电路,电路装置,驱动电路,知电路类技术资料
SY2107-0016-0001、 摆动信号检测电路，信息处理装置方法及其记录介质
摘要、 在一由本发明提供的摆动信号检测电路中，一摆动信号在借助极性转换电路和时钟转换电路提供给一ＰＬＬ电路之前被转换成为二进制数据。该ＰＬＬ电路输出一记录／播放定时产生时钟信号。该记录／播放定时产生时钟信号的频率在被反馈到ＰＬＬ电路之前被分频电路分频。由一相位反转检测电路检测该摆动信号和反馈信号之间的相位差，如果该相位差超过一前面确定的相位差，则该相位反转检测电路产生一极性转换信号用来转换该摆动信号的极性。该极性转换信号被用来使该极性转换电路的极性反转。
SY2107-0019-0002、 软性电路与蓄墨容器连接的方法以及形成密封层的方法
摘要、 一种用于密封喷墨打印盒的至少一个外部部件的方法。该方法包括下列步骤：备置一种具有椭圆形排出口的喷散装置通过喷散装置将一种密封材料喷散在至少一个外部部件上，从而在至少一个外部部件上形成一层密封层。此外还提供一种用于将软性电路连接到喷墨打印盒的蓄墨容器上的方法。该方法包括下列步骤：将硅烷增粘剂涂到蓄墨容器的一个部件上，将一种粘合剂涂到至少一个蓄墨容器的涂有硅烷的部件上，然后提供粘合剂将软性电路粘接到蓄墨容器上。
SY2107-0013-0003、 光电转换元件和使用它的建筑材料
一种光电转换元件，包括：基底，由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料；所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率，在没有所述表面材料的状态下，由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流；其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光，从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
SY2107-0030-0004、 用于彩色阴极射线管的电子枪中的聚焦电极
摘要、 彩色阴极射线管电子枪中的聚焦电极，包括适于加低静态电压的第一聚焦电极和适于加高动态电压的第二聚焦电极，每一聚焦电极有带三个垂直拉长的电子束通孔的面，第二聚焦电极有对着第一聚焦电极并带三个电子束通孔的面，其还包括设在第一聚焦电极内侧并有三个电子束通孔的内部引导电极和在三电子束通孔的每个部和下部与对着第一聚焦电极的第二聚焦电极的面成一体的校正电极，第一聚焦电极中的电子束通孔是钥匙孔形。
SY2107-0100-0005、 电子装置和它的编程方法
摘要、 在一个电子装置中用于编程操作参数——如可编程配置设置的一种技术使用一个可进入电话网络的交互的响应配置服务器。配置服务器经过一个电话连接提供一个话音提示给电子装置的操作员。话音提示涉及一种可实现的具有特定的操作参数设置的操作的要求的方式。根据操作员的响应确定要求的操作参数设置。一个包括表示要求的操作参数设置的编程信号随后产生并传送到电子装置。然后电子装置根据接收的编程信号设置它的可编程的操作参数的值。
SY2107-0120-0006、 堆叠栅极存储单元的结构及其制造方法
摘要、 一种堆叠栅极存储单元的结构及其制造方法包括在半导体衬底中注入深扩散阱；在其中注入第二扩散阱；在第二扩散阱中注入一源／漏极扩散区，形成金属氧化物半导体晶体管。在源／漏极间的沟道区上的衬底的表面上，淀积隧穿氧化层。在沟道区上面的隧穿氧化层上淀积多晶硅栅极。在半导体衬底的表面上淀积绝缘层。在金属氧化物半导体晶体管上形成堆叠电容器。
SY2107-0151-0007、 反相放大电路
摘要、 本发明为一种反相放大电路，能以良好的线性输出输入信号的反相信号。该反相放大电路具有：一个反相电路、一个反馈电容、一个输入电容、一个第一刷新开关、第二刷新开关和一个休眠开关。一个休眠电压通过上述休眠开关输入到反相电路上，使电能消耗降为最低。
SY2107-0085-0008、 氧化物磁性材料及其制造方法、天线线圈和电感元件
摘要、 氧化物磁性材料基本组成为：按氧化物计算，含有作为主组分的１５—３０ｍｏｌ的Ｆｅ２Ｏ３，６—１２ｍｏｌ%的ＣｕＯ，和５８—７９ｍｏｌ％的ＮｉＯ，以及作为添加物的１．５—４．５ｗｔ％的ＰｂＯ，１．０—３．７ｗｔ％的ＳｉＯ２，０．７—１．０ｗｔ％的ＣｏＯ，和０．０１—１．０ｗｔ％的ＺｎＯ。该材料适于制成在高频带工作的磁芯。
SY2107-0125-0009、 碱性蓄电池
摘要、 通过提高正极和负极的容量，得到一种高能量密度的碱性蓄电池，该电池使用主要含氧化镍的正极。为了提高正极的容量密度，至少一种选自锰、铬、铝和钙的元素作为固体溶液加入活性材料中，相对于活性材料而言，其量在不小于３％（摩尔）至不大于１５％（摩尔）范围内，以及用高导电性（比电阻为１５欧姆·厘米或更小）和低结晶度的钴氢氧化合物涂布活性材料的表面和／或表面附近。
SY2107-0122-0010、 一种电源单元的电路装置
摘要、 构成电源系统的电源单元，借助第１电压调节器和求平均值元件，在对构成电源系统的所有电源单元共同的并联控制总线线路上，产生用于控制产生输出电压的功率级的指令电参量。借助第２电压调节器与此指令电参量产生用于控制功率级的指令电参量。使通过上述指令电参量给出的调整范围限定在有限的窗口范围内，并且功率级即使在上述指令电参量具有最大值的情况下总是可以产生一个输出电压，此电压在一个由此电源系统驱动的设备特定的范围之内。
SY2107-0012-0011、 功率因数改善电路
SY2107-0027-0012、 用于碱性锰电池中的阳极材料及其制备方法
SY2107-0036-0013、 直流无刷风扇检知电路
SY2107-0007-0014、 可产生视觉和听觉信号的按钮
SY2107-0084-0015、 锁相环电路
SY2107-0131-0016、 带有集成电路的配有镜头的照相胶片单元
SY2107-0107-0017、 具有倾斜的反射板的光调制元件
SY2107-0060-0018、 民用电子气象仪
SY2107-0003-0019、 半导体存储器试验装置
SY2107-0014-0020、 被包含在半导体器件内部的积分电路
SY2107-0075-0021、 成像设备门操作充电元件定位装置
SY2107-0002-0022、 用作碱性干电池负极的金属
SY2107-0022-0023、 从单个电子节目指南服务设备提供指南信息的方法和装置
SY2107-0063-0024、 用于角度及角位移传感器的时空转换装置
SY2107-0052-0025、 静态电流经微调的功率放大器及其微调方法
SY2107-0154-0026、 金属背印刷电路板组件
SY2107-0042-0027、 电子摄影装置及其密度控制方法
SY2107-0115-0028、 用于印刷电路板或电气电子装置的连接器
SY2107-0116-0029、 液体电子照相印像机用液体载体回收设备
SY2107-0045-0030、 在安全存储区中保护应用程序数据的方法和装置
SY2107-0069-0031、 形成随机存取存储器单元阵列的埋藏式电容阵列的方法
SY2107-0105-0032、 一种可集成多功能湿光敏元件及其制造方法
SY2107-0035-0033、 集成电路内装振荡电路
SY2107-0093-0034、 具有执行字操作的控制存储器的时间接线器及其控制方法
SY2107-0032-0035、 全彩色电子照相用墨粉及其制造方法以及图像形成方法
SY2107-0103-0036、 高效率甲类开环晶体管恒流放大器
SY2107-0155-0037、 显示设备与电子表
SY2107-0079-0038、 数据存储装置
SY2107-0156-0039、 半导体器件及其制造方法
SY2107-0038-0040、 具有一对散热端和多个引线端的半导体器件的制造方法
SY2107-0015-0041、 具有电子分配结构的电动机
SY2107-0073-0042、 印制基片、电子发射元件、电子源和图象形成装置的制造方法
SY2107-0023-0043、 半导体致冷空调器
SY2107-0091-0044、 半导体器件及其制造方法
SY2107-0046-0045、 产生特定频率的时钟信号的方法和设备
SY2107-0076-0046、 具有改进安装特性的电路板连接器
SY2107-0094-0047、 用于把卡与集成电路连接的插座和装有这种插座的单元
SY2107-0081-0048、 封装的集成电路器件
SY2107-0117-0049、 非易失性半导体存储器及制造方法
SY2107-0005-0050、 在电网上对中心遥控信号和谐波的衰减进行补偿的装置
SY2107-0056-0051、 能高速且稳定地传递信号的半导体装置
SY2107-0080-0052、 集成电路ＩＣ测试装置
SY2107-0086-0053、 用于生产半导体衬底的方法
SY2107-0113-0054、 用于锂离子二次电池负极的石墨材料及其制造方法
SY2107-0025-0055、 电子装置的开关结构
SY2107-0006-0056、 电子冰箱的制冷装置
SY2107-0102-0057、 一种构建电子拍卖市场的方法
SY2107-0109-0058、 电子管的制造方法与电子管
SY2107-0049-0059、 金属外壳气体隔离的电路断路器
SY2107-0065-0060、 燃料电池薄电极的制备方法
SY2107-0128-0061、 半导体加工设备的实时控制方法
SY2107-0145-0062、 天线阵接收机及校正接收信号相移量的方法
SY2107-0119-0063、 制造动态随机存取存储器结构的方法
SY2107-0054-0064、 隧道结结构及其制造方法和磁敏传感器
SY2107-0040-0065、 ＡＴＭ信号交换设备
SY2107-0043-0066、 有闪速电可擦可编程只读存储器单元的非易失性存储设备
SY2107-0037-0067、 电池极板组和电池槽的结合装置
SY2107-0057-0068、 半导体存储装置
SY2107-0158-0069、 半导体器件的制造方法
SY2107-0039-0070、 线性调频信号源
SY2107-0064-0071、 目标数据处理记录装置、存储媒体和用于传输的数据结构
SY2107-0112-0072、 带保护电路的高频放大器和包含该放大器的无线发射装置
SY2107-0031-0073、 用于化学反应的反应器的具有可调搅拌元件的搅拌器
SY2107-0028-0074、 一种具有信号端和接地端的改进型连接器
SY2107-0087-0075、 半导体衬底及其制备方法
SY2107-0053-0076、 用于光通讯设备的光放大器
SY2107-0066-0077、 新型电子催眠器
SY2107-0029-0078、 锁相环电路和再现装置
SY2107-0118-0079、 高密度动态随机存取存储器的电容器结构的制造方法
SY2107-0044-0080、 半导体器件及其制造方法
SY2107-0136-0081、 减少脉冲载波Ｃ类饱和放大的过频谱功率分布的方法和系统
SY2107-0132-0082、 用于防止振荡器谐振电路中的寄生振荡模式的电路
SY2107-0077-0083、 相位推定电路和解调电路
SY2107-0034-0084、 控制半导体设备的方法
SY2107-0104-0085、 一种以纳米结构建立室温超导体的方法
SY2107-0074-0086、 锂离子电池压模的生产方法
SY2107-0048-0087、 液态电子照相成像系统的液态载体去除装置
SY2107-0092-0088、 半导体器件的制造方法
SY2107-0126-0089、 阻燃树脂组合物及用它做成的半导体密封材料
SY2107-0068-0090、 制造隐匿于半导体基底的水平沟槽电容器的方法
SY2107-0070-0091、 网络可视电话中的存储器交换方法
SY2107-0017-0092、 用于电子照相技术成象装置的转印偏压控制方法
SY2107-0018-0093、 光学信息记录和再现的装置和方法以及光学存储介质
SY2107-0121-0094、 一种电源单元的电路装置
SY2107-0139-0095、 半导体器件
SY2107-0004-0096、 无传感器的无刷直流电机
SY2107-0108-0097、 便携式电子装置的静电去除结构
SY2107-0150-0098、 用于碱性蓄电池的基材、其制备方法和碱性蓄电池
SY2107-0099-0099、 含有气体导流板的燃料电池
SY2107-0001-0100、 测量尺度的磁阻传感器
SY2107-0072-0101、 碱性蓄电池以及处理其正极活性材料表面的方法
SY2107-0111-0102、 半导体集成电路
SY2107-0071-0103、 集成电路制造方法
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SY2107-0106-0106、 电路板喷锡方法及设备
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SY2107-0124-0109、 用于将一种保护膜贴敷在一半导体晶片上的方法和装置
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SY2107-0148-0111、 传感器的自校准方法
SY2107-0143-0112、 盘记录和／或再现装置及其电动机驱动控制电路
SY2107-0011-0113、 高速／高性能金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
SY2107-0083-0114、 能用低介电常数非晶氟化碳膜作为层间绝缘材料的半导体器件及其制备方法
SY2107-0088-0115、 半导体器件
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SY2107-0026-0120、 磁带录像机信号处理电路
SY2107-0130-0121、 半导体器件的制造方法
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SY2107-0134-0140、 用于微电子工业的高纯化学品的制备方法和装置
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SY2107-0153-0143、 在加电期间控制电路响应的装置
SY2107-0078-0144、 管路元件之间的互锁接头以及用在这种接头中的金属锁环
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SY2107-0146-0146、 用于节省寻呼接收机电池的方法和设备
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SY2107-0127-0150、 半导体器件
SY2107-0058-0151、 降低数据保持状态耗电量实现稳定动作的半导体存储装置
SY2107-0142-0152、 磁光存储介质及其再现方法
SY2107-0152-0153、 插拨信号辨识容错方法与装置
SY2107-0051-0154、 使宇宙飞行器上配有太阳能电池的底板运动的传动装置
SY2107-0041-0155、 多存储体同步型半导体存储装置
SY2107-0024-0156、 信号记录方法相差检测电路，及信息装置
SY2107-0010-0157、 电子邮件处理方法
SY2107-0095-0158、 用于把卡与集成电路连接的插座和装有这种插座的单元
SY2107-0159-0159、 以小存储器容量进行纠错处理的方法和装置
购买以上《电路,电路装置,驱动电路,知电路类技术资料》生产工艺技术资全套200元,含邮费,本市五大区可办理货到付款,咨询手机号也是微信号:15542181913 13889286189【点这进入购买帮助】
摘要、 在一由本发明提供的摆动信号检测电路中，一摆动信号在借助极性转换电路和时钟转换电路提供给一ＰＬＬ电路之前被转换成为二进制数据。该ＰＬＬ电路输出一记录／播放定时产生时钟信号。该记录／播放定时产生时钟信号的频率在被反馈到ＰＬＬ电路之前被分频电路分频。由一相位反转检测电路检测该摆动信号和反馈信号之间的相位差，如果该相位差超过一前面确定的相位差，则该相位反转检测电路产生一极性转换信号用来转换该摆动信号的极性。该极性转换信号被用来使该极性转换电路的极性反转。
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摘要、 一种用于密封喷墨打印盒的至少一个外部部件的方法。该方法包括下列步骤：备置一种具有椭圆形排出口的喷散装置通过喷散装置将一种密封材料喷散在至少一个外部部件上，从而在至少一个外部部件上形成一层密封层。此外还提供一种用于将软性电路连接到喷墨打印盒的蓄墨容器上的方法。该方法包括下列步骤：将硅烷增粘剂涂到蓄墨容器的一个部件上，将一种粘合剂涂到至少一个蓄墨容器的涂有硅烷的部件上，然后提供粘合剂将软性电路粘接到蓄墨容器上。
SY2107-0013-0003、 光电转换元件和使用它的建筑材料
一种光电转换元件，包括：基底，由形成在所述基底上的非单晶硅半导体组成的多个半导体结和覆盖所述半导体结的表面材料；所述半导体结具有不同的吸收光谱和不同的光退化率，在没有所述表面材料的状态下，由最小退化率的半导体结产生的光电流大于最大退化率的半导体结产生的光电流；其所述表面材料吸收与最小退化率的半导体结的部分吸收光谱相对应的范围中的光，从而由最小退化率的所述半导体结产生的光电流小于最大退化率的半导体结产生的光电流。
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摘要、 彩色阴极射线管电子枪中的聚焦电极，包括适于加低静态电压的第一聚焦电极和适于加高动态电压的第二聚焦电极，每一聚焦电极有带三个垂直拉长的电子束通孔的面，第二聚焦电极有对着第一聚焦电极并带三个电子束通孔的面，其还包括设在第一聚焦电极内侧并有三个电子束通孔的内部引导电极和在三电子束通孔的每个部和下部与对着第一聚焦电极的第二聚焦电极的面成一体的校正电极，第一聚焦电极中的电子束通孔是钥匙孔形。
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