对准蚀刻工艺生产工艺及应用
作者：百创科技 金属矿产来源：本站原创 点击数： 更新时间：2024/2/8
(CD30073-0018-0001)一种具有牺牲型填充柱的自行对准接触方法
(CD30073-0059-0002)具有自对准的源区和阱区的碳化硅功率器件及其制备方法
(CD30073-0014-0003)整体化微球透镜的光纤对准元件
(CD30073-0032-0004)具有对氮化物肩部高度敏感性的自对准接触蚀刻
(CD30073-0053-0005)自行对准接触窗开口/无边界接触窗开口的结构及形成方法
(CD30073-0026-0006)自对准接触窗形成方法
(CD30073-0050-0007)自对准接触的侧壁间隔片结构及其形成方法
(CD30073-0030-0008)自动对准金属硅化物制造方法
(CD30073-0035-0009)利用自对准工艺制造具有FET沟道结构的SPM探针的方法
(CD30073-0069-0010)自对准器件接触的方法和结构
(CD30073-0052-0011)光导纤维和蚀刻的阵列波导管的对准
(CD30073-0048-0012)Y方向自对准的罩幕式只读存储器的制造方法
(CD30073-0040-0013)去除遮蔽对准标记物质的方法
(CD30073-0062-0014)自动对准镶嵌栅极
(CD30073-0058-0015)自我对准非挥发性存储器及其制造方法
(CD30073-0021-0016)具有自对准气隙绝缘体的电阻随机存取存储器的制造方法
(CD30073-0047-0017)在半导体器件设置中提供自对准接点的方法
(CD30073-0078-0018)用于在存储器结构中形成自对准共源极的方法和装置
(CD30073-0020-0019)使用自对准双构图方法形成焊盘图形的方法、使用其所形成的焊盘图形布局、以及使用自对准双构图方法形成接触孔的方法
(CD30073-0015-0020)半导体元件的自行对准金属硅化物层形成方法
(CD30073-0028-0021)降低集成电路制程的对准准确度要求的方法
(CD30073-0077-0022)具有用于减小电容的自对准间隙的装置
(CD30073-0064-0023)氮化硅层的制作方法和自对准金属硅化物层的制作方法
(CD30073-0063-0024)形成对准键的方法及使用其形成元件隔离结构的方法
(CD30073-0061-0025)利用自对准后栅极控制前栅极绝缘体上硅MOSFET的器件阈值
(CD30073-0024-0026)制造存储单元的自对准空洞及底电极的方法
(CD30073-0034-0027)形成具有自行对准接触窗的记忆元件的方法和所形成装置
(CD30073-0060-0028)用于制造具有自对准敷金属的半导体装置的方法
(CD30073-0005-0029)结合自我对准接触制程以及自我对准硅化物制程的方法
(CD30073-0067-0030)自对准并平坦化的下电极相变化存储器及其制造方法
(CD30073-0038-0031)自对准式薄膜晶体管的制造方法
(CD30073-0008-0032)一种具有高阶梯之对准标记的制造方法
(CD30073-0025-0033)形成集成电路器件自对准接触的方法
(CD30073-0019-0034)自我对准分离式栅极非挥发性存储单元及其制造方法
(CD30073-0010-0035)自对准电子源装置
(CD30073-0036-0036)a01"，
(CD30073-0043-0037)形成栅极结构及自对准接触孔结构的方法
(CD30073-0042-0038)具有自对准节接触孔的半导体器件及其制造方法
(CD30073-0068-0039)具有高耦合比的自对准沟槽填充
(CD30073-0003-0040)选择性局部自行对准硅化物的制作方法
(CD30073-0031-0041)外缘型态相移光罩的自对准方法
(CD30073-0071-0042)晶圆背面对准的重叠对准精度的判断方法及其晶圆
(CD30073-0029-0043)利用牺牲掩模层形成自对准接触结构的方法
(CD30073-0013-0044)自行对准位线接触窗与节点接触窗制造方法
(CD30073-0022-0045)自对准堆叠栅极及其制造方法
(CD30073-0065-0046)一种用于提供探头对准的方法
(CD30073-0073-0047)中间掩模对准技术
(CD30073-0079-0048)用于窄间隙隔离区的自对准沟槽填充
(CD30073-0001-0049)光电子组件中的对准方法
(CD30073-0027-0050)用于快闪记忆体的自对准制程
(CD30073-0011-0051)在层内对准局部的开孔
(CD30073-0080-0052)金属线之间的自对准沟槽的集成
(CD30073-0057-0053)用于电测量缝合掩膜的单向未对准的电阻结构
(CD30073-0006-0054)对准标记的制造方法
(CD30073-0045-0055)喷墨式打印头喷孔的自动对准制法
(CD30073-0075-0056)自对准的节距缩减
(CD30073-0007-0057)自动对准漂浮栅极的电子可抹除可编程只读存储器的制造方法
(CD30073-0066-0058)用于制造具有整体对准部件的光波导组件的方法
(CD30073-0051-0059)整合对准标记与沟槽组件的制程
(CD30073-0004-0060)在快闪存储器元件中形成自行对准掩埋N+型式区域的方法
(CD30073-0049-0061)微影对准设计及CMP加工波纹表面覆盖量测记号
(CD30073-0056-0062)用于掩膜只读存储器单元阵列的自行对准金属硅化物制程
(CD30073-0033-0063)用于制造自行对准接触窗结构的方法
(CD30073-0009-0064)半导体的自对准生成件及其方法
(CD30073-0074-0065)制造自对准鳍状场效应晶体管装置的方法
(CD30073-0055-0066)用于磁性随机存取存储装置的自对准导电线及其形成方法
(CD30073-0023-0067)用于自对准蚀刻的系统和方法
(CD30073-0016-0068)在半导体晶片上形成自行对准金属硅化物接触物的方法
(CD30073-0039-0069)具有磊晶基极双载子连接晶体管的自对准制造方法与结构
(CD30073-0046-0070)形成自对准接触窗结构的方法
(CD30073-0076-0071)用于半导体器件的自对准肖特基结的制造方法
(CD30073-0054-0072)具有部分垂直信道的存储单元的主动区自对准制程
(CD30073-0041-0073)自行对准钴硅化物的接触窗制作工艺技术
(CD30073-0070-0074)用于**电阻随机存取存储器熔化点的自对准结构及方法
(CD30073-0017-0075)自动对准接触窗开口的制造方法
(CD30073-0002-0076)自对准的混合工艺和元件
(CD30073-0044-0077)自我对准浮置栅极的浅沟渠结构制造方法
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