高密度存储器技术、数据存储器、相变存储器、工艺
0091-0001、高密度小型存储器阵列的系统及其制造方法
0024-0002、结合薄膜和体Si晶体管的合并逻辑和存储器
0095-0003、用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
0006-0004、高密度平坦单元型的罩幕式只读存储器制造方法
0053-0005、用碳纳米管单电子晶体管和碳纳米管晶体管设计的存储器
0031-0006、磁存储器元件、磁存储器及磁存储器的制造方法
0026-0007、具有对角位线及双字线的高密度半导体存储器
0015-0008、海量网络存储器设备及其实现方法
0047-0009、高密度“与非”非易失性存储器装置
0041-0010、具有容错地址和命令总线的高密度高可靠性存储器模块
0080-0011、堆叠有机存储器件及其操作与制备方法
0028-0012、制造高密度半导体存储器件的方法
0068-0013、以库仑阻塞原理设计的单电子存储器及其制备方法
0077-0014、多值相变存储器的实现方法
0070-0015、基于库仑阻塞原理设计的单电子三值存储器及其制备方法
0004-0016、用于原子**存储的存储器设备的附加能量源
0009-0017、具有碳纳米管结构的单电子存储器及制备方法
0032-0018、内容可寻址存储器中多重匹配检测的电路和方法
0066-0019、磁阻随机存取存储器装置及构成该装置的铁磁性半导体的铁磁性转移温度的控制方法
0067-0020、基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器及制法
0001-0021、低厚度、高密度的存储器系统
0016-0022、高密度只读存储器地址线解码装置
0008-0023、采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列
0051-0024、使用多隧穿结结构的单电子晶体管的多值单电子存储器
0073-0025、存储器中延伸式电容制法及装置
0025-0026、半导体只读存储器的高密度行解码装置
0096-0027、用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
0007-0028、高密度磁随机存取存储器及其操作方法
0086-0029、具有依赖邻近工作模式位线补偿的非易失性存储器及方法
0055-0030、单电子二极管存储器
0027-0031、三维结构存储器
0038-0032、高密度数据存储器封装及其管理方法
0039-0033、非易失性半导体存储器
0036-0034、具有垂直结构晶体管的磁性随机存取存储器及其制造方法
0042-0035、具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储器的制造方法
0022-0036、高密度并联式只读存储器
0014-0037、热稳定的铁电体存储器
0065-0038、用于非易失性半导体存储器的密集阵列结构
0057-0039、高密度集成电路之存储器
0011-0040、利用碳纳米管设计的非挥发性随机存储器及制备方法
0010-0041、利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法
0089-0042、垂直EEPROM NROM存储器件
0083-0043、用于相变存储器的含硅系列硫族化物相变薄膜材料
0034-0044、制造高密度掩膜型只读存储器的方法
0075-0045、三维结构存储器的制造方法及使用方法
0050-0046、可在室温下工作的单电子存储器
0012-0047、利用碳纳米管制备的单电子存储器及制备方法
0085-0048、磁记录介质和磁存储器
0088-0049、具有嵌入式存储器件的打印头
0021-0050、先进先出缓冲存储器
0023-0051、高密度动态随机存取存储器的电容器结构的制造方法
0082-0052、制造快闪存储器元件的方法
0020-0053、双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列
0071-0054、具有多个稳定存储状态的单电子存储器及制法
0035-0055、具有自行对准金属硅化物组成单位的罩幕式只读存储器的制造方法
0043-0056、用于提升保存能力的双稳态阻抗随机存取存储器结构
0079-0057、垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法
0072-0058、含有二极管的掩模式只读存储器及其制造方法
0044-0059、叠层集成电路存储器
0005-0060、具有存储器阵列的高密度集成电路
0056-0061、单电子三极管存储器
0003-0062、用于测量高速存储器汇流排的装置
0002-0063、具有较高密度及改良可制造性的高容量存储器模组
0087-0064、具有位线至位线耦合补偿的非易失性存储器及方法
0078-0065、用于存储器模块的多级封装
0048-0066、高密度相变存储器的结构与制备的工艺
0060-0067、高密度磁阻存储器及其制造方法
0054-0068、具有碳纳米管结构的单电子存储器
0045-0069、半导体存储器及其形成方法
0033-0070、用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的相变介质
0018-0071、用于半导体存储器的传感放大器驱动电路
0064-0072、埋入式垂直动态随机存储器单元及双工作功能逻辑门
0092-0073、内容可寻址存储器中多重匹配检测的电路和方法
0046-0074、可编程非挥发存储器的单元布图结构及其制造方法
0097-0075、基于霍尔效应的超高密度磁随机存储器及其制备方法
0049-0076、具有碳纳米管结构的非挥发性随机存储器
0052-0077、基于碳纳米管单电子晶体管设计的单电子存储器
0037-0078、垂直叠式现场可编程非易失存储器和制造方法
0019-0079、存储器中的位存储单元
0069-0080、低电压双向福乐诺汉写入，擦除闪速存储器
0084-0081、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器
0013-0082、高密度快闪存储器
0099-0083、动态随机存取存储器的浅沟隔离制作方法
0093-0084、适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的原子层淀积制备方法
0090-0085、非易失性半导体存储器
0081-0086、闪速电可擦除只读存储器单元以及包含该单元的存储器阵列结构
0094-0087、适用于快闪存储器的高密度钌纳米晶的溅射沉积制备方法
0098-0088、低温下制造的包括半导体二极管的高密度非易失性存储器阵列
0040-0089、具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器
0076-0090、可在室温下工作的单电子存储器及制备方法
0063-0091、分子光电子存储器
0059-0092、具牺牲层的嵌入式非挥发性存储器的制造方法
0030-0093、高密度集成电路之存储器
0062-0094、形成高密度非挥发性存储器编码的掩模及方法
0074-0095、三维结构存储器
0029-0096、双栅衬底极板动态随机存取存储器单元阵列
0017-0097、低压电可编程序只读存储器
0058-0098、磁阻效应元件、磁存储单元和磁存储器装置及其制造方法
0061-0099、半导体存储器件及其制造和操作方法及便携式电子装置
0100-0100、单电子三值存储器
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