半导体器件
67、 减小绝缘体基外延硅半导体元件中电场强度的方法和器件
68、 通过栅形成的绝缘体上硅互补金属氧化物半导体体接触
69、 具有含氮栅绝缘膜的半导体器件及其制造方法
70、 耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
71、 腐蚀绝缘层和制作半导体器件的工艺
72、 具有多栅绝缘层的半导体器件及其制造方法
73、 绝缘栅功率半导体的栅极驱动
74、 具有晶体管栅极绝缘体的半导体器件
75、 硅绝缘体结构半导体器件
76、 半导体装置和“绝缘体上的半导体”衬底
77、 埋置绝缘层上硅晶片顶层中制作有半导体元件的半导体器件的制造方法
78、 具有绝缘体上硅结构的半导体器件及其制造方法
79、 制造绝缘层上硅的金属氧化物半导体场效应晶体管的方法
80、 金属－绝缘体－半导体场效应晶体管
81、 用于半导体和功率模件的绝缘衬底板
82、 具有绝缘栅型双极晶体管的半导体器件及其制造方法
83、 绝缘膜的形成方法及半导体器件的制造方法
84、 制造绝缘层和半导体器件的方法及由此形成的半导体器件
85、 一种广义的绝缘体上半导体薄膜材料及制备方法
86、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
87、 微机电系统器件加工中绝缘层与半导体导电层图形对准误差电学测试结构
88、 体约束的绝缘体上硅半导体器件及其制造方法
89、 绝缘膜的制造方法和半导体装置的制造方法
90、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
91、 绝缘栅型半导体装置
92、 绝缘栅型半导体装置
93、 以低介电常数为绝缘埋层的绝缘层上半导体结构及其方法
94、 绝缘体上半导体装置的制造方法
95、 半导体衬底及制备方法和在绝缘体上的硅与外延中的应用
96、 绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
97、 包括阻挡绝缘层的半导体器件以及相关方法
98、 两侧绝缘体上半导体结构及其制造方法
99、 绝缘材料、布线板和半导体器件
100、 使位于电绝缘材料表面上的半导体层的厚度降低和均匀化的方法
101、 具有沉积阻挡层的玻璃绝缘体上的半导体
102、 绝缘液体小片接合剂和半导体器件
103、 全包型陶瓷半导体绝缘加热装置
104、 非绝缘式电力半导体模块
105、 具有复合绝缘层的半导体封装结构
106、 具有复合绝缘层的半导体封装结构
107、 表面覆有无机半导体纳米薄膜的瓷或玻璃绝缘子
108、 硅绝缘体基片、半导体基片及它们的制造方法
109、 硅氧烷基树脂及用其制造的半导体的层间绝缘膜
110、 包含锗的硅氧烷基树脂和使用该树脂的半导体器件用间层绝缘膜
111、 硅氧烷基的树脂和使用其制造的半导体器件的层间绝缘膜
112、 制造具有绝缘性能提高的氮化膜的半导体器件的方法
113、 在绝缘膜上形成凹状图形的半导体装置及其制造方法
114、 集成半导体结构和应变绝缘硅的制造方法及应变绝缘硅
115、 具含纳米微粒绝缘层之半导体组件装置
116、 一种含镁锌氧的金属－绝缘层－半导体结构及制备工艺
117、 包含金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
118、 具金属-绝缘体-金属电容器之集成半导体产品
119、 绝缘体上半导体沟道结构
120、 为高级MIS半导体器件形成带凹槽的栅绝缘层的方法及用该方法获得的器件
121、 半导体装置的绝缘膜形成方法及半导体装置
122、 绝缘栅型半导体装置
123、 完全耗尽型绝缘层上硅结构的掺杂方法和包含所形成掺杂区的半导体器件
124、 半导体装置的具有低介电常数的绝缘层的淀积方法
125、 具有金属-绝缘体-金属电容器的半导体器件及制造方法
126、 生产具有半导体或绝缘体的金属复合团簇的方法及装置
127、 利用浅沟槽绝缘方法绝缘半导体器件的方法
128、 耐高压的绝缘体上的硅型半导体器件
129、 绝缘栅极型半导体装置及其制造方法
130、 制造过氧化物交联绝缘层和或半导体层电缆的方法和设备
131、 使用通过加热的化学反应和扩散制造化合物半导体和化合物绝缘体的方法、使用该方法制造的化合物半导体和化合......
132、 在基板上形成绝缘膜的方法、半导体装置的制造方法和基板处理装置
133、 半导体集成电路用绝缘膜研磨剂组合物及半导体集成电路的制造方法
134、 绝缘体上半导体装置和方法
135、 形成半导体基体上的绝缘膜的方法
136、 低消耗功率金属-绝缘体-半导体半导体装置
137、 在硅绝缘体基底上制造双载子互补式金氧半导体的方法
138、 作为在半导体器件中的层内和层间绝缘体的超低介电常数材料及其制造方法、以及包含该材料的电子器件
139、 含有绝缘栅场效应晶体管的半导体器件及其制造方法
140、 具有不同厚度栅极绝缘膜的半导体器件的制造方法
141、 具有硅绝缘体区域和体区域的半导体装置及其制造方法
142、 包括金属-绝缘体-金属电容器的集成电路装置和半导体装置
143、 多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制造方法、层间绝缘膜和半导体装置
144、 印刷电路板、半导体封装、基底绝缘膜以及互连衬底的制造方法
145、 含高介电常数绝缘膜的半导体设备和该设备的制造方法
146、 沉积方法、沉积设备、绝缘膜及半导体集成电路
147、 沸石溶胶及其制法、多孔膜形成用组合物、多孔膜及其制法、层间绝缘膜和半导体装置
148、 有机绝缘膜、其制造方法、使用该有机绝缘膜的半导体器件及其制造方法
149、 具有多栅极绝缘层的半导体装置及其制造方法
150、 绝缘体上硅衬底和半导体集成电路器件
151、 绝缘膜氮化方法、半导体装置及其制造方法、基板处理装置和基板处理方法
152、 应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
153、 绝缘体上半导体芯片及其制造方法
154、 形成多孔膜的组合物、多孔膜及其形成方法、层间绝缘膜和半导体器件
155、 具有凹陷抵抗埋入绝缘层的绝缘层上有半导体的结构及其制造方法
156、 具有沟渠绝缘的半导体电路装置及其制造方法
157、 绝缘衬底上制备高质量半导体晶体薄膜的方法
03108327 含绝缘体的半导体装置及其制造方法
159、 多孔膜形成用组合物，多孔膜的制备方法多孔膜、层间绝缘膜和半导体器件
160、 多孔膜形成用组合物、多孔膜制造法、多孔膜、层间绝缘膜及半导体装置
161、 一种*化镓基半导体-氧化物绝缘衬底及其制备方法
162、 绝缘栅型半导体器件
163、 在绝缘体上制造应变结晶层的方法和半导体结构及得到的半导体结构
164、 在绝缘体上的外延半导体结构和器件
165、 形成多孔膜的组合物，多孔膜和其制备方法层间绝缘膜和半导体器件
166、 具有电流控制电阻效应的掺杂半导体绝缘体半导体材料
167、 具有抗凹蚀绝缘层的半导体结构及其☎15542181913
168、 具多厚度绝缘层上半导体的结构及其形成方法
169、 具有有机聚合物栅极绝缘层的有机半导体晶体管的制造方法
170、 绝缘栅半导体器件及其制造方法
171、 具有绝缘涂层的半导体片式器件及其制造方法
172、 可剥离半导体绝缘屏蔽
173、 绝缘栅功率半导体器件
174、 贴合绝缘体基外延硅基片及其制造方法与半导体装置
175、 生产绝缘膜的涂料组合物、使用该涂料组合物制备绝缘膜的方法、由其得到的用于半导体器件的绝缘膜及含有该绝......
176、 具有形成在电容器上的可流动绝缘层的半导体装置及其制造方法
177、 绝缘栅型半导体器件
178、 具源极穿孔绝缘体硅基板上金氧半导体晶体管
179、 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
180、 使用共混溶液形成半导体层和绝缘层而制备底栅薄膜晶体管的改进方法
181、 导电和绝缘准氧化锌衬底及垂直结构的半导体发光二极管
182、 采用突变金属-绝缘体转变半导体材料的二端子半导体器件
183、 绝缘栅半导体器件及其新型自对准制造方法
184、 具有注入漏极漂移区和厚底部氧化物的沟槽金属-绝缘体-半导体器件及其制造方法
185、 绝缘横向双扩散金属氧化物半导体（LDMOS）集成电路技术
186、 双浅沟绝缘半导体装置及其制造方法
187、 具沟渠绝缘的半导体组件及其制造方法
188、 半绝缘衬底长波长半导体激光器及其☎15542181913
189、 用于具有遵循表面轮廓的电绝缘材料层的功率半导体的布线工艺
190、 薄型绝缘半导体之绝缘间隙壁
191、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
192、 半导体芯片中具有降低的电压相关性的高密度复合金属-绝缘体-金属电容器
193、 采用绝缘体-半导体转换材料层作为沟道材料的场效应晶体管及其制造方法
194、 局部放电减少的绝缘功率半导体模块及制造方法
195、 包括金属-绝缘体-金属电容器排列的半导体器件
196、 电容绝缘膜及其制造方法、电容元件及其制造方法和半导体存储装置及其制造方法
197、 绝缘衬底和半导体器件
198、 应变半导体覆绝缘层型基底及其制造方法
199、 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
200、 绝缘膜以及半导体器件的制造方法
201、 含有机硅烷化合物的绝缘膜用材料及其制法及半导体装置
202、 金属绝缘体半导体晶体管和互补金属氧化物半导体晶体管
203、 具有半导体层及其下电绝缘层的半导体晶片及其制造方法
204、 半导体装置及互补型金属绝缘半导体逻辑电路
205、 包括高介电常数绝缘层的半导体器件及其制造方法
206、 抗高温应力的应力绝缘体上半导体结构
207、 半导体装置及该半导体装置用绝缘衬底
208、 具有栅极绝缘膜的半导体装置及其制造方法
209、 快速开关功率绝缘栅半导体器件
210、 绝缘栅型半导体器件及其制造方法
211、 含有电路元件和绝缘膜的半导体模块及其制造方法以及其应用
212、 绝缘膜的形成方法及其形成系统、半导体装置的制造方法
213、 已处理的半导体晶片的固定的、绝缘的和导电的连接
214、 绝缘栅型半导体装置、制造方法及保护电路
215、 制造绝缘体上应变半导体衬底的方法
216、 具有铁电膜作为栅极绝缘膜的半导体器件及其制造方法
217、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
218、 采用局部绝缘体上半导体制作半导体器件的方法
219、 金属-绝缘体-半导体器件的制造方法
220、 半导体器件及改善体接触绝缘体上硅(SOI)场效应晶体管的方法
221、 半导体均压层和中导电性硅橡胶及制备合成绝缘子的工艺
222、 金属-绝缘-金属结构的电容器、半导体装置及制造方法
223、 输出电压检测电路、绝缘型开关电源及半导体器件
224、 半导体元件及制造镶嵌结构中的金属绝缘金属电容的方法
225、 生产高密度半导体功率器件的钴-硅接触绝缘金属工艺
226、 平面超薄绝缘体上半导体沟道MOSFET及其制造方法
227、 具有金属绝缘体转换膜电阻器的半导体存储器件
228、 绝缘栅半导体器件
229、 在绝缘体半导体器件上的半导体及其制造方法
230、 评价用于半导体装置的绝缘膜的特性的方法以及形成该绝缘膜的方法
231、 具有半导体元件、绝缘基板和金属电极的半导体器件
232、 绝缘体上半导体的衬底以及由该衬底所形成的半导体装置
233、 应变绝缘体上半导体材料及制造方法
234、 形成半导体设备的绝缘层的方法
235、 绝缘体上半导体衬底和器件及其形成方法
236、 形成绝缘膜的组合物以及制造半导体器件的方法
237、 绝缘栅极半导体器件及其生产方法
238、 图案化有机材料以同时形成绝缘体和半导体的方法以及由此制成的器件
239、 应变绝缘体上半导体结构以及应变绝缘体上半导体结构的制造方法
240、 具有不同晶向硅层的绝缘体上硅半导体装置以及形成该绝缘体上硅半导体装置的方法
241、 栅极绝缘膜的形成方法、半导体装置和计算机记录介质
242、 应变全耗尽绝缘层上覆硅半导体装置及其制造方法
243、 用于半导体器件的绝缘膜沉积方法
244、 绝缘栅极型半导体装置
245、 绝缘膜半导体装置及方法
246、 具有超顺电性栅极绝缘体的半导体器件
247、 带有相互电绝缘的连接元件的功率半导体模块
248、 包含高应变玻璃玻璃-陶瓷的绝缘体上半导体结构
249、 绝缘栅型半导体装置
250、 绝缘体上半导体(SOI)结构及其制造方法
251、 具有半绝缘性氧化锌半导体薄膜与硅的异质结的光敏二极管
252、 绝缘膜、半导体器件及其制造方法
253、 形成绝缘膜的方法和制造半导体器件的方法
254、 绝缘栅型半导体装置
255、 绝缘膜的制造方法及半导体器件的制造方法
256、 绝缘膜材料、多层互连结构及其制造方法和半导体器件的制造方法
257、 制造绝缘体上半导体型异质结构的方法
258、 贮存用于形成半导体器件用夹层绝缘膜的涂布溶液的方法
259、 绝缘栅型半导体装置
260、 具有绝缘体上半导体（SOI）构造且在薄半导体层上包含超晶格的半导体器件及相关方法
261、 绝缘栅半导体器件及其制造方法
262、 半绝缘SiC半导体器件的欧姆接触☎15542181913
263、 氧化硅膜、其制备方法以及具有使用其的栅极绝缘膜的半导体器件
264、 半导体装置、电子系统、存储卡以及使引线绝缘的方法
265、 对绝缘体上半导体结构进行抛光的方法
266、 绝缘或半导体表面的改性方法和如此获得的产品
267、 大面积玻璃绝缘底半导体
268、 绝缘膜研磨用CMP研磨剂、研磨方法、通过该研磨方法研磨的半导体电子部件
269、 用于形成绝缘体上半导体（SOI）体接触器件的方法和设备
270、 用于形成半导体器件中的层间绝缘膜的方法
271、 具有正面衬底接触的绝缘体上半导体器件的制造方法
272、 绝缘配线基板及其制造方法和使用了该基板的半导体封装
273、 绝缘栅极型半导体器件及其制造方法
274、 改进的薄化法制造的玻璃绝缘体上的半导体
275、 具有绝缘体上半导体结构和超晶格的半导体器件及相关方法
276、 半绝缘氮化物半导体衬底及其制造方法、氮化物半导体外延衬底和场效应晶体管
277、 含有有机硅烷、有机硅氧烷化合物形成的绝缘膜用材料、其制造方法和半导体器件
278、 绝缘栅半导体器件及其新型自对准制造方法
279、 具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法
280、 使用辐照退火制造的绝缘体上半导体结构
281、 绝缘膜的形成方法和半导体装置的制造方法
282、 AlNGaN增强型金属-绝缘体-半导体场效应晶体管及其☎15542181913
283、 形成绝缘体上半导体结构的方法
284、 高压P型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
285、 高压N型绝缘体上硅的金属氧化物半导体管
286、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
287、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
288、 具有绝缘栅半导体元件的半导体器件和绝缘栅双极晶体管
289、 树脂组合物、带基材的绝缘片、半固化片、多层印刷布线板以及半导体装置
290、 利用浅沟槽绝缘方法绝缘半导体器件的方法
291、 制造绝缘体上半导体结构的方法
292、 具有低介电性绝缘膜的半导体器件及其制造方法
293、 半导体器件、金属-绝缘体-金属电容及其制造方法
294、 绝缘栅型半导体装置及其制造方法
295、 双（氨基*）衍生物及其制造方法以及聚酰胺树脂类、正型感光性树脂组合物、保护膜、层间绝缘膜、半导体装......
296、 绝缘栅型半导体装置
297、 一种绝缘结构的形成方法和半导体结构
298、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
299、 N型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
300、 P型绝缘体上硅的横向双扩散金属氧化物半导体晶体管
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