氢等离子体工艺技术资料-原料等离子体-阻挡等离子体类资料
0056-0001、微波等离子体处理装置、等离子体点火方法、等离子体形成方法及等离子体处理方法
0086-0002、等离子体处理装置和等离子体处理方法
0120-0003、蒸汽等离子体高温热解有机废物的反应炉
0075-0004、净化铜或镍的等离子体处理
0116-0005、硅溶胶改性Mg-Li合金表面等离子体氧化处理液及处理方法
0082-0006、等离子体灭菌装置*加注系统
0091-0007、半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法
0029-0008、通过基于氢的等离子体进行处理的材料净化
0001-0009、抗反射膜，N表面氢等离子体处理方法
0115-0010、等离子体氧化处理方法和半导体装置的制造方法
0100-0011、清洗液以及移除等离子体工艺后的残余物的方法
0023-0012、化石燃料转化成富氢气体的等离子体转化器
0016-0013、用等离子体转化生物有机质的方法及设备
0067-0014、等离子体显示屏
0114-0015、水为原料的低温等离子体制氢方法、工艺及设备
0053-0016、利用等离子体技术沉积复合型耐腐蚀层和亲水层的方法
0066-0017、等离子体蚀刻方法
0057-0018、碳化硅的等离子体刻蚀
0081-0019、以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法
0087-0020、半导体装置、半导体装置的制造方法及等离子体CVD用气体
0009-0021、等离子体喷管中的电极损耗
0127-0022、弧光放电等离子体制备导电层的金刚石晶体管
0055-0023、等离子体处理装置和等离子体处理方法
0074-0024、等离子体显示板
0093-0025、微波等离子体处理装置、等离子体点火方法、等离子体形成方法及等离子体处理方法
0124-0026、矩形筒状低真空射频等离子体灭菌装置
0037-0027、低温等离子体协同直流电场汽车尾气净化器
0125-0028、*等离子体和*两用低温灭菌系统
0002-0029、用等离子体热解气化生物质制取合成气的方法
0040-0030、低温等离子体灭菌机
0076-0031、用于形成等离子体的设备和方法
0065-0032、以煤炭液化残渣为原料等离子体制备纳米炭材料的方法
0045-0033、金属氧化物纳米粒子的等离子体合成
0007-0034、销毁有毒废物的方法和等离子体化学反应器
0118-0035、等离子体沉积微孔分析物检测层
0024-0036、高密度等离子体化学气相淀积方法
0021-0037、常温等离子体转化*制碳黑的方法
0122-0038、直流辉光等离子体实验装置
0003-0039、利用等离子体的耐腐蚀亲水性多层膜形成的方法
0080-0040、研究直流辉光等离子体的实验装置
0123-0041、圆筒形低真空射频等离子体灭菌装置
0054-0042、等离子体分解法制备类金刚石薄膜的方法及其装置
0126-0043、*真空等离子体低温灭菌装置
0073-0044、等离子体消毒用指示剂和消毒用包装材料
0014-0045、钽喷丝头表面等离子体强化技术
0020-0046、从钽卤化物前体得到的热化学气相沉积钽氮化物膜的等离子体处理方法
0094-0047、等离子体蚀刻方法
0011-0048、热阴极辉光等离子体化学相沉积制备金刚石膜的工艺
0049-0049、低温等离子体节油尾气净化装置
0071-0050、等离子体处理方法及后处理方法
0059-0051、用氢气和氧气的等离子体进行丙烯环氧化的装置和方法
0035-0052、偶合式表面波等离子体发生器
0008-0053、在氢(或同位素、等离子体中的核聚变进行控制的装置
0012-0054、带有集成的反应气体源的等离子体寻址液晶显示装置
0041-0055、直流辉光等离子体化学气相沉积方法制备碳纳米管的工艺
0096-0056、等离子体处理装置和等离子体处理方法
0013-0057、与氢气源集成的等离子体寻址液晶显示板
0032-0058、脉冲式等离子体镀膜方法
0046-0059、微波氢等离子体制备金属硅化物薄膜的方法
0004-0060、用于工件的等离子体清洗的方法和装置
0105-0061、等离子体蚀刻方法
0005-0062、经微波等离子体刻蚀的一维纳米碳储氢材料及其制备方法
0108-0063、橡胶组合物、等离子体处理装置用密封材料
0069-0064、等离子体处理方法
0111-0065、利用由氮氢混合物形成的气态等离子体进行消毒的装置
0090-0066、内燃机废气电气体发电及等离子体化学反应制氢方法
0017-0067、用等离子体转化炉生产氢气的方法和装置
0129-0068、并联式低温等离子体灭菌装置
0015-0069、可调且可去除的等离子体淀积的抗反射涂层
0058-0070、等离子体处理的织物平面结构和其制造方法及应用
0070-0071、在SHF放电等离子体中从气相沉积金刚石薄膜的高速方法和实施所述方法的装置
0072-0072、直流辉光等离子体化学气相沉积氧化锌薄膜的系统及制备工艺
0079-0073、等离子体灰化装置和终点检测方法
0117-0074、用于去除表面层而不损失基片的中等压力等离子体系统
0109-0075、电子回旋共振等离子体化学汽相淀积氮化硅薄膜的方法
0028-0076、等离子体衍射电极
0083-0077、利用非平衡等离子体制氢的发生装置及方法
0064-0078、增加氢等离子体炬稳定性和功率的方法
0062-0079、热等离子体裂解含*气体制*方法
0039-0080、氢镍电池隔膜等离子体改性处理设备
0031-0081、一种用于汽车尾气治理的电晕放电等离子体反应器
0027-0082、增加等离子体增强化学气相沉积电介质薄膜压应力的方法
0036-0083、一种高频低温等离子体消毒灭菌装置
0068-0084、用垃圾、生物质和水为原料的等离子体制氢方法及设备
0018-0085、利用热灯丝直流等离子体进行金刚石成核和沉积的设备及方法
0078-0086、用于产生低能氢物种的等离子体反应器和处理
0102-0087、低热导率材料上氮化钽扩散阻挡区域的等离子体增强原子层沉积
0098-0088、等离子体处理装置和等离子体处理方法
0107-0089、大气常压液固介质阻挡等离子体煤液化的方法
0052-0090、用于等离子体显示器的电介质/间隔壁复合物及其制造方法
0026-0091、一种利用等离子体衍射制氢的反应器
0048-0092、等离子体质谱分光计
0099-0093、含水乙醇制备富氢混合气的方法及其等离子体重整器
0050-0094、氮化钽及双层的等离子体增强原子层淀积
0092-0095、利用大功率等离子体发生器制备碳纳米管的方法
0033-0096、纳米晶硅的等离子体沉积方法
0025-0097、非平衡等离子体式喷雾杀菌消毒剂发生装置
0103-0098、用于增加光阻移除率之装置及等离子体灰化方法
0063-0099、使用非热放电等离子体的化学处理
0042-0100、配备有等离子体处理模块的消毒设备和消毒方法
0051-0101、一种等离子体重整制备富氢气的方法及其装置
0097-0102、氢等离子体还原法制备金属磷化物加氢精制催化剂的方法
0089-0103、等离子体处理方法以及等离子体处理装置
0006-0104、等离子体消毒装置
0110-0105、等离子体化学汽相淀积氟化非晶碳膜的方法及膜层结构
0022-0106、使用等离子体降低P型掺杂薄膜阻值的活化方法
0119-0107、一种等离子体重整制备富氢气的装置
0112-0108、含硅膜的等离子体增强周期化学气相沉积
0010-0109、直流电弧等离子体方法生产镍(或铁、超微粉的工艺
0104-0110、半导体装置的制造方法和等离子体氧化处理方法
0084-0111、使用高密度等离子体化学气相沉积填充缝隙的方法和沉积材料的方法
0077-0112、等离子体装置用于等离子体装置的气体分布组件及其方法
0061-0113、经微波等离子体刻蚀及储氢金属或储氢合金修饰的富勒烯储氢材料
0043-0114、等离子体反应用气体、其制备方法和应用
0101-0115、氢等离子体条件下丙烷脱氢制备丙烯的装置
0113-0116、利用非平衡等离子体消除挥发性有机物同时制氢的装置
0047-0117、利用等离子体发射光谱仪同时测定灰玻中着色元素含量的方法
0128-0118、低温等离子灭菌装置中等离子体的检测装置
0034-0119、透明导电氧化物的等离子体沉积方式
0044-0120、用低能量等离子体增强化学气相沉积法形成高迁移率硅锗结构
0085-0121、一种氨分解制氢的等离子体催化方法
0060-0122、经微波等离子体刻蚀的富勒烯储氢材料及其制备方法
0095-0123、等离子体显示板
0030-0124、用于在常压等离子体中疏水和超疏水处理的表面涂覆方法
0038-0125、汽油机等离子体分层燃烧装置
0121-0126、等离子体灭菌装置*加注系统
0019-0127、一种高频低温等离子体消毒灭菌方法和设备
0106-0128、包括具有氢流速渐变的光刻胶等离子体老化步骤的蚀刻方法
0088-0129、含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物 ，
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0120-0003、蒸汽等离子体高温热解有机废物的反应炉
0075-0004、净化铜或镍的等离子体处理
0116-0005、硅溶胶改性Mg-Li合金表面等离子体氧化处理液及处理方法
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0053-0016、利用等离子体技术沉积复合型耐腐蚀层和亲水层的方法
0066-0017、等离子体蚀刻方法
0057-0018、碳化硅的等离子体刻蚀
0081-0019、以高源和低轰击等离子体提供高蚀刻速率的电介质蚀刻方法
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