蚀刻硅工艺技术资料-蚀刻油墨-环状蚀刻-蚀刻碳-堆类资料
0019-0001、有助于残留物去除的各向同性电阻器保护蚀刻
0055-0002、最小化湿法蚀刻底切度并提供极低K值(K，2.5、电介质封孔的方法
0127-0003、时分复用(TDM、蚀刻工艺中的过程控制方法及设备
0173-0004、碳氟化合物蚀刻化学剂中使用氢气添加剂的掺碳的硅氧化物蚀刻
0128-0005、具有高的湿蚀刻速率的硅氧烷树脂型抗反射涂料组合物
0081-0006、用于微蚀刻玻璃基板的熔体的pH调整
0181-0007、蚀刻液的再生方法蚀刻方法及蚀刻装置
0072-0008、通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔
0067-0009、蚀刻高长径比零件的方法
0161-0010、等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
0098-0011、干蚀刻方法
0155-0012、移除栅极上的金属硅化物层的方法及蚀刻方法
0108-0013、使用非晶硅碳罩幕蚀刻铝层的方法
0121-0014、包括两个氮化硅蚀刻步骤的填充隔离槽的双后撤方法
0035-0015、光刻蚀刻制作工艺
0120-0016、蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置
0178-0017、利用H2添加物对具有高介电常数的膜的选择性蚀刻
0135-0018、干蚀刻方法
0027-0019、硬蚀刻掩模
0018-0020、相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂其使用方法和形成的结构
0089-0021、蚀刻剂及其在提高蚀刻选择比上的应用
0157-0022、碳化硅单晶及其蚀刻方法
0071-0023、利用氧化线间隙壁与回蚀刻制造DRAM晶胞结构的方法
0046-0024、表征硅表面缺陷的方法、用于硅表面的蚀刻组合物以及用蚀刻组合物处理硅表面的方法
0034-0025、用于蚀刻碳掺杂有机硅酸盐玻璃的方法和装置
0069-0026、用于显微机械加工晶体材料的蚀刻方法以及由此方法制备的器件
0169-0027、光蚀刻用清洗液及使用其的清洗方法
0008-0028、用于无机表面的蚀刻糊
0162-0029、从蚀刻沟槽中移除聚合物涂层的方法
0160-0030、将背面曝光用于嵌入式相移掩模聚焦离子束蚀刻的方法
0062-0031、金属氮化物的选择性湿蚀刻
0131-0032、钛、铝金属层叠膜蚀刻液组合物
0115-0033、用于缓冲酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂
0049-0034、用二氟化氙选择性蚀刻氮化钛
0054-0035、低蚀刻性光刻胶清洗剂
0146-0036、在基片处理过程中选择性蚀刻氮化硅的系统和方法
0183-0037、对光刻胶具有高选择比的无卤素无定形碳掩膜蚀刻方法
0070-0038、等离子体蚀刻方法
0092-0039、多晶硅的蚀刻方法
0154-0040、耐久性优异的等离子体蚀刻用硅电极板
0006-0041、一种用于制造半导体组件的干式蚀刻方法
0031-0042、用于蚀刻含有二氧化硅的层的方法
0032-0043、具有蚀刻背面的磷硅酸盐玻璃层的全集成热喷墨打印头
0166-0044、蚀刻方法和蚀刻设备
0040-0045、蚀刻方法以及半导体器件的制造方法
0102-0046、有机绝缘膜的蚀刻方法和双波纹处理方法
0119-0047、蚀刻系统及其蚀刻液处理方法
0001-0048、介电层的蚀刻制程
0080-0049、生产结构体的方法和氧化硅膜用蚀刻剂
0113-0050、蚀刻构图的硅氧烷层的方法
0110-0051、蚀刻方法、程序、记录介质和等离子体处理装置
0165-0052、用于制造具有蚀刻终止层的绝缘体上硅（SOI）晶片的方法
0141-0053、等离子蚀刻法
0168-0054、用于蚀刻的牺牲基底
0013-0055、多晶硅栅极蚀刻后的无机抗反射涂层的干式各向同性移除
0074-0056、在晶体管栅极结构上使用抗蚀刻衬里的方法和结构
0111-0057、具有双蚀刻停止衬里和重新形成的硅化物层的器件及相关方法
0149-0058、双掺杂多晶硅及锗化硅的蚀刻
0053-0059、蚀刻硅化镍和硅化钴的方法和形成导线的方法
0009-0060、改善蚀刻多晶硅的均匀性和减少其蚀刻速率变化的方法
0015-0061、利用微影蚀刻制程制作喷墨式打印头的喷孔片的方法
0063-0062、蚀刻中止层的重作方法
0163-0063、在等离子体蚀刻处理期间保护硅或碳化硅电极表面免于形态改性的方法
0133-0064、含钛层用蚀刻液以及含肽层的蚀刻方法
0050-0065、蚀刻阻挡层及其形成方法
0042-0066、用于半导体晶片的碱性蚀刻溶液和碱性蚀刻方法
0003-0067、等离子体蚀刻气体
0033-0068、用于有机蚀刻的侧壁钝化的方法和装置
0088-0069、蚀刻方法
0116-0070、用于含水酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂
0117-0071、蚀刻金属氧化物半导体栅极构造的氮氧化方法
0052-0072、一种硅薄膜光电池的电极图案及蚀刻方法
0078-0073、蚀刻高介电常数材料和清洗用于高介电常数材料的沉积室的方法
0132-0074、蚀刻含硅材料的物质的方法以及形成微机械结构的方法
0068-0075、蚀刻方法、蚀刻装置以及半导体器件的制造方法
0024-0076、利用氟化气体混合物进行硅的等离子体蚀刻
0073-0077、蚀刻期间保持STI的结构和方法
0118-0078、含硅介电材料的蚀刻方法
0148-0079、发光器件基片的蚀刻
0107-0080、蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
0026-0081、从氧化硅膜选择蚀刻氮化硅膜的方法
0130-0082、在蚀刻浅沟槽之前预锥形硅或硅-锗的工艺
0151-0083、形成蚀刻掩模的方法
0016-0084、用于清洁半导体设备上有机残余物和等离子蚀刻残余物的组合物
0059-0085、清洗CVD腔室的热F2蚀刻方法
0028-0086、防蚀刻洗瓶溶液
0048-0087、具有降低的蚀刻率微负载的钨硅化物蚀刻处理
0058-0088、氧化物的选择性湿蚀刻
0158-0089、等离子体蚀刻方法和计算机可读取的存储介质
0156-0090、等离子体蚀刻方法和半导体装置的制造方法
0122-0091、蚀刻氮化硅薄膜的设备及方法
0153-0092、用于金属栅极集成的栅极堆叠及栅极堆叠蚀刻顺序
0047-0093、低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
0139-0094、形成抗蚀刻保护层的方法
0064-0095、蚀刻量检测方法、蚀刻方法和蚀刻装置
0101-0096、相对于掺杂的碳化硅选择蚀刻有机硅酸盐玻璃的方法
0007-0097、一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层
0056-0098、蚀刻氧化物、减少粗糙度和形成电容器构造的方法
0097-0099、清洁气和蚀刻气
0104-0100、干蚀刻方法
0036-0101、构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法
0066-0102、等离子体处理法、等离子体蚀刻法、固体摄像元件的制法
0077-0103、消除金属导电层的静电使蚀刻完全的方法
0060-0104、控制氮化硅蚀刻槽的装置与方法
0029-0105、利用多晶硅半球的晶粒回蚀刻来形成电容器的方法
0021-0106、半导体器件制造工艺中的等离子体蚀刻法
0022-0107、采用蚀刻技术制作电容的方法
0184-0108、使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件
0085-0109、使用离散气体切换方法的高纵横比/深度蚀刻中的侧壁平滑
0004-0110、蚀刻多晶硅层以形成多晶硅闸极的方法
0014-0111、降低氮化硅的湿蚀刻速率的方法
0023-0112、含有环状氟化磺酸盐表面活性剂蚀刻溶液
0175-0113、钛、铝金属层叠膜蚀刻液组合物
0011-0114、在栅极蚀刻处理后用湿式化学方法去除氧氮化硅材料
0010-0115、利用化学干蚀刻形成圆弧化边角的方法
0143-0116、制作半导体元件的方法和选择性蚀刻氮化硅层的方法
0017-0117、用于有机硅酸盐玻璃的低K蚀刻应用中的蚀刻后由氢进行的光刻胶剥离
0079-0118、用于蚀刻硅晶片的高纯度碱蚀刻溶液及硅晶片的碱蚀刻方法
0147-0119、一种蚀刻高介电常数材料的方法
0041-0120、衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺
0012-0121、蚀刻剂及蚀刻方法
0091-0122、蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统
0045-0123、具有连续接触蚀刻停止层的金属氧化物半导体元件
0109-0124、等离子体蚀刻方法
0083-0125、具有改进型抗蚀剂及/或蚀刻轮廓特征的介电膜用蚀刻方法
0114-0126、用于后蚀刻残余物的胶束技术
0112-0127、具有双蚀刻停止衬里和保护层的器件及相关方法
0090-0128、绝缘膜的蚀刻方法
0076-0129、蚀刻方法及蚀刻装置
0084-0130、可聚合组合物聚合物抗蚀剂及蚀刻方法
0171-0131、通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法
0150-0132、干蚀刻方法
0005-0133、粗蚀刻硅太阳能电池的工艺
0167-0134、制作栅极与蚀刻导电层的方法
0030-0135、在掩膜二氧化硅上钻孔的等离子蚀刻方法
0038-0136、用于ARC材料的减小sy的蚀刻工艺
0137-0137、用于切割非晶态金属形状的选择性蚀刻工艺以及通过该工艺而制成的元件
0087-0138、用于硅表面和层的蚀刻糊
0138-0139、蚀刻硅的改进方法
0061-0140、等离子体蚀刻方法和装置、控制程序和计算机存储介质
0043-0141、一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
0124-0142、蚀刻方法及蚀刻装置
0145-0143、微电子衬底的湿法蚀刻处理用旋涂保护涂层
0129-0144、反应性离子蚀刻用掩膜材料、掩膜以及干蚀刻方法
0057-0145、用于二氧化硅层和下部硅层的蚀刻和掺杂组合介质
0152-0146、蚀刻方法及开口的形成方法
0020-0147、检测接触窗蚀刻结果的方法
0126-0148、蚀刻方法与应用此蚀刻方法之薄膜晶体管的制造方法
0142-0149、硅的各向异性湿式蚀刻
0176-0150、增强等离子体蚀刻性能的方法
0180-0151、低蚀刻性光刻胶清洗剂
0096-0152、使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程
0093-0153、避免硅层蚀刻不均匀的方法
0105-0154、在蚀刻处理后移除聚合物的方法
0140-0155、形成接触窗开口的蚀刻方法
0100-0156、防止阻挡层被过度蚀刻的方法与结构及其应用
0172-0157、蚀刻高k电解质材料的方法
0099-0158、干蚀刻方法
0174-0159、多晶硅控制的回蚀刻显示器
0136-0160、用于形成蚀刻停止层的组合物
0159-0161、制作深沟渠电容和蚀刻深沟渠开口的方法
0164-0162、等离子体蚀刻方法
0170-0163、单晶硅太阳能电池化学蚀刻、清洗、干燥的方法和它的一体化处理机
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0044-0165、利用图案掩模的等离子体蚀刻法
0002-0166、用以监控双载子晶体管射极窗蚀刻制程的方法
0051-0167、使用蚀刻阻挡区的干法蚀刻系统的系统和方法
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0125-0170、深沟渠的制备方法及其蚀刻混合液
0094-0171、硅化钌湿法蚀刻
0039-0172、用于硅电极部件蚀刻速度和蚀刻均匀性恢复的方法
0065-0173、蚀刻终止树脂
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0177-0175、用来在不存在氮化硅的条件下进行硅的KOH蚀刻的负性光刻胶
0179-0176、一种非晶硅太阳能电池铝膜蚀刻方法及蚀刻油墨
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0182-0179、低介电常数薄膜的灰化/蚀刻损伤的抵抗性以及整体稳定性的改进方法
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0144-0183、不需要poly2的用于掩埋条形窗形成的凹陷环状蚀刻
0025-0184、在超声场的存在下用稀化学蚀刻剂控制二氧化硅蚀刻速率 ，
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0127-0003、时分复用(TDM、蚀刻工艺中的过程控制方法及设备
0173-0004、碳氟化合物蚀刻化学剂中使用氢气添加剂的掺碳的硅氧化物蚀刻
0128-0005、具有高的湿蚀刻速率的硅氧烷树脂型抗反射涂料组合物
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0181-0007、蚀刻液的再生方法蚀刻方法及蚀刻装置
0072-0008、通过应用多再氧化层作为蚀刻终止层以最小化硅凹部的氮化物偏移间隔
0067-0009、蚀刻高长径比零件的方法
0161-0010、等离子体蚀刻装置和等离子体蚀刻方法
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0108-0013、使用非晶硅碳罩幕蚀刻铝层的方法
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0120-0016、蚀刻方法、形成沟槽隔离结构的方法、半导体基板和半导体装置
0178-0017、利用H2添加物对具有高介电常数的膜的选择性蚀刻
0135-0018、干蚀刻方法
0027-0019、硬蚀刻掩模
0018-0020、相对于未掺杂二氧化硅和氮化硅能选择性蚀刻掺杂二氧化硅的蚀刻剂其使用方法和形成的结构
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0157-0022、碳化硅单晶及其蚀刻方法
0071-0023、利用氧化线间隙壁与回蚀刻制造DRAM晶胞结构的方法
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0008-0028、用于无机表面的蚀刻糊
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0116-0070、用于含水酸蚀刻溶液的氟化表面活性剂
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0007-0097、一种氧掺杂硅碳化合物蚀刻停止层
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0097-0099、清洁气和蚀刻气
0104-0100、干蚀刻方法
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0147-0119、一种蚀刻高介电常数材料的方法
0041-0120、衬底表面和室表面的蚀刻剂处理工艺
0012-0121、蚀刻剂及蚀刻方法
0091-0122、蚀刻液的再生方法、蚀刻方法和蚀刻系统
0045-0123、具有连续接触蚀刻停止层的金属氧化物半导体元件
0109-0124、等离子体蚀刻方法
0083-0125、具有改进型抗蚀剂及/或蚀刻轮廓特征的介电膜用蚀刻方法
0114-0126、用于后蚀刻残余物的胶束技术
0112-0127、具有双蚀刻停止衬里和保护层的器件及相关方法
0090-0128、绝缘膜的蚀刻方法
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0084-0130、可聚合组合物聚合物抗蚀剂及蚀刻方法
0171-0131、通过添加碳降低氮化硅蚀刻速率的方法
0150-0132、干蚀刻方法
0005-0133、粗蚀刻硅太阳能电池的工艺
0167-0134、制作栅极与蚀刻导电层的方法
0030-0135、在掩膜二氧化硅上钻孔的等离子蚀刻方法
0038-0136、用于ARC材料的减小sy的蚀刻工艺
0137-0137、用于切割非晶态金属形状的选择性蚀刻工艺以及通过该工艺而制成的元件
0087-0138、用于硅表面和层的蚀刻糊
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0061-0140、等离子体蚀刻方法和装置、控制程序和计算机存储介质
0043-0141、一种低蚀刻性光刻胶清洗剂及其清洗方法
0124-0142、蚀刻方法及蚀刻装置
0145-0143、微电子衬底的湿法蚀刻处理用旋涂保护涂层
0129-0144、反应性离子蚀刻用掩膜材料、掩膜以及干蚀刻方法
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0020-0147、检测接触窗蚀刻结果的方法
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0142-0149、硅的各向异性湿式蚀刻
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0180-0151、低蚀刻性光刻胶清洗剂
0096-0152、使用无氮介电蚀刻停止层的半导体元件及其制程
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0100-0156、防止阻挡层被过度蚀刻的方法与结构及其应用
0172-0157、蚀刻高k电解质材料的方法
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0174-0159、多晶硅控制的回蚀刻显示器
0136-0160、用于形成蚀刻停止层的组合物
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0164-0162、等离子体蚀刻方法
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0103-0164、硅的各向异性湿式蚀刻
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0082-0168、使用具电化学蚀刻停止的电化学蚀刻制造瓶沟电容器方法
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