形成蚀刻生产加工工艺技术及制造大全
1、 蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
2、 形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法
3、 形成具有抗蚀刻效应的光阻的方法
4、 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
5、 形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法
6、 相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂，其使用方法和形成的结构
7、 使激光蚀刻表面上所形成的衍射槽纹最小化的方法
8、 在不锈钢管上形成蚀刻图案的方法
9、 化学蚀刻形成盲孔的多层电路板制法
10、 利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
11、 使用选择蚀刻技术形成超导器件的方法
12、 可形成均匀蚀刻液膜的装置
13、 可减少金属蚀刻残留物的形成导电结构层的方法
14、 使用选择性蚀刻形成存储器的隔离结构的方法
15、 用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法
16、 蚀刻阻挡层及其形成方法
17、 蚀刻硅化镍和硅化钴的方法和形成导线的方法
18、 以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法
19、 蚀刻氧化物、减少粗糙度和形成电容器构造的方法
20、 蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法
21、 掩膜形成方法其形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法
22、 使用聚合物蚀刻掩模在灯丝中形成离散微孔隙的方法及设备
23、 形成半导体镶嵌结构的蚀刻制程
24、 清除由形成通孔的处理所产生的蚀刻残余物的方法
25、 蚀刻方法和用于形成蚀刻保护层的组合物
26、 具有双蚀刻停止衬里和重新形成的硅化物层的器件及相关方法
27、 蚀刻液和补给液以及使用它们的导体图案的形成方法
28、 适用于形成集成电路互连和器件的金属-金属氧化物蚀刻阻滞电子迁移屏蔽的方法
29、 用于包括反射电极的叠合膜的蚀刻组合物以及用于形成叠层布线结构的方法
30、 蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置
31、 蚀刻溶液及利用包括该溶液的过程形成半导体器件的方法
32、 门板表层，蚀刻板以形成门板表层内的木质纹理图案的方法以及该方法形成的蚀刻板
33、 蚀刻方法及使用该方法的接触孔的形成方法
34、 蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法
35、 湿蚀刻后的清洗方法及应用其的薄膜晶体管形成方法
36、 利用单一蚀刻步骤形成硅尖角以及形成浮置栅极的方法
37、 用于形成蚀刻停止层的组合物
38、 形成抗蚀刻保护层的方法
39、 蚀刻方法及接触窗开口的形成方法
40、 形成接触窗开口的蚀刻方法
41、 不需要poly2的用于掩埋条形窗形成的凹陷环状蚀刻
42、 电解电容器用铝箔和形成蚀坑的蚀刻法
43、 形成蚀刻掩模的方法
44、 蚀刻方法及开口的形成方法
45、 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法
46、 蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺
47、 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法
48、 光蚀刻用冲洗液和抗蚀图案形成方法
49、 光蚀刻用显影液组合物与抗蚀图案的形成方法
50、 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法
51、 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法
52、 通过形成具有不同改质的本身应力的蚀刻阻碍层以于不同沟道区域中产生不同机械应力的方法
53、 形成用于高孔径比应用的各向异性特征图形的蚀刻方法
54、 形成无蚀刻停止层的双镶嵌结构的方法
55、 形成用于高孔径比应用的各向异性特征图形的蚀刻方法
56、 光蚀刻用清洗液及抗蚀图案的形成方法
57、 在连续在线阴影掩模沉积工序中利用选择性等离子蚀刻形成过孔的系统及方法
58、 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法
59、 半导体器件中用硬掩模层的蚀刻斜坡形成精细图案的方法
60、 蚀刻铝垫层的方法及凸点的形成方法
61、 蚀刻溶液、基板的表面处理方法及形成浅沟槽隔离的方法
62、 氧化物类TFT、锌氧化物类蚀刻剂及形成方法
63、 蚀刻液及导体图案的形成方法
64、 用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物
65、 蚀刻掩膜形成方法、控制程序以及程序存储介质
66、 FET结构及其使用择优晶体蚀刻的形成方法
67、 使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法
68、 蚀刻方法及其在多层堆叠中形成孔的应用
69、 用于形成高纵横比特征和相关联结构的选择性蚀刻化学
70、 蚀刻液和使用了该蚀刻液的铜配线的形成方法
71、 使用蚀刻停止层形成贯穿晶片电学互连及其它结构
72、 用各向同性蚀刻来形成精细图案的方法
73、 蚀刻到含氧化硅材料中的方法、形成容器电容器的方法和形成动态随机存取存储器（DRAM）阵列的方法
74、 蚀刻图案层以在其中形成交错高度的方法和中间半导体装置结构
75、 在衬底上形成多阶表面的蚀刻方法
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2、 形成具有高深宽比的沟槽的蚀刻方法
3、 形成具有抗蚀刻效应的光阻的方法
4、 利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
5、 形成黏性强化层于铜层与蚀刻停止层间的方法
6、 相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂，其使用方法和形成的结构
7、 使激光蚀刻表面上所形成的衍射槽纹最小化的方法
8、 在不锈钢管上形成蚀刻图案的方法
9、 化学蚀刻形成盲孔的多层电路板制法
10、 利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
11、 使用选择蚀刻技术形成超导器件的方法
12、 可形成均匀蚀刻液膜的装置
13、 可减少金属蚀刻残留物的形成导电结构层的方法
14、 使用选择性蚀刻形成存储器的隔离结构的方法
15、 用于在形成通至导电部件的触点时减少电介质过蚀刻的方法
16、 蚀刻阻挡层及其形成方法
17、 蚀刻硅化镍和硅化钴的方法和形成导线的方法
18、 以两阶段蚀刻方式在半导体基材上形成熔丝窗的方法
19、 蚀刻氧化物、减少粗糙度和形成电容器构造的方法
20、 蚀刻侧壁的方法及形成半导体结构的方法
21、 掩膜形成方法其形成用功能层、干蚀刻法及信息记录媒体制法
22、 使用聚合物蚀刻掩模在灯丝中形成离散微孔隙的方法及设备
23、 形成半导体镶嵌结构的蚀刻制程
24、 清除由形成通孔的处理所产生的蚀刻残余物的方法
25、 蚀刻方法和用于形成蚀刻保护层的组合物
26、 具有双蚀刻停止衬里和重新形成的硅化物层的器件及相关方法
27、 蚀刻液和补给液以及使用它们的导体图案的形成方法
28、 适用于形成集成电路互连和器件的金属-金属氧化物蚀刻阻滞电子迁移屏蔽的方法
29、 用于包括反射电极的叠合膜的蚀刻组合物以及用于形成叠层布线结构的方法
30、 蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置
31、 蚀刻溶液及利用包括该溶液的过程形成半导体器件的方法
32、 门板表层，蚀刻板以形成门板表层内的木质纹理图案的方法以及该方法形成的蚀刻板
33、 蚀刻方法及使用该方法的接触孔的形成方法
34、 蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法
35、 湿蚀刻后的清洗方法及应用其的薄膜晶体管形成方法
36、 利用单一蚀刻步骤形成硅尖角以及形成浮置栅极的方法
37、 用于形成蚀刻停止层的组合物
38、 形成抗蚀刻保护层的方法
39、 蚀刻方法及接触窗开口的形成方法
40、 形成接触窗开口的蚀刻方法
41、 不需要poly2的用于掩埋条形窗形成的凹陷环状蚀刻
42、 电解电容器用铝箔和形成蚀坑的蚀刻法
43、 形成蚀刻掩模的方法
44、 蚀刻方法及开口的形成方法
45、 蚀刻金属层的组合物以及使用其形成金属图案的方法
46、 蚀刻介电层形成接触窗和介层窗的方法以及镶嵌工艺
47、 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法
48、 光蚀刻用冲洗液和抗蚀图案形成方法
49、 光蚀刻用显影液组合物与抗蚀图案的形成方法
50、 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法
51、 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模具及其制造方法
52、 通过形成具有不同改质的本身应力的蚀刻阻碍层以于不同沟道区域中产生不同机械应力的方法
53、 形成用于高孔径比应用的各向异性特征图形的蚀刻方法
54、 形成无蚀刻停止层的双镶嵌结构的方法
55、 形成用于高孔径比应用的各向异性特征图形的蚀刻方法
56、 光蚀刻用清洗液及抗蚀图案的形成方法
57、 在连续在线阴影掩模沉积工序中利用选择性等离子蚀刻形成过孔的系统及方法
58、 干蚀刻方法、微细结构形成方法、模板及模板的制造方法
59、 半导体器件中用硬掩模层的蚀刻斜坡形成精细图案的方法
60、 蚀刻铝垫层的方法及凸点的形成方法
61、 蚀刻溶液、基板的表面处理方法及形成浅沟槽隔离的方法
62、 氧化物类TFT、锌氧化物类蚀刻剂及形成方法
63、 蚀刻液及导体图案的形成方法
64、 用于形成薄膜晶体管液晶显示装置中的电路的蚀刻剂组合物
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66、 FET结构及其使用择优晶体蚀刻的形成方法
67、 使用凸点下金属层用蚀刻组合物形成凸点结构的方法
68、 蚀刻方法及其在多层堆叠中形成孔的应用
69、 用于形成高纵横比特征和相关联结构的选择性蚀刻化学
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71、 使用蚀刻停止层形成贯穿晶片电学互连及其它结构
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74、 蚀刻图案层以在其中形成交错高度的方法和中间半导体装置结构
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